![IPN80R3K3P7ATMA1 IPN80R3K3P7ATMA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2421/448;-P^PG-SOT223-3;-;-2.jpg)
IPN80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies
![Infineon-IPN80R3K3P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f528288916b80](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 19.37 грн |
6000+ | 17.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPN80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V, Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA, Supplier Device Package: PG-SOT223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V.
Інші пропозиції IPN80R3K3P7ATMA1 за ціною від 17.21 грн до 55.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPN80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V |
на замовлення 7844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPN80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 189-198 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPN80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPN80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPN80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPN80R3K3P7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.3A Power dissipation: 6.1W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPN80R3K3P7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.3A Power dissipation: 6.1W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |