IPN60R360P7SATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 26.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPN60R360P7SATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-SOT223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPN60R360P7SATMA1 за ціною від 24.32 грн до 71.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPN60R360P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPN60R360P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 14730 шт: термін постачання 140-149 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPN60R360P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPN60R360P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPN60R360P7SATMA1 Код товару: 133578 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IPN60R360P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IPN60R360P7SATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 7W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IPN60R360P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IPN60R360P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IPN60R360P7SATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 7W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |