IPN70R750P7SATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPN70R750P7SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 6.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.7W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPN70R750P7SATMA1 за ціною від 15.37 грн до 98.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPN70R750P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPN70R750P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN70R750P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPN70R750P7SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 6.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.7W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN70R750P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN70R750P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN70R750P7SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPN70R750P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 13522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN70R750P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V |
на замовлення 14189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN70R750P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPN70R750P7SATMA1 Код товару: 193676 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
IPN70R750P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |