IPN70R450P7SATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 41.25 грн |
| 16+ | 38.37 грн |
| 25+ | 38.31 грн |
| 100+ | 31.35 грн |
| 250+ | 27.88 грн |
| 500+ | 25.22 грн |
| 1000+ | 22.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPN70R450P7SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 7.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPN70R450P7SATMA1 за ціною від 23.35 грн до 83.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPN70R450P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPN70R450P7SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 7.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPN70R450P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V |
на замовлення 821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPN70R450P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 638 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPN70R450P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPN70R450P7SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPN70R450P7SATMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
IPN70R450P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPN70R450P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPN70R450P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V |
товар відсутній |