Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN80R4K5P7ATMA1
IPN80R4K5P7ATMA1

IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies

2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPN80R4K5P7ATMA1 за ціною від 15.41 грн до 114.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.06 грн
6000+ 17.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.18 грн
6000+ 17.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf45e86f8646d Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.25 грн
6000+ 16.65 грн
9000+ 15.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2718786.pdf Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+41.51 грн
500+ 31.29 грн
1000+ 23.12 грн
3000+ 20.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
278+43.55 грн
304+ 39.85 грн
305+ 39.64 грн
500+ 31.09 грн
1000+ 26.96 грн
3000+ 24.3 грн
Мінімальне замовлення: 278
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf45e86f8646d Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
на замовлення 9852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.25 грн
10+ 40.07 грн
100+ 27.74 грн
500+ 21.75 грн
1000+ 18.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN80R4K5P7_DS_v02_01_EN-3362534.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 11960 шт:
термін постачання 547-556 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+51.39 грн
10+ 44 грн
100+ 26.48 грн
500+ 22.09 грн
1000+ 18.89 грн
3000+ 16.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2718786.pdf Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+71.77 грн
14+ 59.18 грн
100+ 41.51 грн
500+ 31.29 грн
1000+ 23.12 грн
3000+ 20.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R4K5P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+95.38 грн
9+ 40.51 грн
20+ 36.22 грн
29+ 29.65 грн
78+ 28.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R4K5P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.45 грн
6+ 50.48 грн
20+ 43.47 грн
29+ 35.57 грн
78+ 33.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній