Продукція > IPN
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPN06N03LAG | INFINEON | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IPN102 | iBASE Technology | Description: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI Packaging: Box Accessory Type: Riser Card Specifications: Riser Card For MBN805C/H GF2, 1X PCI-E X8 Slot | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN103 | iBASE Technology | Description: RISER CARD, 2-TO-2 PCI-E EXPANSI Packaging: Box Accessory Type: Riser Card Specifications: Riser Card For MBN800-8L GF1 & GF2, 2x PCI-E X8 Expansion Slot | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN104 | iBASE Technology | Description: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
IPN10EL-S | Infineon Technologies | Gate Drivers MOSFET | на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
IPN10ELSXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14 | на замовлення 237500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN10ELSXUMA1 | Infineon Technologies | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN10ELSXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN2120A | INPROVOMM | TQFP128 | на замовлення 17290 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IPN2220 | INPROCOMM | O4 | на замовлення 84 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IPN50R1K4CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V | на замовлення 16289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R1K4CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN50R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 282000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 8458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R2K0CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V | на замовлення 10636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R2K0CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.3A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R2K0CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.3A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN50R2K0CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R3K0CE | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN50R3K0CE | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN50R3K0CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.6A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 4.3nC Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN50R3K0CEATMA1 Код товару: 193023 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IPN50R3K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V | на замовлення 9048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R3K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN50R3K0CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R3K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R3K0CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 4057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R3K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN50R3K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 1.7A 3-Pin SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN50R3K0CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R650CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
IPN50R650CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R650CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 8800 шт: термін постачання 961-970 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R650CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R650CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN50R650CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 6.1A 3-Pin SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN50R650CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
IPN50R650CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R650CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN50R800CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.8A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 12.4nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2906 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R800CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V | на замовлення 15087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R800CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.8A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 12.4nC Kind of channel: enhanced | на замовлення 2906 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
IPN50R800CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R950CE | Infineon Technologies | Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN50R950CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN50R950CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
IPN50R950CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.2A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of channel: enhanced | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R950CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V | на замовлення 619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R950CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 8921 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R950CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN50R950CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN50R950CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN50R950CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN50R950CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.2A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN5320 | INPROCOMM | 04+ | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IPN5330 | INPROCOMM | O4 | на замовлення 79 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 4346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K0CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V | на замовлення 14940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R1K0CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER PG-SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R1K0PFD7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 13112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER PG-SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R1K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | RECP ASSY | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R1K0PFD7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K5CE | Infineon technologies | на замовлення 97 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IPN60R1K5CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 19563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 8867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K5CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; Idm: 8.4A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 8.4A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K5CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 19563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K5CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; Idm: 8.4A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 8.4A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V | на замовлення 5851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K5PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R1K5PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K5PFD7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K5PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K5PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R1K5PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R1K5PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 3001 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K5PFD7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R1K5PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R2K0PFD7S | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R2K0PFD7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R2K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R2K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V | на замовлення 15320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R2K0PFD7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
IPN60R2K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R2K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R2K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R2K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R2K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 5897 шт: термін постачання 352-361 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R2K1CE | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R2K1CE | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V | на замовлення 20187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 14992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R2K1CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R2K1CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 1.89 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.89ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R2K1CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.4A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R2K1CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R2K1CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 1.89 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.89ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
IPN60R2K1CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.4A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R360P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 7W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R360P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 7W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
IPN60R360P7SATMA1 Код товару: 133578 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IPN60R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 14730 шт: термін постачання 140-149 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R360PFD7SATMA1 | Infineon | Transistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R360PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R360PFD7SATMA1 | Infineon | Transistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 47 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R360PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 3278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R360PFD7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 6983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R360PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V | на замовлення 13117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R360PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | 600V CoolMOS PFD7 SJ Power Device | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R360PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R360PFD7SATMA1 | Infineon | Transistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R360PFD7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 6983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R360PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R360PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R3K4CE | Infineon technologies | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IPN60R3K4CE | Infineon | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IPN60R3K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R3K4CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.6A; Idm: 3.9A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 1.6A Pulsed drain current: 3.9A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R3K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R3K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R3K4CEATMA1 Код товару: 143229 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IPN60R3K4CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R3K4CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.6A; Idm: 3.9A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 1.6A Pulsed drain current: 3.9A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R3K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V | на замовлення 22590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R3K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R3K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R3K4CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 16282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R3K4CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R600P7S | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 2950 шт: термін постачання 140-149 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R600P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R600P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A Power dissipation: 7W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R600P7SATMA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7S TIPN60r600p7s кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R600P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A Power dissipation: 7W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R600P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R600PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | 600V CoolMOS PFD7 SJ Power Device | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R600PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN60R600PFD7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R600PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER PG-SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R600PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R600PFD7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN60R600PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER PG-SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V | на замовлення 5965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN65R1K5CE | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN65R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN65R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 1973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN65R1K5CEATMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPN65R1K5CEATMA1 - IPN65R1K5 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
IPN65R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN65R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 5.2A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K0CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 5W; PG-SOT223 Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Technology: CoolMOS™ CE Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain current: 4.7A On-state resistance: 1Ω Drain-source voltage: 700V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 15.2nC | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R1K0CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 5W; PG-SOT223 Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Technology: CoolMOS™ CE Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain current: 4.7A On-state resistance: 1Ω Drain-source voltage: 700V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 15.2nC кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R1K2P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 6.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V | на замовлення 1468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K2P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 3934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K4P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K4P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R1K4P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K4P7SATMA1 | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IPN70R1K4P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 6166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K4P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R1K4P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V | на замовлення 12713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K4P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R1K4P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K5CE | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R1K5CE | Infineon technologies | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IPN70R1K5CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 11693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
IPN70R1K5CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.4A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 3.4A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R1K5CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 11693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R1K5CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.4A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 3.4A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R2K0P7S | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IPN70R2K0P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm | на замовлення 1810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R2K0P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm | на замовлення 1810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V | на замовлення 17151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R360P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 6047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 4489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V | на замовлення 3289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R360P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 7.5A Power dissipation: 7.2W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.4nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R360P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 6047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R360P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 7.5A Power dissipation: 7.2W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.4nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R450P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 7.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 638 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R450P7SATMA1 | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R450P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V | на замовлення 821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R600P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.9W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 6401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 1677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R600P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.9W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 6401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V | на замовлення 1399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R750P7S | Infineon Technologies | Description: IPN70R750 - 650V AND 700V COOLMO Packaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R750P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R750P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R750P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 6.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.7W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R750P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R750P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R750P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R750P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 13522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R750P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R750P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R750P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R750P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V | на замовлення 12645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R750P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R750P7SATMA1 Код товару: 193676 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IPN70R900P7S | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R900P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R900P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R900P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 1964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R900P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 3.5A Power dissipation: 6.5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R900P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN70R900P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R900P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R900P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V | на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN70R900P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 3.5A Power dissipation: 6.5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R1K2P7 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_NEW | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R1K2P7 Код товару: 144481 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V | на замовлення 5852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R1K2P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223 Power dissipation: 6.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 11nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.1A On-state resistance: 1.2Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R1K2P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm | на замовлення 2665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R1K2P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223 Power dissipation: 6.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 11nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.1A On-state resistance: 1.2Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 2972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R1K2P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm | на замовлення 2665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R1K4P7 | Infineon Technologies | Infineon LOW POWER_NEW | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R1K4P7 | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 Код товару: 148097 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223 Power dissipation: 7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 10nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A On-state resistance: 1.4Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223 Power dissipation: 7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 10nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A On-state resistance: 1.4Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V | на замовлення 1893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 16454 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R2K0P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.4W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 13041 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | P7 Power Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R2K0P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.4W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 5089 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V | на замовлення 14215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R2K4P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223 Power dissipation: 6.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 8nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.7A On-state resistance: 2.4Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R2K4P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm | на замовлення 2454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R2K4P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223 Power dissipation: 6.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 8nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.7A On-state resistance: 2.4Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R2K4P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm | на замовлення 2454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R3K3P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R3K3P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223 Power dissipation: 6.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 6nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.3A On-state resistance: 3.3Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R3K3P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V | на замовлення 7434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R3K3P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R3K3P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 800V CoolMOS P7PowerTransistor | на замовлення 5758 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R3K3P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R3K3P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R3K3P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223 Power dissipation: 6.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 6nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.3A On-state resistance: 3.3Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R4K5P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 2591 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R4K5P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223 Power dissipation: 6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 4nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V Drain current: 1A On-state resistance: 4.5Ω Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V | на замовлення 9787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R4K5P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R4K5P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223 Power dissipation: 6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 4nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V Drain current: 1A On-state resistance: 4.5Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2260 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R600P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223 Power dissipation: 7.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 20nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V Drain current: 5.5A On-state resistance: 0.6Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R600P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.4W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R600P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223 Power dissipation: 7.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 20nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V Drain current: 5.5A On-state resistance: 0.6Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V | на замовлення 2884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R600P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.4W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 1840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R750P7 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_NEW | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R750P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223 Power dissipation: 7.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 17nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.6A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R750P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223 Power dissipation: 7.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 17nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.6A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V | на замовлення 2878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R750P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 11983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R900P7ATMA1 | Infineon Technologies | P7 Power Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R900P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V | на замовлення 5227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R900P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R900P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R900P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223 Power dissipation: 7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 15nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A On-state resistance: 0.9Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R900P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R900P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R900P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 5925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R900P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 18852 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN80R900P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223 Power dissipation: 7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 15nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A On-state resistance: 0.9Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R900P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN80R900P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_NEW | на замовлення 2919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V | на замовлення 10535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN95R1K2P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 3.7A; 7W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 3.7A Power dissipation: 7W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN95R1K2P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 3.7A; 7W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 3.7A Power dissipation: 7W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN95R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN95R2K0P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN95R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V | на замовлення 23531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN95R2K0P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN95R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN95R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_NEW | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN95R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN95R2K0P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPN95R2K0P7 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN95R3K7P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN95R3K7P7ATMA1 | Infineon Technologies | 950V Power Transistor | на замовлення 473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN95R3K7P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_NEW | на замовлення 402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN95R3K7P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPN95R3K7P7 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IPN95R3K7P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN95R3K7P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN95R3K7P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V | на замовлення 8221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN95R3K7P7ATMA1 | Infineon Technologies | 950V Power Transistor | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN95R3K7P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN95R3K7P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IPN95R3K7P7ATMA1 | Infineon Technologies | 950V Power Transistor | товар відсутній |