НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDN-010ChemtronicsDescription: S/S .010" NEEDLE, 10/PK
товару немає в наявності
FDN-020ChemtronicsDescription: S/S .020" NEEDLE, 10/PK
товару немає в наявності
FDN-47A-L103Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 1.0NM
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDN-63A-L903Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 8.5NM
Features: Disk Type
Packaging: Bag
Type: Rotary Damper
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2579.54 грн
FDN-63A-R453Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 4.5NM
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDN-63A-R603Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 6.0NM
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDN028N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 17821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.85 грн
10+ 30.02 грн
100+ 20.86 грн
500+ 15.29 грн
1000+ 12.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN028N20onsemi / FairchildMOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server
на замовлення 74820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.25 грн
10+ 33.46 грн
100+ 20.3 грн
500+ 15.83 грн
1000+ 12.85 грн
3000+ 10.86 грн
9000+ 10.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN028N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN028N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.1 A, 0.023 ohm, SuperSOT
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.4 грн
19+ 43.39 грн
100+ 32.4 грн
500+ 18.33 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDN028N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.29 грн
6000+ 11.23 грн
9000+ 10.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN028N20ON Semiconductor / FairchildMOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDN1-205(5)KS TerminalsTerminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .020 x .205
на замовлення 995 шт:
термін постачання 106-115 дні (днів)
29+11.59 грн
100+ 7.35 грн
1000+ 5.04 грн
5000+ 4.4 грн
10000+ 3.83 грн
25000+ 3.19 грн
50000+ 2.63 грн
Мінімальне замовлення: 29
FDN103
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN103AMOTOROLA09+ SOP24
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN143ROHM96+ QFP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN143ROHM99+ QFP
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN147ROHM96+ QFP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN147ROHM97+ QFP
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN147-626
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN147B97 TQFP
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN2-205(5)KS TerminalsTerminals Non-Insulated, Female, 16-14 AWG, .020 x .205
товару немає в наявності
FDN301
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN301A
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN301N-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN302PUMWDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
FDN302PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+33.44 грн
17+ 22.03 грн
80+ 10.82 грн
218+ 10.23 грн
500+ 10.05 грн
1000+ 9.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.72 грн
9000+ 9.49 грн
24000+ 9.16 грн
45000+ 8.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.57 грн
50+ 23.09 грн
100+ 15.6 грн
500+ 10.13 грн
1500+ 9.14 грн
Мінімальне замовлення: 27
FDN302Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V
на замовлення 11924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.5 грн
13+ 26.61 грн
100+ 12.49 грн
1000+ 9.51 грн
3000+ 8.59 грн
9000+ 7.59 грн
24000+ 7.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN302P
Код товару: 31343
FairchildТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,4 A
Rds(on),Om: 0,055 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 882/9
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20 грн
10+ 12 грн
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.89 грн
6000+ 11.63 грн
9000+ 11.45 грн
12000+ 10.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 39166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.01 грн
14+ 21.14 грн
100+ 14.32 грн
500+ 10.48 грн
1000+ 9.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN302PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.13 грн
11+ 27.45 грн
80+ 12.99 грн
218+ 12.28 грн
500+ 12.07 грн
1000+ 11.8 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
449+27.14 грн
785+ 15.51 грн
793+ 15.35 грн
802+ 14.65 грн
1324+ 8.21 грн
Мінімальне замовлення: 449
FDN302PUMWDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.55 грн
9000+ 10.22 грн
24000+ 9.87 грн
45000+ 9.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+36.45 грн
24+ 25.47 грн
25+ 25.2 грн
100+ 13.75 грн
250+ 12.61 грн
500+ 11.97 грн
1000+ 7.32 грн
Мінімальне замовлення: 17
FDN302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.12 грн
6000+ 8.09 грн
9000+ 7.74 грн
15000+ 6.89 грн
21000+ 6.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.6 грн
500+ 10.13 грн
1500+ 9.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+33.91 грн
26+ 23.5 грн
100+ 12.98 грн
1000+ 9.13 грн
3000+ 6.57 грн
9000+ 6.08 грн
24000+ 6.01 грн
45000+ 5.73 грн
Мінімальне замовлення: 18
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN302P .302..ON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 84mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN302P TFDN302p
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 480 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN302P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN302P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.4 грн
1000+ 2.25 грн
3000+ 2.1 грн
6000+ 1.93 грн
15000+ 1.87 грн
30000+ 1.79 грн
75000+ 1.66 грн
150000+ 1.49 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDN302P\302FAIRCHILSOT-23
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN302P_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 2394000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN302P_NLFairchild
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN302P_Qonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V
товару немає в наявності
FDN303
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN304??SOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN304N
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.66 грн
9000+ 11.78 грн
24000+ 11.7 грн
45000+ 10.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+37.36 грн
20+ 31.31 грн
100+ 21.99 грн
500+ 16.57 грн
1000+ 11.99 грн
Мінімальне замовлення: 17
FDN304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
на замовлення 22151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
10+ 30.31 грн
100+ 21.11 грн
500+ 15.47 грн
1000+ 12.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN304PUMWTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P UMW TFDN304p UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
250+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 250
FDN304Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH 1.8V
на замовлення 78559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.57 грн
10+ 34.69 грн
100+ 21.01 грн
500+ 16.47 грн
1000+ 13.34 грн
3000+ 11.28 грн
9000+ 10.5 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 165066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.73 грн
21+ 38.37 грн
100+ 24.04 грн
500+ 17.52 грн
Мінімальне замовлення: 18
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 36
FDN304PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+36.62 грн
50+ 24.03 грн
52+ 17 грн
141+ 16.04 грн
500+ 15.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDN304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 165066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.04 грн
500+ 17.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.44 грн
6000+ 11.37 грн
9000+ 10.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN304PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+43.95 грн
50+ 29.94 грн
52+ 20.4 грн
141+ 19.25 грн
500+ 18.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.46 грн
9000+ 10.47 грн
24000+ 8.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN304P
Код товару: 127609
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN304P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDN304P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN304P-NLFAIRCHILD
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN304P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.47 грн
1000+ 2.32 грн
3000+ 2.17 грн
6000+ 1.99 грн
15000+ 1.93 грн
30000+ 1.85 грн
75000+ 1.71 грн
150000+ 1.54 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDN304PZonsemi / FairchildMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 8229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.95 грн
10+ 39.42 грн
100+ 23.85 грн
500+ 18.59 грн
1000+ 15.12 грн
3000+ 12.21 грн
9000+ 11.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.31 грн
6000+ 14.27 грн
9000+ 13.61 грн
24000+ 13.03 грн
30000+ 12.06 грн
45000+ 11.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN304PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.94 грн
19+ 43.63 грн
100+ 27.39 грн
500+ 16.12 грн
3000+ 12.62 грн
9000+ 11.67 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDN304PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 67591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.99 грн
10+ 35.26 грн
100+ 24.52 грн
500+ 17.97 грн
1000+ 14.6 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN304PZONSEMIFDN304PZ SMD P channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+48.53 грн
50+ 20.76 грн
138+ 19.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.3 грн
6000+ 13.28 грн
9000+ 12.66 грн
24000+ 12.12 грн
30000+ 11.21 грн
45000+ 10.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN304PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.45 грн
6000+ 13.2 грн
9000+ 12.26 грн
30000+ 11.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN304PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.39 грн
500+ 16.12 грн
3000+ 12.62 грн
9000+ 11.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN304PZ-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.47 грн
1000+ 2.32 грн
3000+ 2.17 грн
6000+ 1.99 грн
15000+ 1.93 грн
30000+ 1.85 грн
75000+ 1.71 грн
150000+ 1.54 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDN305PANASONIC
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN306-NL
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN306PVBsemiTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 150
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.81 грн
9000+ 9.15 грн
24000+ 7.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.59 грн
500+ 11.53 грн
1500+ 10.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN306PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 57116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.94 грн
13+ 24.62 грн
100+ 17.12 грн
500+ 12.55 грн
1000+ 10.2 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDN306PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.25 грн
18+ 21.74 грн
25+ 18.26 грн
66+ 13.09 грн
182+ 12.42 грн
1000+ 12.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDN306PTECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Substitute: TCJ2305; FDN306P SOT23 TEC TFDN306p TEC
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+29.37 грн
26+ 23.52 грн
100+ 17.02 грн
500+ 13.02 грн
Мінімальне замовлення: 21
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 36
FDN306PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+36.3 грн
11+ 27.09 грн
25+ 21.91 грн
66+ 15.7 грн
182+ 14.9 грн
1000+ 14.55 грн
3000+ 14.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+31.37 грн
23+ 27.22 грн
26+ 23.67 грн
100+ 17.92 грн
250+ 15.85 грн
500+ 12.51 грн
1000+ 10.06 грн
3000+ 8.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDN306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.53 грн
50+ 25.56 грн
100+ 19.59 грн
500+ 11.53 грн
1500+ 10.44 грн
Мінімальне замовлення: 26
FDN306PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
6000+ 9.22 грн
9000+ 8.56 грн
30000+ 7.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN306PON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+25.5 грн
609+ 20.01 грн
637+ 19.12 грн
775+ 15.16 грн
1000+ 11.28 грн
3000+ 9.15 грн
Мінімальне замовлення: 478
FDN306Ponsemi / FairchildMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 63653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.12 грн
12+ 27.34 грн
100+ 16.82 грн
500+ 13.27 грн
1000+ 10.79 грн
3000+ 8.66 грн
9000+ 8.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.15 грн
6000+ 14.46 грн
9000+ 13.81 грн
12000+ 12.88 грн
27000+ 11.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.56 грн
9000+ 9.86 грн
24000+ 8.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN306P 306.ON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN306P-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-PIN SUPERSOT T/R
товару немає в наявності
FDN306P-NLFAI09+
на замовлення 120018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN306P-NLFAIRCHILD
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN306P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -12V -2.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.41 грн
1000+ 2.27 грн
3000+ 2.12 грн
6000+ 1.95 грн
15000+ 1.89 грн
30000+ 1.81 грн
75000+ 1.67 грн
150000+ 1.5 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDN306P/306FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
товару немає в наявності
FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
на замовлення 5465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDN307
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+24.78 грн
29+ 20.96 грн
100+ 16.2 грн
250+ 14.86 грн
500+ 10.93 грн
1000+ 10.15 грн
3000+ 9.37 грн
Мінімальне замовлення: 25
FDN308PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
540+22.57 грн
673+ 18.09 грн
680+ 17.92 грн
887+ 13.25 грн
1000+ 11.39 грн
3000+ 10.09 грн
Мінімальне замовлення: 540
FDN308Ponsemi / FairchildMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
на замовлення 6119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.37 грн
13+ 26.69 грн
100+ 17.32 грн
500+ 13.27 грн
1000+ 11.36 грн
3000+ 9.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDN308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.93 грн
500+ 13.82 грн
3000+ 12.28 грн
9000+ 11.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.81 грн
25+ 32.72 грн
100+ 22.93 грн
500+ 13.82 грн
3000+ 12.28 грн
9000+ 11.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDN308PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.08 грн
10+ 29.79 грн
100+ 20.7 грн
500+ 15.17 грн
1000+ 12.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN308P-NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN308P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -1.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.47 грн
1000+ 2.32 грн
3000+ 2.17 грн
6000+ 1.99 грн
15000+ 1.93 грн
30000+ 1.85 грн
75000+ 1.71 грн
150000+ 1.54 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDN308P_F154ON Semiconductor / FairchildMOSFET Multi Market MOSFET
товару немає в наявності
FDN308P_NLFAIRCHILD
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.05 грн
9000+ 9.34 грн
24000+ 9.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+37.65 грн
26+ 23.41 грн
100+ 15.63 грн
1000+ 10.49 грн
3000+ 8.34 грн
Мінімальне замовлення: 17
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 328
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+34.48 грн
29+ 21.05 грн
32+ 19.12 грн
100+ 12.5 грн
250+ 11.45 грн
500+ 9.87 грн
1000+ 8.04 грн
3000+ 7.56 грн
6000+ 7.08 грн
Мінімальне замовлення: 18
FDN327Nonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec
на замовлення 73854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.44 грн
16+ 21.22 грн
100+ 12.07 грн
1000+ 8.8 грн
3000+ 7.45 грн
9000+ 7.03 грн
24000+ 6.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN327NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 69978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.78 грн
500+ 10.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN327NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
на замовлення 27615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.69 грн
13+ 24.1 грн
100+ 15.4 грн
500+ 10.92 грн
1000+ 9.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN327N
Код товару: 176408
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
FDN327NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.06 грн
18+ 15.57 грн
25+ 13.57 грн
85+ 12.24 грн
233+ 11.62 грн
500+ 11.09 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.34 грн
9000+ 8.68 грн
24000+ 8.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 44
FDN327NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+16.72 грн
30+ 12.49 грн
33+ 11.31 грн
85+ 10.2 грн
233+ 9.68 грн
500+ 9.24 грн
Мінімальне замовлення: 24
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 9000
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN327NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 44008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.97 грн
37+ 21.89 грн
100+ 12.34 грн
500+ 11.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDN327NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.21 грн
6000+ 8.09 грн
9000+ 7.69 грн
15000+ 6.8 грн
21000+ 6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN327NFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10; Qg, нКл = 6,3; Rds = 70 мОм; Ugs(th) = 1,5 В; Р, Вт = 0,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; SSOT-3
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
75+8.35 грн
81+ 7.78 грн
100+ 7.22 грн
Мінімальне замовлення: 75
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN327N-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN327N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.48 грн
1000+ 2.33 грн
3000+ 2.17 грн
6000+ 2 грн
15000+ 1.94 грн
30000+ 1.86 грн
75000+ 1.72 грн
150000+ 1.54 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDN327N/327FAIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN331NFAirchild
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN332-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN332P-NLFAIRCHTL2007
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN335FAITCHILD04+ SOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN335KEXIN09+
на замовлення 300018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN335Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
на замовлення 103988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.25 грн
11+ 30.12 грн
100+ 17.53 грн
500+ 13.63 грн
1000+ 11.57 грн
3000+ 9.16 грн
9000+ 8.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.91 грн
9000+ 10.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.84 грн
9000+ 9.64 грн
24000+ 9.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
9000+ 8.95 грн
24000+ 8.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN335NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
на замовлення 53694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.55 грн
13+ 22.77 грн
100+ 15.44 грн
500+ 11.34 грн
1000+ 10.3 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN335NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.7A; 500mW; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.35 грн
50+ 24.23 грн
72+ 14.49 грн
197+ 13.7 грн
1000+ 13.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.31 грн
9000+ 9.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+30.44 грн
25+ 25.02 грн
100+ 17.18 грн
500+ 13.28 грн
1000+ 9.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDN335NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.7A; 500mW; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+29.46 грн
50+ 19.44 грн
72+ 12.07 грн
197+ 11.41 грн
1000+ 11.02 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.43 грн
9000+ 13.19 грн
18000+ 12.27 грн
27000+ 11.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.12 грн
6000+ 13.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN335NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
на замовлення 53260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.9 грн
6000+ 8.81 грн
9000+ 8.43 грн
15000+ 7.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.7 грн
12000+ 13.44 грн
24000+ 12.5 грн
36000+ 11.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+33.09 грн
22+ 27.98 грн
100+ 19.48 грн
500+ 14.72 грн
1000+ 11.08 грн
3000+ 8.96 грн
Мінімальне замовлення: 19
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 38
FDN335NON-SemicoductorN-MOSFET 1.7A 20V 0.5W 0.07Ω FDN335N TFDN335n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.69 грн
9000+ 8.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+24.93 грн
638+ 19.09 грн
683+ 17.84 грн
803+ 14.62 грн
1000+ 11.05 грн
3000+ 9.38 грн
Мінімальне замовлення: 489
FDN335N-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN335N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 1.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.54 грн
3000+ 3.11 грн
6000+ 3 грн
15000+ 2.72 грн
30000+ 2.63 грн
75000+ 2.39 грн
150000+ 2.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
FDN335N_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
FDN336-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN336PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 31699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.85 грн
13+ 23.58 грн
100+ 16.03 грн
500+ 11.76 грн
1000+ 10.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN336P
Код товару: 135239
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
FDN336Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.12 грн
12+ 27.67 грн
100+ 16.68 грн
500+ 13.06 грн
1000+ 10.86 грн
3000+ 9.3 грн
45000+ 8.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN336PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.71 грн
500+ 13.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN336PON-SemicoductorP-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122Ω FDN336P TFDN336p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDN336PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.26 грн
6000+ 9.12 грн
9000+ 8.73 грн
15000+ 7.78 грн
21000+ 7.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN336PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.46 грн
27+ 30.25 грн
100+ 18.71 грн
500+ 13.6 грн
Мінімальне замовлення: 22
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN336PONSEMIFDN336P SMD P channel transistors
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.05 грн
71+ 14.64 грн
195+ 13.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.12 грн
6000+ 9.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDN336PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN336P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.4 грн
6000+ 8.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN336P-NLFAIRCHILDSOT-23 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN336P-NLON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SuperSOT T/R
товару немає в наявності
FDN336P-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN336P-NLonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDN336P-NLFAIRCHILDSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN336P-NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN336P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -1.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.51 грн
1000+ 2.36 грн
3000+ 2.2 грн
6000+ 2.03 грн
15000+ 1.97 грн
30000+ 1.89 грн
75000+ 1.74 грн
150000+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDN336P/336FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN336P_NLFAIRCHILDSOT23
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN336P_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN337FAI09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN337FAIRCHILDSOT23-337
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN337 SOT23-337FAIRCHILD
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN337NUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
FDN337NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.89 грн
50+ 32.4 грн
100+ 24.92 грн
500+ 14.71 грн
1500+ 13.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.62 грн
6000+ 17.06 грн
9000+ 15.1 грн
12000+ 14.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1029000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.91 грн
9000+ 8.08 грн
24000+ 7.99 грн
45000+ 7.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
359+33.91 грн
496+ 24.55 грн
626+ 18.76 грн
1000+ 13.91 грн
3000+ 11.47 грн
Мінімальне замовлення: 359
FDN337NFairchildN-MOSFET 30V 2.2A FDN337N TFDN337n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 343 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN337NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 185698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.81 грн
10+ 33.71 грн
100+ 21.85 грн
500+ 15.69 грн
1000+ 14.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDN337NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.054 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.14 грн
9000+ 12.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1029000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.83 грн
9000+ 8.7 грн
24000+ 8.61 грн
45000+ 7.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN337NUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
FDN337NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.92 грн
500+ 14.71 грн
1500+ 13.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN337N
Код товару: 118654
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
FDN337NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+43.95 грн
50+ 16.95 грн
100+ 14.11 грн
139+ 7.54 грн
381+ 7.1 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN337NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.46 грн
6000+ 11.9 грн
9000+ 11.35 грн
15000+ 10.08 грн
21000+ 9.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN337Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 73213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.52 грн
10+ 35.91 грн
100+ 21.72 грн
500+ 16.61 грн
1000+ 13.77 грн
3000+ 11.78 грн
9000+ 10.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40.69 грн
18+ 34.11 грн
25+ 31.49 грн
100+ 21.99 грн
250+ 20.36 грн
500+ 15.49 грн
1000+ 12.4 грн
3000+ 10.65 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.28 грн
33000+ 8.48 грн
66000+ 7.89 грн
99000+ 7.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN337NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+36.62 грн
50+ 13.6 грн
100+ 11.75 грн
139+ 6.28 грн
381+ 5.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDN337N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDN337N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.67 грн
10+ 30.31 грн
25+ 25.22 грн
100+ 18.32 грн
250+ 15.68 грн
500+ 14.05 грн
1000+ 12.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN337N-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDN337N-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN337N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 2.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.41 грн
1000+ 2.27 грн
3000+ 2.12 грн
6000+ 1.95 грн
15000+ 1.89 грн
30000+ 1.81 грн
75000+ 1.67 грн
150000+ 1.5 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDN337N3DBBAFAI9918+
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN337NNLFAIRCHILD
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN337N_NLFAIRCHILD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN337N_Qonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
товару немає в наявності
FDN338KEXIN09+
на замовлення 300018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN338??SOT-23
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN338FAIRCHILDSOT-23
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN338FAI09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN338-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN338Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 121831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.37 грн
13+ 27.02 грн
100+ 16.39 грн
500+ 12.77 грн
1000+ 10.36 грн
3000+ 8.8 грн
9000+ 8.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1234+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 1234
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN338PHUASHUOTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2191 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 300
FDN338PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
на замовлення 58974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.17 грн
13+ 23.66 грн
100+ 16.43 грн
500+ 12.04 грн
1000+ 9.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDN338PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 23671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.25 грн
50+ 24.6 грн
100+ 18.87 грн
500+ 11.09 грн
1500+ 10.03 грн
Мінімальне замовлення: 27
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+28.99 грн
25+ 24.38 грн
100+ 17.08 грн
500+ 12.54 грн
1000+ 9.41 грн
Мінімальне замовлення: 21
FDN338PJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 370 шт
на замовлення 740 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
370+2 грн
Мінімальне замовлення: 370
FDN338PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.01 грн
25+ 24.23 грн
64+ 16.19 грн
176+ 15.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN338PUMWDescription: 20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDN338PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.87 грн
500+ 11.09 грн
1500+ 10.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 6000
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.02 грн
6000+ 12.44 грн
9000+ 12.11 грн
12000+ 11.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN338PHUASHUOTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 809 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 300
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+20.96 грн
37+ 16.68 грн
100+ 15.93 грн
250+ 14.6 грн
500+ 11.81 грн
1000+ 7.85 грн
Мінімальне замовлення: 29
FDN338PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+28.34 грн
25+ 19.44 грн
64+ 13.49 грн
176+ 12.76 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDN338PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.68 грн
6000+ 8.84 грн
9000+ 8.21 грн
30000+ 7.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.66 грн
9000+ 9.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 35
FDN338PJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 260 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
260+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 260
FDN338PUMWDescription: 20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDN338PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.088 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.87 грн
9000+ 9.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.93 грн
9000+ 8.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN338PMSKSEMITransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23 MSKSEMI TFDN338p MSK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN338PON-SemicoductorP-Channel 20V 1.6A (Ta) 500mW (Ta) FDN338P TFDN338p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN338P SOT23-338FAIRCHILD
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN338P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDN338P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN338P-NLFAIRCHIL09+ TSSOP20
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN338P-NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN338P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -1.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.41 грн
1000+ 2.27 грн
3000+ 2.12 грн
6000+ 1.95 грн
15000+ 1.89 грн
30000+ 1.81 грн
75000+ 1.67 грн
150000+ 1.5 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDN338P/338FAIRCHIL09+
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN338P/338FAIRCHILD
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN338PSOT23-338FAIRCHLD
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN338P\338FAIRCHILSOT-23
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN338P_GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDN338P_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 326730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN338P_NLFairchild
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN338P_Qonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
товару немає в наявності
FDN339FAI4 SOT-23
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN339FAI09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN339ANONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+43.28 грн
25+ 24.87 грн
57+ 18.28 грн
156+ 17.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+34.38 грн
21+ 29.85 грн
25+ 27.55 грн
100+ 20.12 грн
250+ 17.36 грн
500+ 13.63 грн
1000+ 8.91 грн
Мінімальне замовлення: 18
FDN339ANONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+36.07 грн
25+ 19.96 грн
57+ 15.23 грн
156+ 14.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDN339ANonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 20V
на замовлення 22781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.18 грн
11+ 30.85 грн
100+ 18.67 грн
500+ 14.62 грн
1000+ 11.85 грн
3000+ 10.01 грн
9000+ 9.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN339ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
на замовлення 40700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.93 грн
6000+ 9.73 грн
9000+ 9.32 грн
15000+ 8.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
411+29.67 грн
543+ 22.43 грн
582+ 20.94 грн
711+ 16.51 грн
1087+ 10 грн
Мінімальне замовлення: 411
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.31 грн
6000+ 11.2 грн
9000+ 10.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN339ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 66011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.81 грн
500+ 15.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN339ANON-SemicoductorN-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035Ω FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) TFDN339an
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN339ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
на замовлення 40899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.39 грн
12+ 24.91 грн
100+ 16.96 грн
500+ 12.48 грн
1000+ 11.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.56 грн
6000+ 10.46 грн
9000+ 9.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN339ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 66011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.48 грн
23+ 34.95 грн
100+ 21.81 грн
500+ 15.82 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDN339AN-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN339AN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.51 грн
1000+ 2.36 грн
3000+ 2.2 грн
6000+ 2.03 грн
15000+ 1.97 грн
30000+ 1.89 грн
75000+ 1.74 грн
150000+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDN339AN_GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDN3400ON SemiconductorSSOT-3. SINGLE. 2.5V. NCH
товару немає в наявності
FDN3401Fairchild SemiconductorDescription: FDN3401
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
FDN3401FAIRCHILD
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN3401/3401FAIRCHIL09+
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN340PUMWDescription: SOT-23 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.96 грн
19+ 15.82 грн
21+ 14.64 грн
25+ 12.52 грн
50+ 11.61 грн
100+ 10.8 грн
500+ 8.95 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.06 грн
9000+ 7.94 грн
24000+ 7.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+26.4 грн
31+ 19.49 грн
42+ 14.42 грн
100+ 12.12 грн
250+ 11.09 грн
500+ 9.22 грн
1000+ 7.87 грн
3000+ 7.58 грн
6000+ 7.29 грн
Мінімальне замовлення: 23
FDN340PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.92 грн
9000+ 8.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN340PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.62 грн
6000+ 7.64 грн
9000+ 7.3 грн
15000+ 6.49 грн
21000+ 6.28 грн
30000+ 6.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN340P
Код товару: 191356
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.08 грн
9000+ 7.08 грн
24000+ 6.98 грн
45000+ 6.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN340PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 131078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.09 грн
500+ 9.68 грн
1500+ 8.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 351000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN340PUMWDescription: SOT-23 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.76 грн
9000+ 7.67 грн
24000+ 7.57 грн
45000+ 7.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN340PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+36.3 грн
11+ 25.8 грн
25+ 18.98 грн
95+ 10.91 грн
259+ 10.29 грн
3000+ 10.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.92 грн
6000+ 9.59 грн
9000+ 9.45 грн
12000+ 8.97 грн
27000+ 8.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.42 грн
9000+ 7.38 грн
24000+ 7.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN340PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.25 грн
18+ 20.7 грн
25+ 15.82 грн
95+ 9.09 грн
259+ 8.58 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDN340PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 131078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.59 грн
50+ 20.38 грн
100+ 14.09 грн
500+ 9.68 грн
1500+ 8.73 грн
Мінімальне замовлення: 30
FDN340Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 83220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.87 грн
16+ 20.81 грн
100+ 10.36 грн
1000+ 9.23 грн
3000+ 7.45 грн
9000+ 6.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN340PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
на замовлення 66354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.71 грн
15+ 20.11 грн
100+ 13.6 грн
500+ 9.94 грн
1000+ 9 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
784+15.53 грн
900+ 13.53 грн
910+ 13.38 грн
1052+ 11.17 грн
1232+ 8.82 грн
3000+ 8.16 грн
6000+ 7.85 грн
Мінімальне замовлення: 784
FDN340POn SemiconductorMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
FDN340P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDN340P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN340P-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET P-CH 20V 2A 3-PIN SUPERSOT T/R
товару немає в наявності
FDN340P-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN340P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.46 грн
1000+ 2.31 грн
3000+ 2.15 грн
6000+ 1.98 грн
15000+ 1.92 грн
30000+ 1.84 грн
75000+ 1.7 грн
150000+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDN340P/340FAIRCHIL09+
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN340P\340FAIRCHILSOT-23
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN340P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A
на замовлення 1760384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDN340P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDN340P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.16 грн
6000+ 15.37 грн
15000+ 14.97 грн
30000+ 13.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN342PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.01 грн
6000+ 14.27 грн
15000+ 13.9 грн
30000+ 12.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN342Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.13 грн
10+ 47.66 грн
100+ 30.94 грн
500+ 23.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.66 грн
9000+ 23.45 грн
18000+ 21.82 грн
27000+ 19.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN342PFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDN342PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.07 грн
500+ 19.66 грн
1000+ 12.49 грн
5000+ 11.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+13.79 грн
15000+ 13.46 грн
30000+ 13.04 грн
Мінімальне замовлення: 6000
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN342PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V
товару немає в наявності
FDN342PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.91 грн
19+ 43.15 грн
100+ 27.07 грн
500+ 19.66 грн
1000+ 12.49 грн
5000+ 11.94 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDN342P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
434+28.11 грн
631+ 19.3 грн
637+ 19.11 грн
807+ 14.56 грн
1094+ 9.94 грн
3000+ 9.54 грн
15000+ 9.53 грн
Мінімальне замовлення: 434
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+33.23 грн
23+ 26.36 грн
25+ 26.1 грн
100+ 17.28 грн
250+ 15.84 грн
500+ 12.02 грн
1000+ 8.86 грн
3000+ 8.85 грн
Мінімальне замовлення: 19
FDN352APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.52 грн
6000+ 9.36 грн
9000+ 8.96 грн
15000+ 7.98 грн
21000+ 7.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN352APONSEMIDescription: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 104043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.37 грн
50+ 25.48 грн
100+ 19.51 грн
500+ 11.61 грн
1500+ 10.51 грн
Мінімальне замовлення: 26
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+28.29 грн
32+ 19.06 грн
100+ 12.96 грн
500+ 9.77 грн
1000+ 7.02 грн
Мінімальне замовлення: 22
FDN352APFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 43628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2094+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 2094
FDN352APONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+29.46 грн
50+ 19.59 грн
84+ 10.35 грн
229+ 9.76 грн
1500+ 9.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 36
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11 грн
9000+ 9.89 грн
24000+ 9.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.22 грн
9000+ 9.18 грн
24000+ 8.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN352APUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 1.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
FDN352APONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3747 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.35 грн
50+ 24.41 грн
84+ 12.42 грн
229+ 11.71 грн
1500+ 11.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.26 грн
6000+ 12.02 грн
9000+ 11.84 грн
12000+ 11.25 грн
27000+ 10.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.34 грн
9000+ 9.3 грн
24000+ 9.01 грн
45000+ 8.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN352APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 83962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.85 грн
13+ 24.1 грн
100+ 16.4 грн
500+ 12.05 грн
1000+ 10.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN352APONSEMIDescription: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 104043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.51 грн
500+ 11.61 грн
1500+ 10.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.18 грн
9000+ 10.05 грн
24000+ 9.75 грн
45000+ 9.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN352APUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 1.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
FDN352APonsemi / FairchildMOSFETs SINGLE PCH TRENCH MOSFET
на замовлення 162697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.08 грн
13+ 26.2 грн
100+ 16.04 грн
500+ 12.56 грн
1000+ 10.43 грн
3000+ 8.94 грн
9000+ 8.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN352AP-NLFairchildSOT-23 0722+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN352AP-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -1.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.46 грн
1000+ 2.31 грн
3000+ 2.15 грн
6000+ 1.98 грн
15000+ 1.92 грн
30000+ 1.84 грн
75000+ 1.7 грн
150000+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDN357FAITCHILD04+ SOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 6000
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.78 грн
6000+ 10.65 грн
9000+ 10.54 грн
24000+ 9.78 грн
30000+ 8.97 грн
45000+ 8.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN357NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
на замовлення 14008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.69 грн
12+ 26.02 грн
100+ 17.74 грн
500+ 13.07 грн
1000+ 11.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN357NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.45 грн
25+ 30.77 грн
50+ 20.76 грн
137+ 19.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN357NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.053 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.34 грн
21+ 38.61 грн
100+ 25.88 грн
500+ 14.64 грн
3000+ 13.24 грн
Мінімальне замовлення: 18
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+31.06 грн
535+ 22.76 грн
566+ 21.54 грн
686+ 17.11 грн
1000+ 12.74 грн
3000+ 10.98 грн
Мінімальне замовлення: 392
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.94 грн
45000+ 19.14 грн
90000+ 17.81 грн
135000+ 16.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.3 грн
6000+ 11.6 грн
12000+ 11.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN357Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 12816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.63 грн
12+ 29.22 грн
100+ 17.39 грн
500+ 13.63 грн
1000+ 12.42 грн
3000+ 9.94 грн
9000+ 9.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN357NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.46 грн
6000+ 10.21 грн
9000+ 9.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.45 грн
6000+ 16 грн
9000+ 15.37 грн
12000+ 14.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+35.85 грн
20+ 30.76 грн
25+ 28.84 грн
100+ 20.38 грн
250+ 17.85 грн
500+ 14.12 грн
1000+ 11.36 грн
3000+ 10.2 грн
Мінімальне замовлення: 17
FDN357NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.9
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.45 грн
9000+ 15.13 грн
24000+ 14.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN357NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+31.21 грн
25+ 24.69 грн
50+ 17.3 грн
137+ 16.34 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.68 грн
6000+ 11.47 грн
9000+ 11.35 грн
24000+ 10.53 грн
30000+ 9.66 грн
45000+ 9.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.35 грн
6000+ 11.64 грн
12000+ 11.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN357N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN357N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 1.9A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
FDN357N_NLFAIRCHILD0448
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN357N_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 30V
товару немає в наявності
FDN358PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
на замовлення 12208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.69 грн
12+ 26.24 грн
100+ 17.84 грн
500+ 13.13 грн
1000+ 11.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN358PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5563 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.17 грн
50+ 27.18 грн
67+ 15.61 грн
183+ 14.73 грн
1000+ 14.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN358PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 86434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.45 грн
500+ 13.23 грн
1500+ 11.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN358PUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN358PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.51 грн
6000+ 10.25 грн
9000+ 9.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+30.5 грн
575+ 21.17 грн
581+ 20.96 грн
730+ 16.09 грн
1000+ 11.02 грн
Мінімальне замовлення: 400
FDN358PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 86434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.99 грн
50+ 29.22 грн
100+ 22.45 грн
500+ 13.23 грн
1500+ 11.94 грн
Мінімальне замовлення: 23
FDN358PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.64 грн
50+ 21.81 грн
67+ 13.01 грн
183+ 12.27 грн
1000+ 11.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+34.78 грн
22+ 28.61 грн
25+ 28.32 грн
100+ 18.96 грн
250+ 17.38 грн
500+ 13.28 грн
1000+ 9.82 грн
Мінімальне замовлення: 18
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN358PUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
FDN358PON-SemicoductorP-MOSFET 1.5A 30V 0.5W 0.125Ω FDN358P TFDN358p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN358Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
на замовлення 26387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.25 грн
12+ 29.46 грн
100+ 17.46 грн
500+ 13.7 грн
1000+ 12.14 грн
3000+ 9.94 грн
9000+ 9.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN358P
Код товару: 36466
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN358P(2DCEA)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN358P-NL
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN358P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -1.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.46 грн
1000+ 2.31 грн
3000+ 2.15 грн
6000+ 1.98 грн
15000+ 1.92 грн
30000+ 1.84 грн
75000+ 1.7 грн
150000+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDN358P_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
FDN359ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 69558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
13+ 24.1 грн
100+ 16.39 грн
500+ 12.06 грн
1000+ 10.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN359ANFairchildN-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω FDN359AN TFDN359an
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
60+10.7 грн
Мінімальне замовлення: 60
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+10.77 грн
9000+ 9.83 грн
Мінімальне замовлення: 6000
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+27.71 грн
26+ 23.42 грн
100+ 17.48 грн
250+ 15.88 грн
500+ 13.36 грн
1000+ 10.75 грн
3000+ 8.7 грн
Мінімальне замовлення: 22
FDN359ANONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+31.85 грн
21+ 17.67 грн
25+ 16.26 грн
70+ 12.42 грн
192+ 11.68 грн
3000+ 11.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.3 грн
6000+ 14.87 грн
9000+ 14.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN359ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 63035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.58 грн
500+ 12.79 грн
1500+ 11.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN359ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.56 грн
6000+ 9.4 грн
9000+ 9 грн
15000+ 8.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN359ANONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.22 грн
13+ 22.02 грн
25+ 19.52 грн
70+ 14.9 грн
192+ 14.02 грн
3000+ 13.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.03 грн
6000+ 11.02 грн
9000+ 9.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN359ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 63035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.44 грн
50+ 27.55 грн
100+ 21.58 грн
500+ 12.79 грн
1500+ 11.6 грн
Мінімальне замовлення: 24
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
483+25.22 грн
624+ 19.52 грн
636+ 19.15 грн
725+ 16.19 грн
1000+ 12.06 грн
3000+ 9.37 грн
Мінімальне замовлення: 483
FDN359ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359AN - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 159781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN359ANonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 6927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.08 грн
11+ 31.59 грн
100+ 18.81 грн
500+ 14.48 грн
1000+ 12.42 грн
3000+ 10.01 грн
9000+ 9.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN359AN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 2.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.41 грн
1000+ 2.27 грн
3000+ 2.12 грн
6000+ 1.95 грн
15000+ 1.89 грн
30000+ 1.81 грн
75000+ 1.67 грн
150000+ 1.5 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDN359AN/359AFAIRCHIL09+
на замовлення 243018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN359AN/F40
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN359AN\359AFAIRCHILSOT-23
на замовлення 243100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN359AN_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1057+11.52 грн
1092+ 11.15 грн
2500+ 10.82 грн
5000+ 10.15 грн
Мінімальне замовлення: 1057
FDN359BNONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.47 грн
225000+ 7.74 грн
450000+ 7.21 грн
675000+ 6.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN359BNONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 27129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.86 грн
500+ 12.27 грн
1500+ 11.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN359BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.61 грн
6000+ 10.24 грн
9000+ 9.76 грн
15000+ 8.65 грн
21000+ 8.35 грн
30000+ 8.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+27.08 грн
616+ 19.77 грн
622+ 19.6 грн
780+ 15.06 грн
1000+ 11.47 грн
3000+ 9.04 грн
Мінімальне замовлення: 450
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+28.89 грн
24+ 25.35 грн
25+ 25.14 грн
100+ 17.7 грн
250+ 16.25 грн
500+ 12.43 грн
1000+ 10.22 грн
3000+ 8.4 грн
Мінімальне замовлення: 21
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.12 грн
6000+ 14.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.23 грн
9000+ 9.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN359BNONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 27129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.44 грн
50+ 27.15 грн
100+ 20.86 грн
500+ 12.27 грн
1500+ 11.12 грн
Мінімальне замовлення: 24
FDN359BNonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 62069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.82 грн
11+ 29.95 грн
100+ 18.17 грн
500+ 14.48 грн
1000+ 12.99 грн
3000+ 10.01 грн
9000+ 8.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
818+14.88 грн
849+ 14.35 грн
1000+ 13.88 грн
2500+ 12.99 грн
Мінімальне замовлення: 818
FDN359BNONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
FDN359BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 117305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.9 грн
10+ 29.65 грн
100+ 19.07 грн
500+ 13.63 грн
1000+ 12.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.05 грн
9000+ 10.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN359BN-F095ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
FDN359BN-F095ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
FDN359BN-NLFairchildSOT-23 0701+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN359BN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 2.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.41 грн
1000+ 2.27 грн
3000+ 2.12 грн
6000+ 1.95 грн
15000+ 1.89 грн
30000+ 1.81 грн
75000+ 1.67 грн
150000+ 1.5 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDN359BN_F095onsemi / FairchildMOSFET 30V NCh; PowerTrench AU Wire Parts
товару немає в наявності
FDN359N/359FAIR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN360
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN360PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.13 грн
10+ 31.51 грн
50+ 21.29 грн
78+ 13.31 грн
214+ 12.58 грн
1000+ 12.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN360PUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+36.66 грн
25+ 24.66 грн
100+ 13.06 грн
1000+ 11.03 грн
Мінімальне замовлення: 17
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN360PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 177479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.96 грн
500+ 10.79 грн
1500+ 9.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN360PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+33.44 грн
15+ 25.28 грн
50+ 17.74 грн
78+ 11.09 грн
214+ 10.48 грн
1000+ 10.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.95 грн
6000+ 10.71 грн
9000+ 10.55 грн
12000+ 10.02 грн
27000+ 9.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN360POn Semiconductor/FairchildSOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
FDN360P
Код товару: 75653
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
FDN360PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 40662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.78 грн
14+ 21.81 грн
100+ 14.81 грн
500+ 10.85 грн
1000+ 9.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.95 грн
9000+ 9.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN360PON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN360P TFDN360P
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN360PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 177479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.23 грн
50+ 25.64 грн
100+ 16.96 грн
500+ 10.79 грн
1500+ 9.76 грн
Мінімальне замовлення: 24
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN360Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
на замовлення 138497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.88 грн
11+ 30.04 грн
100+ 12.77 грн
1000+ 10.57 грн
3000+ 8.73 грн
9000+ 7.66 грн
24000+ 7.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN360PUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN360PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 40580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.44 грн
6000+ 8.38 грн
9000+ 8.01 грн
15000+ 7.13 грн
21000+ 6.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.14 грн
9000+ 8.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN360P-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET P-CH 30V 2A 3-PIN SUPERSOT T/R
товару немає в наявності
FDN360P-NBGT003BonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
товару немає в наявності
FDN360P-NLFAIRCHILD09+ QFP
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN360P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.46 грн
1000+ 2.31 грн
3000+ 2.15 грн
6000+ 1.98 грн
15000+ 1.92 грн
30000+ 1.84 грн
75000+ 1.7 грн
150000+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDN360P/360FAIRCHIL09+
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN360PSOT23-360PB-FREEFAIRCHILD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN360P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDN360P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A
товару немає в наявності
FDN360P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDN361ANFAIRCHILDSOT23
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN361ANonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 30V
товару немає в наявності
FDN361ANFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3
товару немає в наявності
FDN361ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SuperSOT T/R
товару немає в наявності
FDN361ANFAIRCHILD09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN361ANFAIRCHILDSOT23-361 PB-FRE
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN361ANFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3
товару немає в наявності
FDN361ANFAISOT-23
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN361AN-NLFAIRCHILDSOT23 11+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN361AN-NLFAIRCHILDSOT23-361 PB-FRE
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN361AN-NLSOT23-361PB-FREEFAIRCHLD
на замовлення 173821 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN361AN/361FAIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN361AN_NLFAIRCHILDSOT23
на замовлення 363000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN361AN_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN361BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193 pF @ 15 V
товару немає в наявності
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+11.72 грн
53+ 11.39 грн
54+ 11.26 грн
Мінімальне замовлення: 52
FDN361BNonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN361BN-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN361P/361FAIR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN363NFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 48344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1664+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 1664
FDN363N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN371NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SuperSOT T/R
товару немає в наявності
FDN371NON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDN371N
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN371NFairchild SemiconductorDescription: 2.5A, 20V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL,
товару немає в наявності
FDN371N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN372SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
на замовлення 105742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1902+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 1902
FDN372SSAMSOT 08+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN372SFSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN372SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
товару немає в наявності
FDN372S-NLFAIRCHIL09+ SSOP16
на замовлення 847 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN372S-NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN377NFSC
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN5330SXFAIRCHILDSOT-153
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN537NONSEMIFDN537N SMD N channel transistors
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.65 грн
40+ 26.08 грн
110+ 24.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDN537NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 4993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.9 грн
10+ 42.51 грн
100+ 32.6 грн
500+ 24.19 грн
1000+ 19.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN537Nonsemi / FairchildMOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 421-430 дні (днів)
7+50.67 грн
10+ 44.32 грн
100+ 29.52 грн
500+ 23.35 грн
1000+ 18.67 грн
3000+ 16.96 грн
6000+ 16.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN537NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN537NON Semiconductor
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN537NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.23 грн
500+ 25.06 грн
1000+ 18.56 грн
3000+ 16.79 грн
6000+ 15.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN537NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN537NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN537NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN537NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.28 грн
17+ 49.12 грн
100+ 34.23 грн
500+ 25.06 грн
1000+ 18.56 грн
3000+ 16.79 грн
6000+ 15.97 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDN5618PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 277411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+30.81 грн
50+ 25 грн
100+ 19.11 грн
500+ 11.31 грн
1500+ 10.24 грн
Мінімальне замовлення: 26
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.88 грн
9000+ 8.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN5618PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.46 грн
9000+ 10.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN5618PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.83 грн
11+ 27.65 грн
100+ 17.79 грн
500+ 12.68 грн
1000+ 11.1 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.34 грн
9000+ 8.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.98 грн
6000+ 11.73 грн
9000+ 11.46 грн
12000+ 10.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.05 грн
9000+ 8.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN5618PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 279466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.11 грн
500+ 11.31 грн
1500+ 10.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN5618PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.32 грн
6000+ 9.48 грн
9000+ 9.02 грн
15000+ 7.99 грн
21000+ 7.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN5618Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH 60V
на замовлення 40190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.37 грн
13+ 26.93 грн
100+ 16.32 грн
500+ 12.7 грн
1000+ 10.36 грн
3000+ 8.73 грн
9000+ 8.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN5618P 618.ON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P TFDN5618p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN5618P 618.ON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P TFDN5618p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN5618P-B8onsemiDescription: FET -60V 1.7 MOHM SSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
товару немає в наявності
FDN5618P-NLON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SuperSOT T/R
товару немає в наявності
FDN5618P-NLFAIRCHILD
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN5618P-SB4N007ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A
товару немає в наявності
FDN5618P_GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
товару немає в наявності
FDN5630ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 29973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.39 грн
500+ 12.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN5630onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 20750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.3 грн
6000+ 7.35 грн
9000+ 7.03 грн
15000+ 6.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 66
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN5630onsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 60V
на замовлення 6236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.69 грн
13+ 26.69 грн
100+ 12.7 грн
1000+ 8.8 грн
3000+ 7.74 грн
9000+ 6.96 грн
24000+ 6.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN5630ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.18Ω
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Drain current: 1.7A
Drain-source voltage: 60V
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+36.3 грн
11+ 27.36 грн
84+ 12.42 грн
229+ 11.8 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN5630ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.073 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.16 грн
9000+ 9 грн
24000+ 8.76 грн
45000+ 7.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 249000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.76 грн
6000+ 7.04 грн
12000+ 6.87 грн
18000+ 6.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN5630onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 20775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.94 грн
16+ 19.37 грн
100+ 13.1 грн
500+ 9.57 грн
1000+ 8.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 249000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.17 грн
6000+ 6.56 грн
12000+ 6.41 грн
18000+ 6.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN5630ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 152196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.73 грн
27+ 30.41 грн
100+ 14.81 грн
500+ 13.46 грн
Мінімальне замовлення: 21
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.18 грн
6000+ 11.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN5630ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.18Ω
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Drain current: 1.7A
Drain-source voltage: 60V
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.25 грн
17+ 21.96 грн
84+ 10.35 грн
229+ 9.83 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDN5630-B8onsemiDescription: FET 60V 1.0 MOHM SSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
товару немає в наявності
FDN5630-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-PIN SUPERSOT
товару немає в наявності
FDN5630-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
товару немає в наявності
FDN5630-NL
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN5630_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDN5630_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A
товару немає в наявності
FDN5630_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDN5632N-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.48 грн
6000+ 15.95 грн
9000+ 14.77 грн
30000+ 13.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN5632N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN5632N-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 1.1W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 1.1W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+42.2 грн
11+ 34.01 грн
41+ 21 грн
113+ 19.89 грн
500+ 19.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN5632N-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 1.1W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 1.1W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+50.64 грн
10+ 42.38 грн
41+ 25.19 грн
113+ 23.86 грн
500+ 22.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDN5632N-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5632N-F085 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
FDN5632N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN5632N-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 41621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.06 грн
10+ 38.37 грн
100+ 26.58 грн
500+ 20.85 грн
1000+ 17.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN5632N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN5632N-F085onsemi / FairchildMOSFETs Trans MOS N-Ch 60V 1.7A
на замовлення 471814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.27 грн
10+ 42.28 грн
100+ 25.41 грн
500+ 21.22 грн
1000+ 18.1 грн
3000+ 15.54 грн
6000+ 15.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN5632N_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
на замовлення 393000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDN5632N_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
на замовлення 13848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDN5632N_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
на замовлення 4294967295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDN6301NFAIRCHILDSOT-163
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN8601onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.03 грн
6000+ 24.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN8601ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN8601 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0854ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.34 грн
15+ 56.29 грн
100+ 42.2 грн
500+ 28.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+75.8 грн
242+ 50.46 грн
244+ 49.96 грн
264+ 44.56 грн
500+ 37.92 грн
1000+ 33.2 грн
Мінімальне замовлення: 161
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN8601onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 50374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.67 грн
10+ 52.56 грн
100+ 37.47 грн
500+ 32.58 грн
1000+ 27.68 грн
3000+ 26.33 грн
6000+ 25.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+82.36 грн
10+ 70.38 грн
25+ 46.85 грн
100+ 44.73 грн
250+ 38.31 грн
500+ 33.8 грн
1000+ 30.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN8601onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 27169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.11 грн
10+ 46.5 грн
100+ 38.19 грн
500+ 30.55 грн
1000+ 27.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDN8601ONSEMIFDN8601 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN86246onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 35613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.34 грн
10+ 86.51 грн
100+ 51.53 грн
500+ 39.96 грн
1000+ 37.05 грн
3000+ 33.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDN86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN86246ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN86246 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.6 A, 0.195 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.07 грн
10+ 83.6 грн
100+ 60.91 грн
500+ 39.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+59.65 грн
12+ 51.52 грн
25+ 51.19 грн
100+ 37.34 грн
250+ 33.98 грн
500+ 28 грн
1000+ 22.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDN86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V
на замовлення 5804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.57 грн
10+ 65.43 грн
100+ 45.98 грн
500+ 34.98 грн
1000+ 32.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDN86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
на замовлення 12806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.17 грн
10+ 56.85 грн
100+ 44.25 грн
500+ 35.2 грн
1000+ 28.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDN86265PONSEMIFDN86265P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
FDN86265PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 800
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
FDN86265PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDN86265PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.87 грн
6000+ 27.39 грн
9000+ 26.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN86265Ponsemi / FairchildMOSFET PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.07 грн
10+ 63.09 грн
100+ 43.01 грн
500+ 37.26 грн
1000+ 30.3 грн
3000+ 28.18 грн
6000+ 26.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDN86265PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 800
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
FDN86265PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN86501LZonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET60 V, 2.6 A, 116 mO
на замовлення 42401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.76 грн
10+ 103.65 грн
100+ 70.62 грн
250+ 69.98 грн
500+ 61.39 грн
1000+ 58.91 грн
3000+ 57.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDN86501LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V
на замовлення 64520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.54 грн
10+ 100.47 грн
100+ 71.9 грн
500+ 55.6 грн
1000+ 51.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDN86501LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN86501LZON Semiconductor
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDNA3763HellermannTytonElectrical Enclosure Accessories Wall Mounting Bracket for FDN, 1/pkg
товару немає в наявності
FDNC1602A-NLAFBW-51LRFordata
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
FDNIRABBAXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 16P AB-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
FDNIRABBCXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 59 port AB-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
FDNIRBXBAWXHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 16 Port Cover-B Basket with 24 SE trays (288 fibers), PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
FDNIRBXBAXNHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 16 Port Cover-B Basket with 48 SC-B trays (576 fibers), PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
FDNIRBXBAXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 16P B-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
FDNIRCXBCWXHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 59 Port Cover-C Basket with 36 SE trays (432 fibers), PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
FDNIRCXBCXNHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 59 Port Cover-C Basket with 72 SC-B trays (864 fibers), PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
FDNIRCXBCXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 59 port C-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
FDNM008.0010PNEUMATFDNM008.0010 Actuators
товару немає в наявності
FDNM008.0025PNEUMATFDNM008.0025 Actuators
товару немає в наявності
FDNM008.0050PNEUMATFDNM008.0050 Actuators
товару немає в наявності
FDNM010.0010PNEUMATFDNM010.0010 Actuators
товару немає в наявності
FDNM010.0025PNEUMATFDNM010.0025 Actuators
товару немає в наявності
FDNM010.0050PNEUMATFDNM010.0050 Actuators
товару немає в наявності
FDNM012.0010PNEUMATFDNM012.0010 Actuators
товару немає в наявності
FDNM012.0025PNEUMATFDNM012.0025 Actuators
товару немає в наявності
FDNM012.0050PNEUMATFDNM012.0050 Actuators
товару немає в наявності
FDNM012.0080PNEUMATFDNM012.0080 Actuators
товару немає в наявності
FDNM012.0100PNEUMATFDNM012.0100 Actuators
товару немає в наявності
FDNM012.0125PNEUMATFDNM012.0125 Actuators
товару немає в наявності
FDNM012.0160PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 12mm; Piston stroke: 160mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 12mm
Piston stroke: 160mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Application: compressed air
Tube material: stainless steel
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
товару немає в наявності
FDNM012.0160PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 12mm; Piston stroke: 160mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 12mm
Piston stroke: 160mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Application: compressed air
Tube material: stainless steel
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FDNM012.0200PNEUMATFDNM012.0200 Actuators
товару немає в наявності
FDNM016.0010PNEUMATFDNM016.0010 Actuators
товару немає в наявності
FDNM016.0025PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 16mm; Piston stroke: 25mm; 1÷10bar
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Application: compressed air
Seal material: NBR caoutchouc
Type of pneumatic module: round cylinder
Manufacturer series: Flowmatik
Operating pressure: 1...10bar
Tube material: stainless steel
Piston stroke: 25mm
Piston diameter: 16mm
Body material: aluminium
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1465.56 грн
3+ 1336.75 грн
10+ 1269.5 грн
FDNM016.0025PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 16mm; Piston stroke: 25mm; 1÷10bar
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Application: compressed air
Seal material: NBR caoutchouc
Type of pneumatic module: round cylinder
Manufacturer series: Flowmatik
Operating pressure: 1...10bar
Tube material: stainless steel
Piston stroke: 25mm
Piston diameter: 16mm
Body material: aluminium
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1221.3 грн
3+ 1072.7 грн
FDNM016.0050PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 16mm; Piston stroke: 50mm; 1÷10bar
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Application: compressed air
Seal material: NBR caoutchouc
Type of pneumatic module: round cylinder
Manufacturer series: Flowmatik
Operating pressure: 1...10bar
Tube material: stainless steel
Piston stroke: 50mm
Piston diameter: 16mm
Body material: aluminium
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1265.09 грн
3+ 1110.41 грн
FDNM016.0050PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 16mm; Piston stroke: 50mm; 1÷10bar
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Application: compressed air
Seal material: NBR caoutchouc
Type of pneumatic module: round cylinder
Manufacturer series: Flowmatik
Operating pressure: 1...10bar
Tube material: stainless steel
Piston stroke: 50mm
Piston diameter: 16mm
Body material: aluminium
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1518.11 грн
3+ 1383.74 грн
10+ 1314.75 грн
FDNM016.0080PNEUMATFDNM016.0080 Actuators
товару немає в наявності
FDNM016.0100PNEUMATFDNM016.0100 Actuators
товару немає в наявності
FDNM016.0125PNEUMATFDNM016.0125 Actuators
товару немає в наявності
FDNM016.0160PNEUMATFDNM016.0160 Actuators
товару немає в наявності
FDNM016.0200PNEUMATFDNM016.0200 Actuators
товару немає в наявності
FDNM020.0010PNEUMATFDNM020.0010 Actuators
товару немає в наявності
FDNM020.0025PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 25mm; 1÷10bar
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Application: compressed air
Seal material: NBR caoutchouc
Type of pneumatic module: round cylinder
Manufacturer series: Flowmatik
Operating pressure: 1...10bar
Tube material: stainless steel
Piston stroke: 25mm
Piston diameter: 20mm
Body material: aluminium
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1749.31 грн
2+ 1594.71 грн
10+ 1514.35 грн
FDNM020.0025PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 25mm; 1÷10bar
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Application: compressed air
Seal material: NBR caoutchouc
Type of pneumatic module: round cylinder
Manufacturer series: Flowmatik
Operating pressure: 1...10bar
Tube material: stainless steel
Piston stroke: 25mm
Piston diameter: 20mm
Body material: aluminium
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1457.76 грн
2+ 1279.7 грн
FDNM020.0050PNEUMATFDNM020.0050 Actuators
товару немає в наявності
FDNM020.0080PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 80mm; 1÷10bar
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Application: compressed air
Seal material: NBR caoutchouc
Type of pneumatic module: round cylinder
Manufacturer series: Flowmatik
Operating pressure: 1...10bar
Tube material: stainless steel
Piston stroke: 80mm
Piston diameter: 20mm
Body material: aluminium
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1912.68 грн
2+ 1743.95 грн
10+ 1656.3 грн
FDNM020.0080PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 80mm; 1÷10bar
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Application: compressed air
Seal material: NBR caoutchouc
Type of pneumatic module: round cylinder
Manufacturer series: Flowmatik
Operating pressure: 1...10bar
Tube material: stainless steel
Piston stroke: 80mm
Piston diameter: 20mm
Body material: aluminium
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1593.9 грн
2+ 1399.47 грн
FDNM020.0100PNEUMATFDNM020.0100 Actuators
товару немає в наявності
FDNM020.0125PNEUMATFDNM020.0125 Actuators
товару немає в наявності
FDNM020.0160PNEUMATFDNM020.0160 Actuators
товару немає в наявності
FDNM020.0200PNEUMATFDNM020.0200 Actuators
товару немає в наявності
FDNM025.0010PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 10mm; 1÷10bar
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Application: compressed air
Seal material: NBR caoutchouc
Type of pneumatic module: round cylinder
Manufacturer series: Flowmatik
Operating pressure: 1...10bar
Tube material: stainless steel
Piston stroke: 10mm
Piston diameter: 25mm
Body material: aluminium
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1548.52 грн
2+ 1359.55 грн
FDNM025.0010PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 10mm; 1÷10bar
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Application: compressed air
Seal material: NBR caoutchouc
Type of pneumatic module: round cylinder
Manufacturer series: Flowmatik
Operating pressure: 1...10bar
Tube material: stainless steel
Piston stroke: 10mm
Piston diameter: 25mm
Body material: aluminium
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1858.22 грн
2+ 1694.2 грн
10+ 1609.28 грн
FDNM025.0025PNEUMATFDNM025.0025 Actuators
товару немає в наявності
FDNM025.0050PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 50mm; 1÷10bar
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Application: compressed air
Seal material: NBR caoutchouc
Type of pneumatic module: round cylinder
Manufacturer series: Flowmatik
Operating pressure: 1...10bar
Tube material: stainless steel
Piston stroke: 50mm
Piston diameter: 25mm
Body material: aluminium
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2033.06 грн
2+ 1853.58 грн
10+ 1760.98 грн
FDNM025.0050PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 50mm; 1÷10bar
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Application: compressed air
Seal material: NBR caoutchouc
Type of pneumatic module: round cylinder
Manufacturer series: Flowmatik
Operating pressure: 1...10bar
Tube material: stainless steel
Piston stroke: 50mm
Piston diameter: 25mm
Body material: aluminium
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1694.22 грн
2+ 1487.44 грн
FDNM025.0080PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 80mm; 1÷10bar
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Application: compressed air
Seal material: NBR caoutchouc
Type of pneumatic module: round cylinder
Manufacturer series: Flowmatik
Operating pressure: 1...10bar
Tube material: stainless steel
Piston stroke: 80mm
Piston diameter: 25mm
Body material: aluminium
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1807.27 грн
FDNM025.0080PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 80mm; 1÷10bar
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Application: compressed air
Seal material: NBR caoutchouc
Type of pneumatic module: round cylinder
Manufacturer series: Flowmatik
Operating pressure: 1...10bar
Tube material: stainless steel
Piston stroke: 80mm
Piston diameter: 25mm
Body material: aluminium
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2168.72 грн
2+ 1977.03 грн
10+ 1878.08 грн
FDNM025.0100PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 100mm; 1÷10bar
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Application: compressed air
Seal material: NBR caoutchouc
Type of pneumatic module: round cylinder
Manufacturer series: Flowmatik
Operating pressure: 1...10bar
Tube material: stainless steel
Piston stroke: 100mm
Piston diameter: 25mm
Body material: aluminium
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2251.84 грн
2+ 2053.5 грн
10+ 1950.83 грн
FDNM025.0100PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 100mm; 1÷10bar
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Application: compressed air
Seal material: NBR caoutchouc
Type of pneumatic module: round cylinder
Manufacturer series: Flowmatik
Operating pressure: 1...10bar
Tube material: stainless steel
Piston stroke: 100mm
Piston diameter: 25mm
Body material: aluminium
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1876.53 грн
2+ 1647.87 грн
FDNM025.0120PNEUMATFDNM025.0120 Actuators
товару немає в наявності
FDNM025.0125PNEUMATFDNM025.0125 Actuators
товару немає в наявності
FDNM025.0160PNEUMATFDNM025.0160 Actuators
товару немає в наявності
FDNM025.0200PNEUMATFDNM025.0200 Actuators
товару немає в наявності
FDNYD1-250MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDNYD1-250 - Steckhülse, FDNYD, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 22 AWG, 16 AWG
tariffCode: 85369010
Isoliermaterial: Nylon (Polyamid)
rohsCompliant: YES
Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032"
usEccn: EAR99
Leiterstärke (AWG), max.: 16AWG
Leiterquerschnitt CSA: 1.5mm²
euEccn: NLR
Klemmentyp: Flachsteckhülse
Isolatorfarbe: Rot
Leiterstärke (AWG), min.: 22AWG
Produktpalette: FDNYD
productTraceability: No
Anschlussmaterial: Messing
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1234.83 грн
5+ 1028.63 грн
10+ 851.09 грн
FDNYD5-250MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDNYD5-250 - Steckhülse, FDNYD, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 12 AWG, 10 AWG
Isoliermaterial: Nylon (Polyamid)
Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm
Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032"
Leiterstärke (AWG), max.: 10
Leiterquerschnitt CSA: 6
Klemmentyp: Flachsteckhülse
Isolatorfarbe: Gelb
Leiterstärke (AWG), min.: 12
Produktpalette: FDNYD
Anschlussmaterial: Messing
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1445.82 грн
5+ 1204.58 грн
FDNYD5-250KS TerminalsTerminals Nylon, Double Crimp Female, 12-10 AWG, .032 x .250
товару немає в наявності