Продукція > DMT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMT-09-1-4B-NLRDI ElectronicsDMT-09-1-4B-NL
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1608+7.5 грн
Мінімальне замовлення: 1608
DMT-09-1-4B-NLRDI ElectronicsDMT-09-1-4B-NL
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+28.6 грн
86+ 6.96 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMT-1-02Adam TechnologiesCONNECTOR, WIRE HOUSING, 3.00MM
товар відсутній
DMT-1-02-GWAdam TechnologiesCONNECTOR, WIRE HOUSING, 3.00MM
товар відсутній
DMT-1-02-SGAdam Technologies3MM LATCHING HSG FEMALE 1*2P BK RoHS 1Kpcs,bag
товар відсутній
DMT-1-03Adam TechnologiesCONNECTOR, WIRE HOUSING, 3.00MM
товар відсутній
DMT-1-04Adam TechnologiesCONNECTOR, WIRE HOUSING, 3.00MM
товар відсутній
DMT-1-06Adam TechnologiesCONNECTOR, WIRE HOUSING, 3.00MM
товар відсутній
DMT-1-08Adam TechnologiesCONNECTOR, WIRE HOUSING, 3.00MM
товар відсутній
DMT-1206S-NLRDI ElectronicsAudio Alert
товар відсутній
DMT-1606S-NLRDI ElectronicsAudio 4V 7V 30mA 6V 85dB Through Hole Pin
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+78.12 грн
Мінімальне замовлення: 155
DMT-1606S-NLRDI ElectronicsAudio 4V 7V 30mA 6V 85dB Through Hole Pin
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+72.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMT-1612S-NLRDI ElectronicsAUDIO ALERT W/OSCILLATING CIRCUIT
товар відсутній
DMT-1A-02Adam TechDescription: CONN RECEPT 2POS SINGLE 3.0MM
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMT-1A-03Adam TechDescription: CONN RECEPT 3POS SINGLE 3.0MM
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMT-1A-04Adam TechDescription: CONN RECEPT 4POS SINGLE 3.0MM
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMT-1A-05Adam TechnologiesHousing F 5 POS 3mm Pitch Crimp Straight Cable Mount
товар відсутній
DMT-1A-05Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 5POS 3.00MM
Features: Glow Wire Compliant
Packaging: Bag
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 5
Pitch: 0.118" (3.00mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon
Number of Rows: 1
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.36 грн
49+ 6 грн
55+ 5.39 грн
59+ 4.66 грн
100+ 4.29 грн
250+ 3.86 грн
500+ 3.51 грн
1000+ 3.24 грн
2500+ 2.93 грн
Мінімальне замовлення: 37
DMT-2-10-R-P-PCBAdam TechnologiesDMT-2-10-R-P-PCB
товар відсутній
DMT-2A-04Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 4POS 3.00MM
Packaging: Bag
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Pitch: 0.118" (3.00mm)
Operating Temperature: -25°C ~ 120°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.118" (3.00mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
на замовлення 5459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.77 грн
18+ 16.33 грн
25+ 14.47 грн
50+ 12.68 грн
100+ 11.77 грн
250+ 10.42 грн
500+ 9.8 грн
1000+ 8.02 грн
3000+ 7.35 грн
Мінімальне замовлення: 16
DMT-2A-04Adam TechnologiesConnector Crimp Housing RCP 4Pos Dual 3.0mm
товар відсутній
DMT-2A-06Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 6POS 3.00MM
Packaging: Bag
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 6
Pitch: 0.118" (3.00mm)
Operating Temperature: -25°C ~ 120°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.118" (3.00mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
на замовлення 14051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.97 грн
25+ 11.71 грн
28+ 10.54 грн
50+ 9.12 грн
100+ 8.42 грн
250+ 7.59 грн
500+ 6.9 грн
1000+ 6.39 грн
2500+ 6.02 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMT-2A-08Adam TechDescription: CONN RECEPT 8POS DUAL 3.0MM
на замовлення 4859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMT-2A-10Adam TechDescription: CONN RECEPT 10POS DUAL 3.0MM
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMT-2A-10Adam TechnologiesConnector Crimp Housing RCP 10Pos Dual 3.0mm
товар відсутній
DMT-2A-12Adam TechDescription: CONN RECEPT 12POS DUAL 3.0MM
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMT-2A-12Adam TechnologiesConnector Crimp Housing RCP 12Pos Dual 3.0mm
товар відсутній
DMT-2A-14Adam TechDescription: CONN RECEPT 14POS DUAL 3.0MM
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMT-2A-14Adam TechnologiesConnector Crimp Housing RCP 14Pos Dual 3.0mm
товар відсутній
DMT-2A-16Adam TechDescription: CONN RECEPT 16POS DUAL 3.0MM
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMT-2A-16Adam TechnologiesConnector Crimp Housing RCP 16Pos Dual 3.0mm
товар відсутній
DMT-2A-24Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 24POS 3.00MM
Packaging: Bag
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 24
Pitch: 0.118" (3.00mm)
Operating Temperature: -25°C ~ 120°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.118" (3.00mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.78 грн
10+ 33.17 грн
25+ 30.31 грн
50+ 26.77 грн
100+ 25.64 грн
250+ 23.41 грн
500+ 21.93 грн
1000+ 19.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT-4CCMONACORDescription: MONACOR - DMT-4CC - Messzubehör, Koffer, Schwarz, Digital- und Analogmultimeter
tariffCode: 42021299
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+598.44 грн
10+ 557.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
DMT-6-12Signal TransformerDescription: XFRMR LAMINATED 6VA CHAS MOUNT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMT-6-12Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1881.08 грн
5+ 1745.9 грн
10+ 1423.29 грн
25+ 1374.79 грн
DMT-6-15Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1561.28 грн
10+ 1357.92 грн
25+ 1141.44 грн
DMT-6-15Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 6VA CHAS MT
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1460.54 грн
10+ 1240.91 грн
DMT-7-12Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMT-7-12Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 7VA CHAS MT
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 93.70mm L x 49.20mm W
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Laminated Core
Weight: 1.7 lbs (771.1 g)
Termination Style: Solder, Quick Connect
Primary Winding(s): Dual
Secondary Winding(s): Dual
Power - Max: 7VA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - Output (Max): 2.8A, 350mA
Voltage - Primary: 115V, 230V
Height - Seated (Max): 57.80mm
Voltage - Secondary (Full Load): 5V, 12V
Center Tap: Yes
товар відсутній
DMT-7-15Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 7VA CHAS MT
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 93.70mm L x 49.20mm W
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Laminated Core
Weight: 1.7 lbs (771.1 g)
Termination Style: Solder, Quick Connect
Primary Winding(s): Dual
Secondary Winding(s): Dual
Power - Max: 7VA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - Output (Max): 2.8A, 280mA
Voltage - Primary: 115V, 230V
Height - Seated (Max): 57.80mm
Voltage - Secondary (Full Load): 5V, 15V
Center Tap: Yes
товар відсутній
DMT-7-15Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1836.8 грн
10+ 1597.17 грн
20+ 1334.73 грн
DMT-8-12Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer
товар відсутній
DMT-8-12Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 8VA CHAS MT
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 102.40mm L x 58.50mm W
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Laminated Core
Weight: 2.8 lbs (1.3 kg)
Termination Style: Solder, Quick Connect
Primary Winding(s): Dual
Secondary Winding(s): Dual
Power - Max: 8VA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - Output (Max): 4A, 600mA
Voltage - Primary: 115V, 230V
Height - Seated (Max): 67.70mm
Voltage - Secondary (Full Load): 5V, 12V
Center Tap: Yes
товар відсутній
DMT-8-15Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMT-8-15Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 8VA CHAS MT
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 102.40mm L x 58.50mm W
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Laminated Core
Weight: 2.8 lbs (1.3 kg)
Termination Style: Solder, Quick Connect
Primary Winding(s): Dual
Secondary Winding(s): Dual
Power - Max: 8VA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - Output (Max): 4A, 500mA
Voltage - Primary: 115V, 230V
Height - Seated (Max): 67.70mm
Voltage - Secondary (Full Load): 5V, 15V
Center Tap: Yes
товар відсутній
DMT-A-C-F-T-RAdam TechnologiesConn Contact Stamped Crimp Contact 20-30 AWG
товар відсутній
DMT-A5-C-F-T-RAdam TechnologiesConn Contact Stamped Crimp Contact 20-30 AWG
товар відсутній
DMT-B-C-F-T-RAdam TechnologiesConn Contact Stamped Crimp Contact 20-30 AWG
товар відсутній
DMT-B5-C-F-T-RAdam TechDescription: CONTACT TIN 20-24 AWG
на замовлення 4859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.6 грн
80+ 3.66 грн
99+ 2.99 грн
106+ 2.61 грн
110+ 2.51 грн
250+ 2.17 грн
500+ 2.05 грн
1000+ 1.79 грн
2500+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 40
DMT-B5-C-F-T-RAdam TechnologiesConn Contact Stamped Crimp Contact 20-30 AWG
товар відсутній
DMT-B5-C-F-T-RAdam TechDescription: CONTACT TIN 20-24 AWG
товар відсутній
DMT-D-1-02Adam TechDescription: CONN RECEPT 2POS SINGLE 3.0MM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMT-D-1-03Adam TechDescription: CONN RECEPT 3POS SINGLE 3.0MM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMT-D-1-04Adam TechDescription: CONN RECEPT 4POS SINGLE 3.0MM
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMT-D-1-05Adam TechDescription: CONN RECEPT 5POS SINGLE 3.0MM
на замовлення 4764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMT-D-2-22-HFAdam Technologies3MM LATCHING HSG 2*11P BK HF RoHS
товар відсутній
DMT1-16-6.7LCoilcraftPower Inductors - Leaded 16uH Unshld 6.7A 20mOhms
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+990.56 грн
270+ 686.23 грн
510+ 416.09 грн
1020+ 387.27 грн
DMT1-180-1.5LCoilcraftFixed Inductors DMT1 Power Chokes Toroidal Output
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMT1-26-5.1LCoilcraftFixed Inductors DMT1 Power Chokes Toroidal Output
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMT1-43-3.8LCoilcraftPower Inductors - Leaded 43uH Unshld 3.8A 70mOhms
товар відсутній
DMT1-7-10LCoilcraftPower Inductors - Leaded 7uH Shld 10A 10mOhms
товар відсутній
DMT1-84-2.4LCoilcraftPower Inductors - Leaded 84uH Unshld 2.4A 140mOhms
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+740.46 грн
270+ 512.45 грн
510+ 311.37 грн
1020+ 289.58 грн
DMT10H003SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H003SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V
товар відсутній
DMT10H003SPSW-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H009LCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
товар відсутній
DMT10H009LCG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.0072 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.13 грн
11+ 76.17 грн
100+ 55.35 грн
500+ 43.56 грн
1000+ 38.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT10H009LCG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 12.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товар відсутній
DMT10H009LCG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.9A; Idm: 160A; 2.1W
Mounting: SMD
Case: V-DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 12.9mΩ
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20.2nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
товар відсутній
DMT10H009LCG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.9A; Idm: 160A; 2.1W
Mounting: SMD
Case: V-DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 12.9mΩ
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20.2nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMT10H009LCG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 12.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товар відсутній
DMT10H009LCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.63 грн
10+ 65.6 грн
100+ 50.99 грн
500+ 40.56 грн
1000+ 33.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT10H009LCG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.0072 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.35 грн
500+ 43.56 грн
1000+ 38.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMT10H009LCG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.02 грн
10+ 72.91 грн
100+ 49.34 грн
500+ 41.82 грн
1000+ 34.09 грн
2000+ 32.05 грн
4000+ 30.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT10H009LFG-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
DMT10H009LFG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 3K
товар відсутній
DMT10H009LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; Idm: 200A; 2W
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 12.5mΩ
Drain current: 11A
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMT10H009LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2361 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT10H009LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT10H009LFG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT10H009LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K
товар відсутній
DMT10H009LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; Idm: 200A; 2W
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 12.5mΩ
Drain current: 11A
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
товар відсутній
DMT10H009LH3Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товар відсутній
DMT10H009LH3Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товар відсутній
DMT10H009LH3DIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; Idm: 336A; 61W; TO251
Mounting: THT
Case: TO251
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 67A
Power dissipation: 61W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20.2nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 336A
товар відсутній
DMT10H009LH3DIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; Idm: 336A; 61W; TO251
Mounting: THT
Case: TO251
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 67A
Power dissipation: 61W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20.2nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 336A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT10H009LH3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 84A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
товар відсутній
DMT10H009LK3Diodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMT10H009LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 1549855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.35 грн
10+ 64.36 грн
100+ 50.06 грн
500+ 39.82 грн
1000+ 32.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT10H009LK3-13Diodes IncN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMT10H009LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 19053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.56 грн
10+ 71.45 грн
100+ 48.36 грн
500+ 40.98 грн
1000+ 33.39 грн
2500+ 32.19 грн
5000+ 30.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT10H009LK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; Idm: 360A; 3W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 73A
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 360A
товар відсутній
DMT10H009LK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; Idm: 360A; 3W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 73A
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 360A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H009LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 1547500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.79 грн
5000+ 30.99 грн
12500+ 29.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H009LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0067 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.53 грн
500+ 46.78 грн
1000+ 35.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMT10H009LK3-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMT10H009LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0067 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82 грн
50+ 70.72 грн
100+ 59.53 грн
500+ 46.78 грн
1000+ 35.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMT10H009LPSDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMT10H009LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.63 грн
10+ 50.66 грн
100+ 39.41 грн
500+ 31.35 грн
1000+ 25.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT10H009LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.19 грн
10+ 56.42 грн
100+ 38.17 грн
500+ 32.33 грн
1000+ 27.55 грн
2500+ 23.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT10H009LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT10H009LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.6 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H009LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT10H009LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 360A; 2.9W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 12.5mΩ
Drain current: 8A
Power dissipation: 2.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40.2nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 360A
товар відсутній
DMT10H009LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 360A; 2.9W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 12.5mΩ
Drain current: 8A
Power dissipation: 2.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40.2nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 360A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H009LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMT10H009LSS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H009LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 110A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 13.8mΩ
Drain current: 10A
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40.2nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
товар відсутній
DMT10H009LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 110A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 13.8mΩ
Drain current: 10A
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40.2nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H009LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/48A 8SO T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 149916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.55 грн
10+ 60.62 грн
100+ 47.16 грн
500+ 37.52 грн
1000+ 30.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT10H009LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/48A 8SO T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 147500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.84 грн
5000+ 29.2 грн
12500+ 27.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H009LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+66.56 грн
11+ 56.62 грн
100+ 46.16 грн
500+ 38.58 грн
1000+ 29.85 грн
2500+ 27.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMT10H009LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
товар відсутній
DMT10H009LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H009LSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.44 грн
5000+ 28.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H009SCG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 3K
товар відсутній
DMT10H009SCG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
товар відсутній
DMT10H009SCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
товар відсутній
DMT10H009SCG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 2K
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.19 грн
10+ 56.42 грн
100+ 38.17 грн
500+ 32.33 грн
1000+ 27.76 грн
2000+ 23.55 грн
10000+ 23.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT10H009SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.23 грн
11+ 75.3 грн
100+ 59.06 грн
500+ 49.93 грн
1000+ 38.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT10H009SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H009SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.06 грн
500+ 49.93 грн
1000+ 38.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMT10H009SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2028 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.67 грн
5000+ 29.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H009SK3-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V TO252 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H009SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; Idm: 360A; 3.2W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 9.1mΩ
Drain current: 75A
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 34nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 360A
товар відсутній
DMT10H009SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; Idm: 360A; 3.2W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 9.1mΩ
Drain current: 75A
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 34nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 360A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H009SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 282500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H009SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 203988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.6 грн
5000+ 24.4 грн
12500+ 23.27 грн
25000+ 21.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H009SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT10H009SPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H009SPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; Idm: 320A; 2.7W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 8.5mΩ
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 320A
товар відсутній
DMT10H009SPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; Idm: 320A; 2.7W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 8.5mΩ
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 320A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H009SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 11311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.19 грн
10+ 56.42 грн
100+ 38.17 грн
500+ 32.33 грн
1000+ 26.36 грн
2500+ 25.3 грн
5000+ 24.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT10H009SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 204349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.63 грн
10+ 50.66 грн
100+ 39.41 грн
500+ 31.35 грн
1000+ 25.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT10H009SPS-13 транзистор
Код товару: 197183		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
DMT10H009SSS-13Diodes IncN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMT10H009SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.84 грн
5000+ 29.2 грн
12500+ 27.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H009SSS-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMT10H010LCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 12433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.05 грн
50+ 88.34 грн
100+ 72.68 грн
500+ 57.72 грн
1000+ 48.97 грн
2000+ 46.52 грн
5000+ 44.04 грн
10000+ 42.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT10H010LCTDIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; Idm: 92A; 139W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 6.9mΩ
Drain current: 62A
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 58.4nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 92A
товар відсутній
DMT10H010LCTDIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; Idm: 92A; 139W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 6.9mΩ
Drain current: 62A
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 58.4nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 92A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+69.29 грн
10+ 63.19 грн
100+ 57.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
DMT10H010LCTDiodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.64 грн
10+ 105.08 грн
100+ 69.93 грн
250+ 68.67 грн
500+ 60.23 грн
1000+ 50.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT10H010LCTDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+54.85 грн
Мінімальне замовлення: 220
DMT10H010LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 38670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.04 грн
10+ 55.77 грн
100+ 42.24 грн
500+ 38.8 грн
1000+ 34.16 грн
2500+ 31.7 грн
5000+ 31.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMT10H010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMT10H010LK3-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMT10H010LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
на замовлення 72888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.87 грн
10+ 65.45 грн
100+ 50.94 грн
500+ 40.52 грн
1000+ 33.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT10H010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMT10H010LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.39 грн
5000+ 31.54 грн
12500+ 30.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H010LK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 275A; 3W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 15mΩ
Drain current: 55A
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 53.7nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 275A
товар відсутній
DMT10H010LK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 275A; 3W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 15mΩ
Drain current: 55A
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 53.7nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 275A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H010LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 98A; 1.2W; PowerDI®5060-8
Mounting: SMD
Case: PowerDI®5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
DMT10H010LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 98A; 1.2W; PowerDI®5060-8
Mounting: SMD
Case: PowerDI®5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT10H010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT10H010LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 10763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.96 грн
10+ 85.15 грн
100+ 66.23 грн
500+ 52.69 грн
1000+ 42.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT10H010LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET Low Rdson
на замовлення 20077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.44 грн
10+ 92.95 грн
100+ 62.13 грн
500+ 53.21 грн
1000+ 43.65 грн
2500+ 40.41 грн
5000+ 39.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT10H010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 6667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+77 грн
158+ 76.52 грн
186+ 64.85 грн
250+ 62.09 грн
500+ 50.83 грн
1000+ 40.84 грн
3000+ 40.83 грн
6000+ 40.81 грн
Мінімальне замовлення: 157
DMT10H010LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT10H010LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.71 грн
5000+ 41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 6667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+81.1 грн
10+ 71.5 грн
25+ 71.05 грн
100+ 58.07 грн
250+ 53.39 грн
500+ 45.32 грн
1000+ 37.92 грн
3000+ 37.91 грн
6000+ 37.9 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT10H010LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 29.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.16 грн
5000+ 37.74 грн
12500+ 36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H010LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMT10H010LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 3351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.24 грн
10+ 87.29 грн
100+ 59.04 грн
500+ 49.97 грн
1000+ 40.7 грн
2500+ 39.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT10H010LSS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMT10H010LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMT10H010LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 29.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 136130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.6 грн
10+ 78.41 грн
100+ 60.97 грн
500+ 48.5 грн
1000+ 39.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT10H010LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMT10H010LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.2A; Idm: 75A; 1.9W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 14.5mΩ
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 58.4nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
товар відсутній
DMT10H010LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.2A; Idm: 75A; 1.9W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 14.5mΩ
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 58.4nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H010LSSQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V SO-8 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H010LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H010SPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT10H010SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.55 грн
5000+ 31.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H010SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.02 грн
10+ 73.23 грн
100+ 49.55 грн
500+ 41.96 грн
1000+ 34.16 грн
2500+ 33.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT10H010SPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.6A; Idm: 250A; 1.2W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 11.5mΩ
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 56.4nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 250A
товар відсутній
DMT10H010SPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.6A; Idm: 250A; 1.2W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 11.5mΩ
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 56.4nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 250A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H010SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
на замовлення 7384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.63 грн
10+ 65.82 грн
100+ 51.18 грн
500+ 40.71 грн
1000+ 33.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT10H014LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 3255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.02 грн
10+ 73.07 грн
100+ 49.48 грн
500+ 41.89 грн
1000+ 34.09 грн
2500+ 33.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT10H014LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 113245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.63 грн
10+ 65.82 грн
100+ 51.18 грн
500+ 40.71 грн
1000+ 33.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT10H014LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.1A; Idm: 54A; 1.67W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 25mΩ
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 1.67W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
товар відсутній
DMT10H014LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.1A; Idm: 54A; 1.67W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 25mΩ
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 1.67W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H014LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.55 грн
5000+ 31.68 грн
12500+ 30.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H014LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMT10H014LSS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMT10H014LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMT10H015LCG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товар відсутній
DMT10H015LCG-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товар відсутній
DMT10H015LCG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
товар відсутній
DMT10H015LCG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.44 грн
6000+ 25.17 грн
9000+ 24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMT10H015LCG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товар відсутній
DMT10H015LCG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; Idm: 54A; 2.1W
Mounting: SMD
Case: V-DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
товар відсутній
DMT10H015LCG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; Idm: 54A; 2.1W
Mounting: SMD
Case: V-DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT10H015LCG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 55984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.19 грн
10+ 56.42 грн
100+ 38.17 грн
500+ 32.33 грн
1000+ 26.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT10H015LCG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0121 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.8 грн
15+ 55.51 грн
100+ 39.74 грн
500+ 31.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMT10H015LCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.43 грн
6000+ 25.16 грн
10000+ 24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT10H015LCG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товар відсутній
DMT10H015LCG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; Idm: 54A; 2.1W
Mounting: SMD
Case: V-DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
товар відсутній
DMT10H015LCG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; Idm: 54A; 2.1W
Mounting: SMD
Case: V-DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMT10H015LCG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товар відсутній
DMT10H015LCG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0121 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.74 грн
500+ 31.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMT10H015LCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 13576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.15 грн
10+ 52.28 грн
100+ 40.64 грн
500+ 32.33 грн
1000+ 26.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT10H015LCG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товар відсутній
DMT10H015LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 17946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.75 грн
10+ 58.06 грн
100+ 45.16 грн
500+ 35.92 грн
1000+ 29.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT10H015LFG-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT10H015LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.48 грн
6000+ 27.96 грн
9000+ 26.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMT10H015LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT10H015LFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
товар відсутній
DMT10H015LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 75A; 2W
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 23.5mΩ
Drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
товар відсутній
DMT10H015LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 75A; 2W
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 23.5mΩ
Drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT10H015LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+70.31 грн
174+ 69.62 грн
204+ 59.26 грн
250+ 56.57 грн
500+ 45.2 грн
1000+ 32.35 грн
Мінімальне замовлення: 172
DMT10H015LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 33004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.23 грн
10+ 56.89 грн
100+ 44.26 грн
500+ 35.21 грн
1000+ 28.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT10H015LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT10H015LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
на замовлення 8916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.96 грн
10+ 60.14 грн
100+ 41.33 грн
500+ 35.49 грн
1000+ 29.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT10H015LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 75A; 2W
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 23.5mΩ
Drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
товар відсутній
DMT10H015LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 75A; 2W
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 23.5mΩ
Drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMT10H015LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.87 грн
6000+ 27.4 грн
10000+ 26.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT10H015LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+73.31 грн
10+ 61.89 грн
25+ 61.28 грн
100+ 45.43 грн
250+ 42.03 грн
500+ 33.62 грн
1000+ 27.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMT10H015LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+66.65 грн
183+ 65.99 грн
238+ 50.74 грн
250+ 48.88 грн
500+ 38.39 грн
1000+ 29.12 грн
Мінімальне замовлення: 181
DMT10H015LFG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT10H015LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.28 грн
10+ 68.87 грн
100+ 46.53 грн
500+ 39.5 грн
1000+ 32.19 грн
2500+ 28.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT10H015LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52.7 A, 0.0107 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.28 грн
500+ 41.22 грн
1000+ 37.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMT10H015LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 52.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMT10H015LK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42.1A; Idm: 210A; 2.9W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 25mΩ
Drain current: 42.1A
Power dissipation: 2.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 210A
товар відсутній
DMT10H015LK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42.1A; Idm: 210A; 2.9W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 25mΩ
Drain current: 42.1A
Power dissipation: 2.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 210A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 208489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.31 грн
10+ 61.94 грн
100+ 48.18 грн
500+ 38.32 грн
1000+ 31.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT10H015LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52.7 A, 0.0107 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.83 грн
11+ 72.22 грн
100+ 52.28 грн
500+ 41.22 грн
1000+ 37.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMT10H015LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 52.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMT10H015LK3-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 52.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMT10H015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 207500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H015LPSDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMT10H015LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
товар відсутній
DMT10H015LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
товар відсутній
DMT10H015LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.85 грн
10+ 65.23 грн
100+ 44.14 грн
500+ 37.39 грн
1000+ 30.43 грн
2500+ 28.61 грн
5000+ 27.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT10H015LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+82.46 грн
10+ 73.23 грн
25+ 72.52 грн
100+ 54.07 грн
250+ 49.56 грн
500+ 39.07 грн
1000+ 30.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT10H015LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.51 грн
10+ 58.64 грн
100+ 45.62 грн
500+ 36.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT10H015LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+78.87 грн
155+ 78.09 грн
200+ 60.38 грн
250+ 57.64 грн
500+ 43.83 грн
1000+ 33.02 грн
Мінімальне замовлення: 153
DMT10H015LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 150A; 2.4W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 25mΩ
Drain current: 8A
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
товар відсутній
DMT10H015LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 150A; 2.4W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 25mΩ
Drain current: 8A
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H015LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
товар відсутній
DMT10H015LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+44.3 грн
15+ 40.47 грн
25+ 40.06 грн
100+ 34.42 грн
250+ 31.55 грн
500+ 27.89 грн
1000+ 26.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMT10H015LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.3 грн
5000+ 28.7 грн
12500+ 27.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H015LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.7A; Idm: 54A; 1.67W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 25mΩ
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 1.67W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
товар відсутній
DMT10H015LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.7A; Idm: 54A; 1.67W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 25mΩ
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 1.67W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H015LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+45.29 грн
269+ 44.83 грн
304+ 39.74 грн
307+ 37.94 грн
500+ 32.17 грн
1000+ 28.56 грн
Мінімальне замовлення: 267
DMT10H015LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMT10H015LSS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMT10H015LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
на замовлення 3104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.57 грн
10+ 52.46 грн
100+ 37.46 грн
500+ 33.03 грн
1000+ 29.1 грн
2500+ 27.62 грн
5000+ 27.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMT10H015LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 29210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.03 грн
10+ 59.6 грн
100+ 46.36 грн
500+ 36.88 грн
1000+ 30.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT10H015SK3-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H015SK3-13Diodes Inc100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
DMT10H015SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.7 грн
10+ 60.38 грн
100+ 40.84 грн
500+ 34.65 грн
1000+ 28.25 грн
2500+ 26.5 грн
5000+ 25.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT10H015SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 54A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.55 грн
5000+ 25.26 грн
12500+ 24.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H015SK3-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
DMT10H015SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 215A; 2.9W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 11.1mΩ
Drain current: 43A
Power dissipation: 2.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30.1nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 215A
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.13 грн
10+ 36.9 грн
25+ 31.99 грн
28+ 31.48 грн
76+ 29.29 грн
100+ 29.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT10H015SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 215A; 2.9W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 11.1mΩ
Drain current: 43A
Power dissipation: 2.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30.1nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 215A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+70.96 грн
6+ 45.98 грн
25+ 38.39 грн
28+ 37.78 грн
76+ 35.14 грн
100+ 35.06 грн
500+ 34.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT10H015SPS-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H015SPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.1A; Idm: 120A; 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.1A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 1.3W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMT10H015SPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.1A; Idm: 120A; 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.1A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 1.3W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H015SPS-13Diodes Inc100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8
товар відсутній
DMT10H015SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.08 грн
5000+ 23.91 грн
12500+ 22.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H015SPS-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8
товар відсутній
DMT10H015SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
товар відсутній
DMT10H017LPD-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43.7A; Idm: 60A; 2.2W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 30.3mΩ
Drain current: 43.7A
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28.6nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
товар відсутній
DMT10H017LPD-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43.7A; Idm: 60A; 2.2W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 30.3mΩ
Drain current: 43.7A
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28.6nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H017LPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.57 грн
10+ 91.37 грн
100+ 71.05 грн
500+ 56.52 грн
1000+ 46.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT10H017LPD-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 54.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT10H017LPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.96 грн
5000+ 43.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H017LPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 54.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT10H017LPD-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.46 грн
10+ 101.84 грн
100+ 69.3 грн
500+ 58.27 грн
1000+ 47.37 грн
2500+ 44.63 грн
5000+ 42.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT10H025LK3-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 47.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMT10H025LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 47.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMT10H025LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.45 грн
10+ 51.49 грн
100+ 30.57 грн
500+ 25.58 грн
1000+ 21.79 грн
2500+ 18.49 грн
5000+ 17.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMT10H025LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H025LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.2 A, 0.0171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.01 грн
500+ 27.16 грн
1000+ 18.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMT10H025LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.74 грн
10+ 45.61 грн
100+ 31.58 грн
500+ 24.76 грн
1000+ 21.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMT10H025LK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37.7A; Idm: 185A; 2.6W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 43.7mΩ
Drain current: 37.7A
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 185A
товар відсутній
DMT10H025LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H025LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.2 A, 0.0171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.7 грн
15+ 56.06 грн
100+ 35.01 грн
500+ 27.16 грн
1000+ 18.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMT10H025LK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37.7A; Idm: 185A; 2.6W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 43.7mΩ
Drain current: 37.7A
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 185A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H025LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.77 грн
5000+ 18.95 грн
12500+ 17.54 грн
25000+ 16.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H025LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 60A; 1.9W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22.9nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
товар відсутній
DMT10H025LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 60A; 1.9W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22.9nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H025LSS-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V SO-8 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H025LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H025LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 12.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 50 V
товар відсутній
DMT10H025SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.82 грн
10+ 34.92 грн
100+ 24.18 грн
500+ 18.96 грн
1000+ 16.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT10H025SK3-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 41.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMT10H025SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 5322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.76 грн
10+ 39.04 грн
100+ 23.48 грн
500+ 19.61 грн
1000+ 16.73 грн
2500+ 15.32 грн
5000+ 15.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT10H025SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H025SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41.2 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.68 грн
500+ 21.52 грн
1000+ 18.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMT10H025SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.9 грн
5000+ 14.51 грн
12500+ 13.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H025SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 41.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMT10H025SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32.9A; Idm: 160A; 2.5W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 32.9A
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21.4nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
товар відсутній
DMT10H025SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H025SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41.2 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.14 грн
18+ 44.23 грн
100+ 27.68 грн
500+ 21.52 грн
1000+ 18.04 грн
Мінімальне замовлення: 15
DMT10H025SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32.9A; Idm: 160A; 2.5W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 32.9A
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21.4nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H025SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
на замовлення 4485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.34 грн
10+ 36.09 грн
100+ 25.01 грн
500+ 19.61 грн
1000+ 16.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT10H025SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMT10H025SSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.9A; Idm: 45A; 1.9W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 5.9A
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21.4nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
товар відсутній
DMT10H025SSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.9A; Idm: 45A; 1.9W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 5.9A
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21.4nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H025SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H025SSS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMT10H025SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 7367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.31 грн
10+ 40.17 грн
100+ 24.18 грн
500+ 20.24 грн
1000+ 17.29 грн
2500+ 15.32 грн
5000+ 15.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT10H032LDV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 75A; 2.4W
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 15A
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11.9nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
товар відсутній
DMT10H032LDV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 75A; 2.4W
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 15A
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11.9nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT10H032LDV-13Diodes IncN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMT10H032LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Part Status: Active
товар відсутній
DMT10H032LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.86 грн
6000+ 22.68 грн
10000+ 21 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT10H032LDV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K
товар відсутній
DMT10H032LFDF-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMT10H032LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товар відсутній
DMT10H032LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H032LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.024 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.36 грн
16+ 51.8 грн
100+ 34.38 грн
500+ 27.31 грн
1000+ 18.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
DMT10H032LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.45 грн
10+ 48.42 грн
100+ 30.64 грн
500+ 26.22 грн
1000+ 22.91 грн
3000+ 19.19 грн
24000+ 18.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMT10H032LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 40A; 1.1W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 46mΩ
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11.9nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
товар відсутній
DMT10H032LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H032LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.024 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.38 грн
500+ 27.31 грн
1000+ 18.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMT10H032LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 40A; 1.1W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 46mΩ
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11.9nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT10H032LFDF-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V U-DFN2020-6 T&R 3K
товар відсутній
DMT10H032LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товар відсутній
DMT10H032LFDF-7Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMT10H032LFVW-13Diodes IncN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMT10H032LFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товар відсутній
DMT10H032LFVW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; Idm: 68A; 2.5W
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11.9nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 68A
товар відсутній
DMT10H032LFVW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H032LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.022 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.86 грн
19+ 41.87 грн
100+ 34.69 грн
500+ 28.85 грн
1000+ 24.6 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMT10H032LFVW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; Idm: 68A; 2.5W
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11.9nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 68A
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMT10H032LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товар відсутній
DMT10H032LFVW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H032LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.022 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.69 грн
500+ 28.85 грн
1000+ 24.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMT10H032LFVW-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товар відсутній
DMT10H032LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.11 грн
6000+ 23.03 грн
10000+ 21.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT10H032LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H032LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товар відсутній
DMT10H032LK3-13Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMT10H032LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товар відсутній
DMT10H032LSS-13Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMT10H032SFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.59 грн
6000+ 14.25 грн
9000+ 13.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMT10H032SFVW-13Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMT10H032SFVW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товар відсутній
DMT10H032SFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.37 грн
6000+ 14.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT10H032SFVW-7Diodes ZetexDMT10H032SFVW-7
товар відсутній
DMT10H032SFVW-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товар відсутній
DMT10H032SFVW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.61 грн
10+ 41.87 грн
100+ 27.2 грн
500+ 21.37 грн
1000+ 17.01 грн
2000+ 14.41 грн
10000+ 13.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT10H032SFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
на замовлення 8870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.62 грн
10+ 37.49 грн
100+ 26.09 грн
500+ 19.12 грн
1000+ 15.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT10H052LFDF-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMT10H052LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
товар відсутній
DMT10H052LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
товар відсутній
DMT10H052LFDF-7Diodes Inc100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMT10H052LFDF-7Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMT10H072LDV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 3K
товар відсутній
DMT10H072LDV-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI3333-8 T&R 3K
товар відсутній
DMT10H072LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товар відсутній
DMT10H072LDV-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI3333-8 T&R 2K
товар відсутній
DMT10H072LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.31 грн
6000+ 20 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT10H072LDV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K
товар відсутній
DMT10H072LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMT10H072LFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMT10H072LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 50 V
товар відсутній
DMT10H072LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.14 грн
10+ 39.24 грн
100+ 27.18 грн
500+ 21.32 грн
1000+ 18.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT10H072LFDF-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMT10H072LFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMT10H072LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H072LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4 A, 0.047 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.13 грн
500+ 18.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMT10H072LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 50 V
товар відсутній
DMT10H072LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; Idm: 22A; 1.1W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.11Ω
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.5nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
товар відсутній
DMT10H072LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; Idm: 22A; 1.1W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.11Ω
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.5nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT10H072LFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMT10H072LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
товар відсутній
DMT10H072LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H072LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4 A, 0.047 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.57 грн
21+ 38.08 грн
100+ 24.13 грн
500+ 18.67 грн
Мінімальне замовлення: 18
DMT10H072LFDFQ-13Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
DMT10H072LFDFQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMT10H072LFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.11 грн
6000+ 13.81 грн
9000+ 12.82 грн
30000+ 11.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMT10H072LFDFQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; Idm: 22A; 1.1W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
On-state resistance: 0.11Ω
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.5nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
товар відсутній
DMT10H072LFDFQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; Idm: 22A; 1.1W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
On-state resistance: 0.11Ω
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.5nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT10H072LFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 13519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.79 грн
10+ 40.25 грн
100+ 24.74 грн
500+ 19.33 грн
1000+ 15.74 грн
3000+ 13.35 грн
9000+ 12.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT10H072LFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 170165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.86 грн
10+ 36.9 грн
100+ 25.65 грн
500+ 18.79 грн
1000+ 15.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT10H072LFDFQ-7Diodes Inc100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMT10H072LFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; Idm: 80A; 2W
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 109mΩ
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.5nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT10H072LFV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT10H072LFV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS 61V-100V
товар відсутній
DMT10H072LFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.14 грн
6000+ 13.81 грн
9000+ 13.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMT10H072LFV-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT10H072LFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; Idm: 80A; 2W
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 109mΩ
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.5nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
товар відсутній
DMT10H072LFV-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT10H072LFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H072LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0506 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0506ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.6 грн
500+ 15.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMT10H072LFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT10H072LFV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; Idm: 80A; 2W
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 109mΩ
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.5nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
товар відсутній
DMT10H072LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
на замовлення 305309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.21 грн
11+ 28.11 грн
100+ 19.56 грн
500+ 14.33 грн
1000+ 11.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMT10H072LFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H072LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0506 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0506ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.02 грн
23+ 34.69 грн
100+ 21.6 грн
500+ 15.67 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMT10H072LFV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; Idm: 80A; 2W
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 109mΩ
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.5nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT10H072LFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 182000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT10H072LFV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 7438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.13 грн
11+ 31.93 грн
100+ 19.26 грн
500+ 15.04 грн
1000+ 12.23 грн
2000+ 10.33 грн
10000+ 9.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMT10H072LFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT10H072LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
на замовлення 304000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.52 грн
6000+ 10.53 грн
10000+ 9.78 грн
50000+ 9 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT10H075LE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.71 грн
5000+ 12.35 грн
12500+ 11.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H075LE-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT223 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H075LE-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V SOT223 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H4M5LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 400A; 2.3W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 6.2mΩ
Drain current: 15A
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
товар відсутній
DMT10H4M5LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 400A; 2.3W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 6.2mΩ
Drain current: 15A
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H4M5LPS-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H4M5LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4843 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.61 грн
5000+ 62.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT10H4M5LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H4M9LPSW-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H4M9SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H4M9SPSW-13Diodes ZetexDMT10H4M9SPSW-13
товар відсутній
DMT10H9M9LCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V TO220AB TUBE 50PCS
товар відсутній
DMT10H9M9LCTDiodes ZetexDMT10H9M9LCT
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 300
DMT10H9M9LCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
товар відсутній
DMT10H9M9LCTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H9M9LCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 101 A, 0.0067 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.54 грн
10+ 89.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT10H9M9LCTDiodes ZetexN-Channel Enhancement MODE MOSFET
товар відсутній
DMT10H9M9LK3-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V TO252 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H9M9LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H9M9LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H9M9LSS-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V SO-8 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H9M9LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H9M9SCTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H9M9SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 99 A, 0.0072 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.12 грн
10+ 93.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT10H9M9SCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V TO220AB TUBE 50PCS
товар відсутній
DMT10H9M9SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+73.72 грн
Мінімальне замовлення: 50
DMT10H9M9SH3Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V TO251 TUBE 75PCS
товар відсутній
DMT10H9M9SH3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO251 TUB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
товар відсутній
DMT10H9M9SK3-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V TO252 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H9M9SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H9M9SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товар відсутній
DMT10H9M9SSS-13Diodes ZetexDMT10H9M9SSS-13
товар відсутній
DMT10H9M9SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT12H007LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 60 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT12H007LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 120V 90A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT12H007LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 101V-250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 20364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.46 грн
10+ 98.61 грн
100+ 68.67 грн
500+ 58.06 грн
1000+ 47.3 грн
2500+ 42.45 грн
5000+ 42.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT12H007LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 60 V
на замовлення 7483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.45 грн
10+ 98.69 грн
100+ 76.76 грн
500+ 61.06 грн
1000+ 49.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT12H007LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 72A; Idm: 360A; 2.9W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI5060-8
Power dissipation: 2.9W
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 72A
On-state resistance: 14.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 360A
товар відсутній
DMT12H007LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 72A; Idm: 360A; 2.9W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI5060-8
Power dissipation: 2.9W
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 72A
On-state resistance: 14.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 360A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT12H007SPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 64A; Idm: 320A; 2.9W
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerDI5060-8
Pulsed drain current: 320A
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 64A
товар відсутній
DMT12H007SPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 64A; Idm: 320A; 2.9W
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerDI5060-8
Pulsed drain current: 320A
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 64A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT12H060LCA9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V X4-DSN15
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMT12H060LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 50 V
на замовлення 3568887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.58 грн
10+ 35.44 грн
100+ 24.53 грн
500+ 19.24 грн
1000+ 16.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT12H060LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 50 V
на замовлення 3567000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.14 грн
6000+ 14.72 грн
9000+ 13.63 грн
30000+ 12.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMT12H060LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMT12H060LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 101V-250V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 3425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.76 грн
10+ 39.44 грн
100+ 23.41 грн
500+ 19.61 грн
1000+ 17.15 грн
3000+ 14.48 грн
6000+ 13.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT12H060LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT12H065LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 61V~100V U-DFN2020-6
товар відсутній
DMT12H065LFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 115V; 3.4A; Idm: 25A; 1.2W
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 115V
Drain current: 3.4A
товар відсутній
DMT12H065LFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 115V; 3.4A; Idm: 25A; 1.2W
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 115V
Drain current: 3.4A
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMT12H065LFDF-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMT12H065LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMT12H065LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT12H065LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 50 V
на замовлення 39259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.15 грн
10+ 55.13 грн
100+ 38.19 грн
500+ 29.95 грн
1000+ 25.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT12H065LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.52 грн
10+ 65.39 грн
100+ 43.65 грн
500+ 34.58 грн
1000+ 27.62 грн
3000+ 24.95 грн
9000+ 24.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT12H065LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 50 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.12 грн
6000+ 22.92 грн
9000+ 21.22 грн
30000+ 19.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMT12H090LFDF4-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 101V 250V X2-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMT12H090LFDF4-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerXDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+22.31 грн
30000+ 21.27 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMT12H090LFDF4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMT12H090LFDF4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 115V; 2.7A; Idm: 15A; 1W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 115V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Case: X2-DFN2020-6
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
товар відсутній
DMT12H090LFDF4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 101V-250V X2-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.23 грн
10+ 62.56 грн
100+ 37.67 грн
500+ 31.42 грн
1000+ 26.78 грн
3000+ 23.33 грн
6000+ 22.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT12H090LFDF4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 115V; 2.7A; Idm: 15A; 1W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 115V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Case: X2-DFN2020-6
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT15H017LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.84 грн
5000+ 43.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT15H017LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 101V-250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.02 грн
10+ 116.39 грн
100+ 78.72 грн
500+ 65.23 грн
1000+ 51.45 грн
2500+ 47.93 грн
5000+ 45.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT15H017LPS-13DIODES INCORPORATEDDMT15H017LPS-13 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMT15H017LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 150V 9.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT15H017LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.57 грн
10+ 91.15 грн
100+ 70.88 грн
500+ 56.38 грн
1000+ 45.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT15H017LPSW-13Diodes Inc150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMT15H017LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V
товар відсутній
DMT15H017LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 101V-250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT15H017LPSW-13DIODES INCORPORATEDDMT15H017LPSW-13 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMT15H017SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT15H017SK3-13DIODES INCORPORATEDDMT15H017SK3-13 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMT15H017SK3-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 101V250V TO252 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT15H017SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2344 pF @ 75 V
товар відсутній
DMT15H035SCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 101V-250V TO220AB TUBE 50PCS
товар відсутній
DMT15H035SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+74.51 грн
Мінімальне замовлення: 50
DMT15H053SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 814 pF @ 75 V
на замовлення 39788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.87 грн
10+ 52.86 грн
100+ 36.59 грн
500+ 28.7 грн
1000+ 24.42 грн
2500+ 21.75 грн
5000+ 20.27 грн
10000+ 19.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT15H053SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT15H053SSS-13Diodes IncN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMT15H053SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 101V-250V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.67 грн
10+ 57.63 грн
100+ 39.01 грн
500+ 33.1 грн
1000+ 26.92 грн
2500+ 25.3 грн
5000+ 24.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT15H053SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 5.2A/15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 814 pF @ 75 V
товар відсутній
DMT15H067SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 4.5A/13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 75 V
товар відсутній
DMT15H067SSS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 150V 4.5A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMT15H067SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 101V-250V SO-8 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT1D15K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 1500PF 10% 100VDC RAD
товар відсутній
DMT1D1KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD
товар відсутній
DMT1D1K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.394" (10.00mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.448" (11.37mm)
Capacitance: 1000 pF
Size / Dimension: 0.512" L x 0.197" W (13.00mm x 5.00mm)
товар відсутній
DMT1D1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .0010uF 100Vdc
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMT1D22KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD
товар відсутній
DMT1D22K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .0022uF 100Vdc
товар відсутній
DMT1D22K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD
товар відсутній
DMT1D33KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 3300PF 10% 100VDC RAD
товар відсутній
DMT1D47K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 4700PF 10% 100VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.394" (10.00mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.448" (11.37mm)
Capacitance: 4700 pF
Size / Dimension: 0.512" L x 0.209" W (13.00mm x 5.30mm)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
DMT1D47K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .0047uF 100Vdc
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMT1D68KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 6800PF 10% 100VDC RAD
товар відсутній
DMT1D68K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .0068uF 100Vdc
товар відсутній
DMT1D68K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 6800PF 10% 100VDC RAD
товар відсутній
DMT1P15K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.15UF 10% 100VDC RAD
товар відсутній
DMT1P1K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.1UF 10% 100VDC RADIAL
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMT1P1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .1UF 100V 10%
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMT1P22K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.22UF 10% 100VDC RAD
на замовлення 500500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMT1P22K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .22uF 100Vdc
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMT1P33KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.33UF 10% 100VDC RAD
товар відсутній
DMT1P33K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 100Vdc .33uF
товар відсутній
DMT1P33K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.33UF 10% 100VDC RAD
товар відсутній
DMT1P47K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.47UF 10% 100VDC RAD
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMT1P47K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .47uF 100Vdc
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMT1P68K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.68UF 10% 100VDC RAD
товар відсутній
DMT1S15KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.015UF 10% 100VDC RAD
товар відсутній
DMT1S15K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.015uF 100Vdc
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMT1S15K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.015UF 10% 100VDC RAD
товар відсутній
DMT1S1K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 10000PF 10% 100VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.394" (10.00mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.448" (11.37mm)
Capacitance: 10000 pF
Size / Dimension: 0.512" L x 0.220" W (13.00mm x 5.60mm)
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.61 грн
10+ 85.66 грн
500+ 51.08 грн
1000+ 42.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT1S1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .01UF 100V 10%
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMT1S22KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.022UF 10% 100VDC RAD
товар відсутній
DMT1S22K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .022uF 100Vdc
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMT1S22K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.022UF 10% 100VDC RAD
товар відсутній
DMT1S33KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.033UF 10% 100VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.402" (10.20mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.444" (11.27mm)
Capacitance: 0.033 µF
Size / Dimension: 0.559" L x 0.248" W (14.20mm x 6.30mm)
товар відсутній
DMT1S33K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.033uF 100Vdc
товар відсутній
DMT1S33K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.033UF 10% 100VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.402" (10.20mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.444" (11.27mm)
Capacitance: 0.033 µF
Size / Dimension: 0.559" L x 0.248" W (14.20mm x 6.30mm)
товар відсутній
DMT1S47K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.047UF 10% 100VDC RAD
товар відсутній
DMT1S47K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.047uF 100V 10%
товар відсутній
DMT1S68K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.068UF 10% 100VDC RAD
на замовлення 4931500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMT1S68K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .068uF 100Vdc
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMT1W1K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 1UF 10% 100VDC RADIAL
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 1.169" (29.70mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.824" (20.92mm)
Capacitance: 1 µF
Size / Dimension: 1.331" L x 0.520" W (33.80mm x 13.20mm)
товар відсутній
DMT1W1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 1uF 100V 10%
на замовлення 994 шт:
термін постачання 225-234 дні (днів)
1+341.12 грн
10+ 270.78 грн
50+ 137.06 грн
DMT2-134-4.8LCoilcraftFixed Inductors 134uH Unshld 4.8A 100mOhms
товар відсутній
DMT2-149-3.8LCoilcraftPower Inductors - Leaded 149uH Unshld 3.8A 130mOhms
товар відсутній
DMT2-20-12LCoilcraftPower Inductors - Leaded 20uH Unshld 12A 20mOhms
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1664.6 грн
252+ 1153.42 грн
504+ 700.05 грн
1008+ 650.14 грн
DMT2-200-3.8LCoilcraftPower Inductors - Leaded 200uH Unshld 3.8A 190mOhms
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+774.08 грн
252+ 536.7 грн
504+ 325.42 грн
1008+ 302.93 грн
DMT2-26-11LCoilcraftPower Inductors - Leaded 26uH Unshld 11A 20mOhms
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1258.7 грн
252+ 871.33 грн
504+ 528.55 грн
1008+ 491.3 грн
DMT2-273-2.4LCoilcraftPower Inductors - Leaded 273uH Unshld 2.4A 260mOhms
товар відсутній
DMT2-380-2.4LCoilcraftPower Inductors - Leaded 380uH Shld 2.4A 380mOhms
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2396.04 грн
252+ 1659.41 грн
504+ 1007.19 грн
1008+ 936.21 грн
DMT2-47-8.2LCoilcraftPower Inductors - Leaded 47uH Shld 8.2A 40mOhms
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1251.32 грн
252+ 866.48 грн
504+ 525.74 грн
1008+ 488.49 грн
DMT2-49-8LCoilcraftFixed Inductors 49uH Unshld 8A 40mOhms
товар відсутній
DMT2-567-1.5LCoilcraftPower Inductors - Leaded 567uH Unshld 1.5A 560mOhms
товар відсутній
DMT2-79-6LCoilcraftFixed Inductors 79uH Unshld 6A 70mOhms
товар відсутній
DMT2-796-1.5LCoilcraftFixed Inductors 796uH Unshld 1.5A 790mOhms
товар відсутній
DMT2-80-6.3LCoilcraftPower Inductors - Leaded 80uH Unshld 6.3A 50mOhms
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1431.72 грн
252+ 991.77 грн
504+ 602.35 грн
1008+ 559.47 грн
DMT2004UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMT2004UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 14.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMT2004UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 24V 14.1A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMT2004UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 11.2A; Idm: 70A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 11.2A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 1.8W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT2004UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 11.2A; Idm: 70A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 11.2A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 1.8W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMT2004UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 24V 14.1A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMT2004UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 14.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.1 грн
10+ 36.31 грн
100+ 25.23 грн
500+ 18.49 грн
1000+ 15.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT2004UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.61 грн
10+ 39.61 грн
100+ 25.23 грн
500+ 19.75 грн
1000+ 16.03 грн
3000+ 13.07 грн
9000+ 12.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT2004UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 14.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMT2004UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 24V 14.1A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMT2004UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMT2004UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMT2004UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.34 грн
10+ 36.09 грн
100+ 25.02 грн
500+ 19.61 грн
1000+ 16.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT2004UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.45 грн
6000+ 15.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT2004UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 55A; Idm: 90A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMT2004UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 468-477 дні (днів)
8+46.49 грн
10+ 40.74 грн
100+ 24.11 грн
500+ 20.17 грн
1000+ 17.22 грн
2000+ 15.53 грн
4000+ 15.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT2004UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 55A; Idm: 90A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMT2004UFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 55A; Idm: 90A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT2004UFV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMT2004UFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 55A; Idm: 90A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMT2004UFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товар відсутній
DMT2004UFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.31 грн
10+ 40.17 грн
100+ 26.08 грн
500+ 20.52 грн
1000+ 15.81 грн
2000+ 11.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT2004UFV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 55A; Idm: 90A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMT2004UFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.74 грн
6000+ 13.47 грн
10000+ 12.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT2004UFV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 55A; Idm: 90A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT2004UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 80A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.98 грн
5000+ 15.49 грн
12500+ 14.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT2004UPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.79 грн
10+ 42.11 грн
100+ 24.95 грн
500+ 20.87 грн
1000+ 17.78 грн
2500+ 15.74 грн
5000+ 14.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT2005UDV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 374-383 дні (днів)
7+52.4 грн
10+ 44.21 грн
100+ 28.75 грн
500+ 22.56 грн
1000+ 17.43 грн
3000+ 15.04 грн
6000+ 14.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT2005UDV-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 24V 50A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT2005UDV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 40A; Idm: 70A; 1.9W
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 46.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT2005UDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 50A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товар відсутній
DMT2005UDV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 40A; Idm: 70A; 1.9W
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 46.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT2005UDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 50A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товар відсутній
DMT2005UDV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMT26M0LDG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товар відсутній
DMT2D22K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.0022uF 200/250Vdc
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.18 грн
10+ 63.05 грн
100+ 41.12 грн
500+ 32.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT2D22K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 2200PF 10% 250VDC RAD
товар відсутній
DMT2D47K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 4700PF 10% 250VDC RAD
товар відсутній
DMT2P1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .1UF 200V 10%
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMT2P1K-FCORNELL DUBILIERDescription: CORNELL DUBILIER - DMT2P1K-F - CAPACITOR POLYESTER FILM 0.1UF, 200V, 10%, RADIAL
tariffCode: 85322500
Produkthöhe: 0
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial Box - 2 Pin
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 17mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 0
Kondensatormontage: Through Hole
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 0
euEccn: NLR
Dielektrikum: Film / Foil PET
Spannung (AC): 0
Kapazität: 0.1µF
Spannung (DC): 0
Produktpalette: DMT Series
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: PC Pin
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Feuchtigkeitsklasse: -
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMT2P1K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.1UF 10% 250VDC RADIAL
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.669" (17.00mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 125V
Voltage Rating - DC: 250V
Height - Seated (Max): 0.606" (15.40mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
Size / Dimension: 0.819" L x 0.354" W (20.80mm x 9.00mm)
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.05 грн
10+ 98.11 грн
500+ 60.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT2P22K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.22uF 200V 10%
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.46 грн
10+ 188.33 грн
50+ 150.41 грн
100+ 118.78 грн
600+ 98.4 грн
1000+ 85.75 грн
2000+ 82.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
DMT2P22K-FCornell Dubilier KnowlesDescription: CAP FILM 0.22UF 10% 250VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.795" (20.20mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 125V
Voltage Rating - DC: 250V
Height - Seated (Max): 0.724" (18.38mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.22 µF
Size / Dimension: 0.945" L x 0.413" W (24.00mm x 10.50mm)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.58 грн
10+ 156.02 грн
50+ 123.54 грн
100+ 106.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
DMT2P33K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.33UF 10% 250VDC RAD
товар відсутній
DMT2P47K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.47UF 10% 250VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.921" (23.40mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 125V
Voltage Rating - DC: 250V
Height - Seated (Max): 0.822" (20.87mm)
Capacitance: 0.47 µF
Size / Dimension: 1.110" L x 0.531" W (28.20mm x 13.50mm)
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.74 грн
10+ 368.85 грн
100+ 287.5 грн
1000+ 226.32 грн
DMT2P47K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.47uF 200V 10%
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMT2P68KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD
товар відсутній
DMT2P68K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD
товар відсутній
DMT2S1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .01uF 200/250Vdc
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMT2S1K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 10000PF 10% 250VDC RAD
товар відсутній
DMT2S47K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.047uF 200V 10%
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.96 грн
10+ 113.97 грн
100+ 74.5 грн
500+ 56.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT2S47K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.047UF 10% 250VDC RAD
товар відсутній
DMT3-138-6LCoilcraftFixed Inductors DMT1 Power Chokes Toroidal Output
товар відсутній
DMT3-1439-1.5LCoilcraftPower Inductors - Leaded 1.439 mH Unshld 1.5A 1.176Ohms
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2512.48 грн
252+ 1741.05 грн
504+ 1056.39 грн
1008+ 981.89 грн
DMT3-257-4.9LCoilcraftPower Inductors - Leaded 257uH Unshld 4.9A 150mOhms
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1325.94 грн
252+ 918.21 грн
504+ 557.37 грн
1008+ 518.01 грн
DMT3-35-12LCoilcraftPower Inductors - Leaded 35uH Unshld 12A 19mOhms
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1207.04 грн
252+ 835.77 грн
504+ 507.46 грн
1008+ 471.62 грн
DMT3-402-3.7LCoilcraftPower Inductors - Leaded 402uH Unshld - 3.7A 279mOhms
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2305.02 грн
252+ 1596.36 грн
504+ 968.54 грн
1008+ 901.06 грн
DMT3-695-2.4LCoilcraftPower Inductors - Leaded 695uH Unshld 2.4A 550mOhms
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2157.42 грн
252+ 1494.52 грн
504+ 906.69 грн
1008+ 842.73 грн
DMT3-77-8LCoilcraftPower Inductors - Leaded 77uH Unshld - 8A 40mOhms
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1705.6 грн
252+ 1181.71 грн
504+ 716.91 грн
DMT3002LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
товар відсутній
DMT3002LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товар відсутній
DMT3003LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT3003LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3003LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI
товар відсутній
DMT3003LFG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товар відсутній
DMT3003LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.98 грн
10+ 45.03 грн
100+ 31.19 грн
500+ 24.46 грн
1000+ 20.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMT3003LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMT3003LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3003LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.51 грн
6000+ 18.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT3003LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.27 грн
10+ 49.39 грн
100+ 31.21 грн
500+ 26.01 грн
1000+ 22.14 грн
2000+ 19.4 грн
4000+ 18.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMT3003LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
товар відсутній
DMT3003LFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS 25V-30V
товар відсутній
DMT3003LFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS 25V-30V
товар відсутній
DMT3003LFGQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMT3003LFGQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3003LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMT3004LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
товар відсутній
DMT3004LFG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товар відсутній
DMT3004LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товар відсутній
DMT3004LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
товар відсутній
DMT3004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.34 грн
10+ 49.05 грн
100+ 38.14 грн
500+ 30.33 грн
1000+ 24.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT3004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT3004LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; Idm: 180A; 2.7W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 43.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 180A
Case: PowerDI5060-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 17A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3004LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; Idm: 180A; 2.7W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 43.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 180A
Case: PowerDI5060-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 17A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT3004LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET 30V N-Ch Enh FET
товар відсутній
DMT3004LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
товар відсутній
DMT3006LDK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 17.1A/46.2A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 46.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
на замовлення 5559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.93 грн
12+ 26.28 грн
100+ 18.26 грн
500+ 13.38 грн
1000+ 10.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMT3006LDK-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.83 грн
11+ 30.23 грн
100+ 18.27 грн
500+ 14.27 грн
1000+ 11.6 грн
3000+ 9.84 грн
9000+ 9.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMT3006LDK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 17.1A/46.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 46.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMT3006LDV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
товар відсутній
DMT3006LDV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
товар відсутній
DMT3006LFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3006LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товар відсутній
DMT3006LFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMT3006LFDF-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 14.1A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMT3006LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
товар відсутній
DMT3006LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 55854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.97 грн
11+ 28.48 грн
100+ 19.83 грн
500+ 14.53 грн
1000+ 11.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMT3006LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT3006LFDF-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 14.1A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMT3006LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.68 грн
6000+ 10.67 грн
9000+ 9.91 грн
30000+ 9.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMT3006LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3006LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 54769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.13 грн
11+ 30.39 грн
100+ 19.82 грн
500+ 15.46 грн
1000+ 12.58 грн
3000+ 10.12 грн
9000+ 9.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMT3006LFDFQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3006LFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
товар відсутній
DMT3006LFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
товар відсутній
DMT3006LFDFQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT3006LFDFQ-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 25V30V U-DFN2020-6 T&R 3K
товар відсутній
DMT3006LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.8A; Idm: 80A; 27.8W
Mounting: SMD
Power dissipation: 27.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.8A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3006LFG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
товар відсутній
DMT3006LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
товар відсутній
DMT3006LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.8A; Idm: 80A; 27.8W
Mounting: SMD
Power dissipation: 27.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.8A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT3006LFG-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT3006LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.98 грн
10+ 45.03 грн
100+ 31.16 грн
500+ 24.43 грн
1000+ 20.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMT3006LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.8A; Idm: 80A; 27.8W
Mounting: SMD
Power dissipation: 27.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.8A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3006LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.27 грн
10+ 52.54 грн
100+ 32.96 грн
500+ 26.78 грн
1000+ 22.14 грн
2000+ 20.1 грн
4000+ 19.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMT3006LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT3006LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.8A; Idm: 80A; 27.8W
Mounting: SMD
Power dissipation: 27.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.8A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMT3006LFG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT3006LFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
товар відсутній
DMT3006LFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0056 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.87 грн
17+ 48.41 грн
100+ 30.51 грн
500+ 23.65 грн
1000+ 20.34 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMT3006LFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; Idm: 90A; 2W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 45A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3006LFV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.64 грн
10+ 45.1 грн
100+ 27.13 грн
500+ 22.7 грн
1000+ 19.26 грн
3000+ 16.94 грн
6000+ 16.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT3006LFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; Idm: 90A; 2W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 45A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT3006LFV-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT3006LFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0056 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.51 грн
500+ 23.65 грн
1000+ 20.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMT3006LFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.14 грн
10+ 39.17 грн
100+ 27.14 грн
500+ 21.28 грн
1000+ 18.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT3006LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
товар відсутній
DMT3006LFV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
товар відсутній
DMT3006LFVQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; Idm: 90A; 2W
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 45A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT3006LFVQ-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 60A Automotive T/R
товар відсутній
DMT3006LFVQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
товар відсутній
DMT3006LFVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
товар відсутній
DMT3006LFVQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; Idm: 90A; 2W
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 45A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3006LFVQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.97 грн
10+ 49.22 грн
100+ 29.66 грн
500+ 24.74 грн
1000+ 21.09 грн
2000+ 18.77 грн
4000+ 18.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMT3006LFVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT3006LFVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+50.94 грн
10+ 42.76 грн
100+ 29.63 грн
500+ 23.23 грн
1000+ 19.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMT3006LPB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80...100A
Case: PowerDI5060-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9/11A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3006LPB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.5 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT3006LPB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80...100A
Case: PowerDI5060-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9/11A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT3006LPB-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS 25V-30V
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.35 грн
10+ 43.73 грн
100+ 25.94 грн
500+ 21.72 грн
1000+ 18.91 грн
2500+ 15.95 грн
5000+ 15.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT3006LPB-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 11A/14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT3006LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.58 грн
5000+ 13.77 грн
7500+ 13.14 грн
12500+ 11.67 грн
17500+ 11.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT3006LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.05 грн
10+ 40.5 грн
100+ 24.53 грн
500+ 19.12 грн
1000+ 15.53 грн
2500+ 14.55 грн
10000+ 13.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT3006LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.58 грн
10+ 35.22 грн
100+ 24.51 грн
500+ 17.96 грн
1000+ 14.6 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT3008LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMT3008LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A
товар відсутній
DMT3008LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A
товар відсутній
DMT3008LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.79 грн
6000+ 18.97 грн
9000+ 17.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMT3009LDT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 80A; 1.2W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 80A
Case: V-DFN3030-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3009LDT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.08 грн
10+ 54.8 грн
100+ 37.04 грн
500+ 31.42 грн
1000+ 25.58 грн
3000+ 25.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT3009LDT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
Part Status: Active
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.82 грн
10+ 47.66 грн
100+ 37.09 грн
500+ 29.51 грн
1000+ 24.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT3009LDT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 80A; 1.2W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 80A
Case: V-DFN3030-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT3009LDT-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin VDFN T/R
товар відсутній
DMT3009LDT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
Part Status: Active
товар відсутній
DMT3009LEVDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMT3009LEV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товар відсутній
DMT3009LEV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 25V-30V POWERDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
DMT3009LEV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 25V-30V POWERDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
DMT3009LEV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товар відсутній
DMT3009LFVW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
товар відсутній
DMT3009LFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
товар відсутній
DMT3009LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.76 грн
10+ 39.28 грн
100+ 23.76 грн
500+ 19.82 грн
1000+ 17.22 грн
2000+ 15.32 грн
4000+ 14.9 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT3009LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.06 грн
10+ 34.19 грн
100+ 23.68 грн
500+ 18.56 грн
1000+ 15.8 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT3009LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT3009LFVW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3009LFVW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT3009LFVW-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT3009LFVWQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3009LFVWQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT3009LFVWQ-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 12A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT3009LFVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
товар відсутній
DMT3009LFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMT3009LFVWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Case: PowerDI®3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT3009LFVWQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 12A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT3009LFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.64 грн
10+ 44.86 грн
100+ 27.06 грн
500+ 22.63 грн
1000+ 19.26 грн
2000+ 17.15 грн
4000+ 16.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT3009LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMT3009LFVWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Case: PowerDI®3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3009LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.14 грн
10+ 39.1 грн
100+ 27.03 грн
500+ 21.2 грн
1000+ 18.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT3009UDT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.6A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta), 16W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type KS)
Part Status: Active
товар відсутній
DMT3009UDT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V V-DFN3030-8 T&R 1.5K
товар відсутній
DMT3009UFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894 pF @ 15 V
товар відсутній
DMT3009UFVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товар відсутній
DMT3009UFVW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 80A; 2.6W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 80A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3009UFVW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 80A; 2.6W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 80A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT3009UFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894 pF @ 15 V
товар відсутній
DMT3009UFVW-7Diodes Inc30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMT3009UFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товар відсутній
DMT3011LDT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A/10.7A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 10.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.08 грн
6000+ 21.06 грн
9000+ 19.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMT3011LDT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товар відсутній
DMT3011LDT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A/10.7A 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 10.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
Part Status: Active
на замовлення 17153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.82 грн
10+ 50.74 грн
100+ 35.09 грн
500+ 27.52 грн
1000+ 23.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT3020LDT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V V-DFN3030-8 T&R 1.5K
товар відсутній
DMT3020LDV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.98 грн
10+ 35.4 грн
100+ 22.98 грн
500+ 18.13 грн
1000+ 13.99 грн
3000+ 10.89 грн
9000+ 10.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT3020LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 32A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Part Status: Active
на замовлення 44814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.02 грн
10+ 31.34 грн
100+ 21.79 грн
500+ 15.97 грн
1000+ 12.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT3020LDV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 50A; 1.9W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT3020LDV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.43 грн
10+ 34.27 грн
100+ 20.73 грн
500+ 16.24 грн
1000+ 13.92 грн
2000+ 12.16 грн
10000+ 11.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMT3020LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 32A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Part Status: Active
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.84 грн
6000+ 11.73 грн
10000+ 10.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT3020LDV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 50A; 1.9W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3020LFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A 6UDFN
товар відсутній
DMT3020LFCL-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
товар відсутній
DMT3020LFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
товар відсутній
DMT3020LFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
товар відсутній
DMT3020LFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3020LFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMT3020LFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.31 грн
10+ 39.77 грн
100+ 24.04 грн
500+ 18.84 грн
1000+ 15.32 грн
3000+ 13.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT3020LFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3020LFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.91 грн
500+ 20.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMT3020LFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT3020LFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 413657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.34 грн
10+ 35.66 грн
100+ 24.77 грн
500+ 18.15 грн
1000+ 14.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT3020LFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.06 грн
18+ 44.31 грн
100+ 27.91 грн
500+ 20.21 грн
Мінімальне замовлення: 15
DMT3020LFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 411000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.59 грн
6000+ 13.34 грн
9000+ 12.38 грн
30000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMT3020LFDBQ-13Diodes IncDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMT3020LFDBQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.61 грн
10+ 33.46 грн
100+ 24.46 грн
500+ 22.35 грн
1000+ 17.85 грн
10000+ 10.75 грн
20000+ 10.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT3020LFDBQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3020LFDBQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMT3020LFDBQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.16 грн
10+ 35.48 грн
100+ 21.51 грн
500+ 16.8 грн
1000+ 13.64 грн
3000+ 13.21 грн
9000+ 10.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT3020LFDBQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3020LFDBQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT3020LFDBQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.02 грн
10+ 30.82 грн
100+ 21.45 грн
500+ 15.72 грн
1000+ 12.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT3020LFDBQ-7Diodes IncDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMT3020LFDBQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMT3020LFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMT3020LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET NCH 30V 8.4A UDFN2020
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMT3020LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMT3020LFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3020LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
на замовлення 92654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.58 грн
10+ 35 грн
100+ 24.34 грн
500+ 17.83 грн
1000+ 14.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT3020LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.49 грн
10+ 39.12 грн
100+ 23.69 грн
500+ 18.49 грн
1000+ 15.04 грн
3000+ 13.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT3020LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3020LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT3020LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMT3020LFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMT3020LFDFQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; Idm: 40A; 0.4W
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3020LFDFQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; Idm: 40A; 0.4W
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT3020LFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.46 грн
10+ 31.41 грн
100+ 20.25 грн
500+ 14.49 грн
1000+ 13.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMT3020LFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.87 грн
11+ 29.74 грн
100+ 20.03 грн
500+ 16.52 грн
1000+ 13.64 грн
3000+ 11.53 грн
9000+ 11.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMT3020LFDFQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3020LFDFQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT3020LFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.38 грн
6000+ 10.92 грн
9000+ 10.42 грн
15000+ 9.24 грн
21000+ 8.92 грн
30000+ 8.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMT3020LFVWDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMT3020LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 38A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.45 грн
6000+ 10.47 грн
10000+ 9.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT3020LFVW-7Diodes Zetex30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (SWP) (Type UX)
товар відсутній
DMT3020LFVW-7Diodes Zetex30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (SWP) (Type UX)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT3020LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
товар відсутній
DMT3020LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 44865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.06 грн
10+ 33.97 грн
100+ 23.62 грн
500+ 17.3 грн
1000+ 14.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT3020LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.76 грн
10+ 39.12 грн
100+ 25.44 грн
500+ 19.96 грн
1000+ 15.39 грн
2500+ 14.06 грн
10000+ 12.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT3020LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.91 грн
5000+ 12.72 грн
12500+ 11.81 грн
25000+ 10.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT3020LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 53150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.36 грн
11+ 29.58 грн
100+ 19.61 грн
500+ 16.45 грн
1000+ 13.71 грн
2500+ 12.65 грн
10000+ 12.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMT3020LSDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 50A; 1.5W; SO8
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT3020LSDQ-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMT3020LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1268488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.34 грн
10+ 35.88 грн
100+ 24.97 грн
500+ 18.3 грн
1000+ 14.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT3020LSDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 50A; 1.5W; SO8
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT3020LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1267500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.71 грн
5000+ 13.45 грн
12500+ 12.49 грн
25000+ 11.5 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT3020UFDB-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 25V30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMT3020UFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; Idm: 35A; 1.3W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 35A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMT3020UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMT3020UFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; Idm: 35A; 1.3W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 35A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
товар відсутній
DMT3020UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
товар відсутній
DMT3022UEV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 903pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
товар відсутній
DMT3022UEV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товар відсутній
DMT3022UEV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товар відсутній
DMT3022UEV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 903pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
товар відсутній
DMT30M9LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
товар відсутній
DMT30M9LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12121 pF @ 20 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.09 грн
5000+ 77.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT30M9LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 2.6W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Case: PowerDI5060-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT30M9LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 320A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT30M9LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 2.6W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Case: PowerDI5060-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT30M9LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12121 pF @ 20 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.99 грн
10+ 147.38 грн
100+ 117.32 грн
500+ 93.16 грн
1000+ 79.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
DMT31M6LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 35.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT31M6LPS-13DIODES INCORPORATEDDMT31M6LPS-13 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMT31M6LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 35.8A PWRDI5060
товар відсутній
DMT31M6LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS 25V-30V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMT31M7LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 30A PWRDI5060
товар відсутній
DMT32M4LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4366 pF @ 15 V
товар відсутній
DMT32M4LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4366 pF @ 15 V
товар відсутній
DMT32M4LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M4LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0014 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.88 грн
18+ 45.49 грн
100+ 37.69 грн
500+ 31.34 грн
2000+ 28.45 грн
Мінімальне замовлення: 16
DMT32M4LPSW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M4LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMT32M4LPSW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M4LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.26 грн
20+ 39.66 грн
Мінімальне замовлення: 18
DMT32M4LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 15 V
товар відсутній
DMT32M5LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4066 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 833856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.31 грн
10+ 61.94 грн
100+ 48.18 грн
500+ 38.32 грн
1000+ 31.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT32M5LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; Idm: 350A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMT32M5LFG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.28 грн
10+ 68.87 грн
100+ 46.6 грн
500+ 39.5 грн
1000+ 32.19 грн
3000+ 28.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT32M5LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4066 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 831000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.52 грн
6000+ 29.83 грн
9000+ 28.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMT32M5LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; Idm: 350A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT32M5LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4066 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.31 грн
10+ 61.94 грн
100+ 48.18 грн
500+ 38.32 грн
1000+ 31.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT32M5LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; Idm: 350A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMT32M5LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4066 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.52 грн
6000+ 29.83 грн
10000+ 28.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT32M5LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; Idm: 350A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMT32M5LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.28 грн
10+ 68.87 грн
100+ 46.6 грн
500+ 39.5 грн
1000+ 32.19 грн
2000+ 30.36 грн
4000+ 28.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT32M5LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 350A; 3.2W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.2W
On-state resistance: 3mΩ
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 350A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT32M5LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 350A; 3.2W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.2W
On-state resistance: 3mΩ
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 350A
товар відсутній
DMT32M5LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 25 V
на замовлення 762465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.34 грн
10+ 52.35 грн
100+ 36.23 грн
500+ 28.41 грн
1000+ 24.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT32M5LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.08 грн
10+ 57.47 грн
100+ 34.51 грн
500+ 28.82 грн
1000+ 24.6 грн
2500+ 21.02 грн
5000+ 20.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT32M5LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 25 V
на замовлення 760000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.83 грн
5000+ 21.74 грн
12500+ 20.13 грн
25000+ 18.7 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT32M5LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 150A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT32M5LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4389 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT32M5LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT32M6LDG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
Part Status: Active
на замовлення 23990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.92 грн
10+ 82.59 грн
100+ 64.24 грн
500+ 51.1 грн
1000+ 41.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT32M6LDG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.36 грн
6000+ 39.77 грн
9000+ 37.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMT32M6LDG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товар відсутній
DMT32M6LDG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товар відсутній
DMT32M6LDG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
Part Status: Active
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.92 грн
10+ 82.59 грн
100+ 64.24 грн
500+ 51.1 грн
1000+ 41.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT32M6LDG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.36 грн
6000+ 39.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT334R2S474M3DTA0Murata ElectronicsCap Supercap 0.47F 4.2V 20% (21 X 14 X 3.5mm) SMD Gull Wing Flat 0.13 Ohm 2000h 85C Bulk
товар відсутній
DMT334R2S474M3DTA0Murata ElectronicsSupercapacitors / Ultracapacitors EDLC 470mF 4.2V 20% 21x14x3.5mm
товар відсутній
DMT334R2S474M3DTA0CAP-XX Ltd SupercapacitorsDescription: CAP 470MF 4.2V -40-+85C
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.827" L x 0.551" W (21.00mm x 14.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
ESR (Equivalent Series Resistance): 156mOhm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.150" (3.80mm)
Part Status: Active
Capacitance: 470 mF
Voltage - Rated: 4.2 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+760.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT34M1LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT34M1LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2242 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 137437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.62 грн
10+ 37.85 грн
100+ 26.22 грн
500+ 20.56 грн
1000+ 17.5 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT34M1LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT34M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0026 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.48 грн
500+ 23.94 грн
1000+ 21.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMT34M1LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.79 грн
10+ 41.47 грн
100+ 25.02 грн
500+ 20.95 грн
1000+ 17.78 грн
2500+ 15.81 грн
5000+ 14.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT34M1LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2242 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.24 грн
5000+ 15.73 грн
12500+ 14.57 грн
25000+ 13.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT34M1LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT34M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0026 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.03 грн
17+ 46.83 грн
100+ 32.48 грн
500+ 23.94 грн
1000+ 21.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
DMT34M1LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 1.3W; PowerDI®5060-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 5.2mΩ
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®5060-8
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT34M1LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT34M1LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 1.3W; PowerDI®5060-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 5.2mΩ
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®5060-8
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
DMT34M2LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT34M2LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2242 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товар відсутній
DMT34M2LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
товар відсутній
DMT34M8LFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 15 V
товар відсутній
DMT34M8LFDE-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMT34M8LFDE-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
товар відсутній
DMT34M8LFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 15 V
товар відсутній
DMT35M4LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMT35M4LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 15 V
на замовлення 67024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMT35M4LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 1.7W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT35M4LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 9812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.16 грн
12+ 28.21 грн
100+ 19.47 грн
500+ 17.29 грн
1000+ 14.76 грн
3000+ 10.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT35M4LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT35M4LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0049 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.24 грн
500+ 13.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMT35M4LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 1.7W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT35M4LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 15 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMT35M4LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT35M4LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0049 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.14 грн
28+ 28.54 грн
100+ 19.24 грн
500+ 13.91 грн
Мінімальне замовлення: 22
DMT35M4LFDF4-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMT35M4LFDF4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.13 грн
10+ 36.21 грн
100+ 23.55 грн
500+ 18.49 грн
1000+ 14.76 грн
3000+ 12.51 грн
9000+ 11.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT35M4LFVW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.46 грн
10+ 36.45 грн
100+ 23.69 грн
500+ 18.63 грн
1000+ 14.83 грн
3000+ 12.58 грн
9000+ 11.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT35M4LFVW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 110A; 1.5W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Case: PowerDI®3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT35M4LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.64 грн
10+ 36.45 грн
100+ 25.23 грн
500+ 23.62 грн
1000+ 19.33 грн
2000+ 15.53 грн
24000+ 15.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT35M4LFVW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 110A; 1.5W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Case: PowerDI®3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT35M7LFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.12 грн
10+ 47.28 грн
100+ 28.04 грн
500+ 23.41 грн
1000+ 19.96 грн
3000+ 16.87 грн
6000+ 16.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT35M7LFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 90A; 1.98W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.98W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT35M7LFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 90A; 1.98W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.98W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
DMT35M7LFV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
товар відсутній
DMT35M8LDG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товар відсутній
DMT35M8LDG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW (Ta), 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 15.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1032pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V, 5.8mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7nC @ 10V, 16.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.46 грн
6000+ 26.1 грн
9000+ 24.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMT35M8LDG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW (Ta), 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 15.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1032pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V, 5.8mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7nC @ 10V, 16.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.46 грн
6000+ 26.1 грн
10000+ 24.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT35M8LDG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW (Ta), 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 15.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1032pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V, 5.8mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7nC @ 10V, 16.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.43 грн
10+ 54.25 грн
100+ 42.16 грн
500+ 33.54 грн
1000+ 27.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT36M1LPSDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMT36M1LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT36M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0048 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.84 грн
500+ 18.08 грн
1000+ 15.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMT36M1LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 100A; 2.6W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT36M1LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 5569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.49 грн
10+ 29.65 грн
100+ 20.61 грн
500+ 15.1 грн
1000+ 12.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMT36M1LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 100A; 2.6W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT36M1LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.14 грн
5000+ 11.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT36M1LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT36M1LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT36M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0048 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.76 грн
22+ 37.06 грн
100+ 24.84 грн
500+ 18.08 грн
1000+ 15.27 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMT36M1LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 4993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.69 грн
10+ 34.11 грн
100+ 20.59 грн
500+ 16.1 грн
1000+ 13.07 грн
2500+ 11.03 грн
10000+ 10.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMT36M1LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT3N4R2U224M3DTA0Murata ElectronicsCap Supercap 0.22F 4.2V 20% (21 X 14 X 2.2mm) SMD Gull Wing Flat 0.3 Ohm 1000h 85C Box
товар відсутній
DMT3N4R2U224M3DTA0Murata ElectronicsSupercapacitors / Ultracapacitors EDLC 220mF 4.2V 20% 21x14x2.2mm
на замовлення 4406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMT3N4R2U224M3DTA0CAP-XX Ltd SupercapacitorsDescription: CAP 220MF 4.2V -40-+85C
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.827" L x 0.551" W (21.00mm x 14.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
ESR (Equivalent Series Resistance): 360mOhm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.098" (2.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 220 mF
Voltage - Rated: 4.2 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+701.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT4001LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12121 pF @ 20 V
товар відсутній
DMT4001LPS-13Diodes Inc40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8
товар відсутній
DMT4001LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT4002LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.19 грн
10+ 85.15 грн
100+ 66.23 грн
500+ 51.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMT4002LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT4002LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6771 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 264780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.48 грн
10+ 86.39 грн
100+ 67.17 грн
500+ 53.43 грн
1000+ 43.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT4002LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.46 грн
10+ 99.42 грн
100+ 68.32 грн
500+ 61.99 грн
1000+ 45.05 грн
2500+ 40.84 грн
5000+ 38.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT4002LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 116.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT4002LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.23 грн
500+ 51.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMT4002LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 116.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
товар відсутній
DMT4002LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6771 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 262500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.34 грн
5000+ 41.58 грн
12500+ 39.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT4003SCTDiodes IncTrans MOSFET N-CH 40V 205A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
DMT4003SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 205A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6865 pF @ 20 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.29 грн
10+ 97.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT4003SCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.98 грн
10+ 90.53 грн
100+ 58.62 грн
500+ 49.62 грн
1000+ 41.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT4003SCTDIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 164A; Idm: 350A; 156W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 164A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 350A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT4003SCTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4003SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.58 грн
10+ 93.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT4003SCTDIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 164A; Idm: 350A; 156W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 164A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 350A
товар відсутній
DMT4003SCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 205A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
DMT4004LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 21A; Idm: 100A; 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 21A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 82.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
товар відсутній
DMT4004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 26A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4508 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 74468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.07 грн
10+ 62.31 грн
100+ 48.46 грн
500+ 38.55 грн
1000+ 31.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT4004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 26A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4508 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.71 грн
5000+ 30 грн
12500+ 28.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMT4004LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.46 грн
10+ 68.3 грн
100+ 46.25 грн
500+ 39.22 грн
1000+ 31.98 грн
2500+ 31.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT4004LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 21A; Idm: 100A; 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 21A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 82.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT4005SCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+54.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMT4005SCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.8 грн
10+ 103.46 грн
100+ 78.72 грн
500+ 72.39 грн
1000+ 60.87 грн
2500+ 56.65 грн
5000+ 54.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT4005SCTDIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; Idm: 160A; 104W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT4005SCTDiodes IncTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
DMT4005SCTDIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; Idm: 160A; 104W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
товар відсутній
DMT4005SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.77 грн
10+ 113.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT4008LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMT4008LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 0.0078 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.06 грн
500+ 33.46 грн
1000+ 23.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMT4008LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.84 грн
10+ 44.13 грн
100+ 29.45 грн
500+ 23.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT4008LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 0.0078 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.51 грн
18+ 44.63 грн
100+ 37.06 грн
500+ 33.46 грн
1000+ 23.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMT4008LFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.7A; Idm: 70A; 1.9W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT4008LFV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товар відсутній
DMT4008LFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.7A; Idm: 70A; 1.9W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
товар відсутній
DMT4008LFV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товар відсутній
DMT4008LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товар відсутній
DMT4011LFGDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMT4011LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.49 грн
10+ 29.8 грн
100+ 20.71 грн
500+ 15.18 грн
1000+ 12.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMT4011LFG-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT4011LFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0092 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.55 грн
22+ 37.22 грн
100+ 23.26 грн
500+ 16.91 грн
1000+ 14.46 грн
Мінімальне замовлення: 18
DMT4011LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT4011LFG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.43 грн
10+ 34.27 грн
100+ 20.73 грн
500+ 16.24 грн
1000+ 13.21 грн
3000+ 11.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMT4011LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMT4011LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.6A; Idm: 65A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 65A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.6A
On-state resistance: 17.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT4011LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMT4011LFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0092 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.26 грн
500+ 16.91 грн
1000+ 14.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMT4011LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.6A; Idm: 65A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 65A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.6A
On-state resistance: 17.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT4011LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0092 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.26 грн
500+ 16.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMT4011LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.43 грн
10+ 34.27 грн
100+ 20.73 грн
500+ 16.52 грн
1000+ 13.49 грн
2000+ 11.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMT4011LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.6A; Idm: 65A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 65A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.6A
On-state resistance: 17.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT4011LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.49 грн
10+ 29.8 грн
100+ 20.71 грн
500+ 15.18 грн
1000+ 12.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMT4011LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0092 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.55 грн
22+ 37.22 грн
100+ 23.26 грн
500+ 16.91 грн
Мінімальне замовлення: 18
DMT4011LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.6A; Idm: 65A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 65A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.6A
On-state resistance: 17.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT4011LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT4011LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.2 грн
6000+ 11.15 грн
10000+ 10.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT4011LFG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT4011LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT4011LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8 T&R 2.5K
товар відсутній
DMT4011LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.31W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829 pF @ 20 V
товар відсутній
DMT4014LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 26.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.78 грн
10+ 48.39 грн
100+ 33.54 грн
500+ 26.3 грн
1000+ 22.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMT4014LDV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.63 грн
10+ 56.01 грн
100+ 38.09 грн
500+ 31.42 грн
1000+ 26.71 грн
2000+ 22.63 грн
10000+ 22.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT4014LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 26.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT40M9LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товар відсутній
DMT43M8LFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V N-Ch Enhance Mode
товар відсутній
DMT43M8LFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs 40V N-Ch Enhance Mode
товар відсутній
DMT47M2LDV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 3K
товар відсутній
DMT47M2LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товар відсутній
DMT47M2LDV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 9.5A; Idm: 120A; 14.8W
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 14.8W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
DMT47M2LDV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 2K
товар відсутній
DMT47M2LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT47M2LDV-7Diodes IncDUAL 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8
товар відсутній
DMT47M2LDV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 9.5A; Idm: 120A; 14.8W
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 14.8W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMT47M2LDVQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 3K
товар відсутній
DMT47M2LDVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.82 грн
6000+ 30.1 грн
9000+ 28.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMT47M2LDVQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.64 грн
10+ 67.82 грн
100+ 45.9 грн
500+ 38.87 грн
1000+ 31.7 грн
2000+ 29.8 грн
4000+ 28.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT47M2LDVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT47M2LDVQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.5A; Idm: 120A; 2.34W
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 2.34W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMT47M2LDVQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.5A; Idm: 120A; 2.34W
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 2.34W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
DMT47M2LDVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.07 грн
10+ 62.52 грн
100+ 48.62 грн
500+ 38.68 грн
1000+ 31.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT47M2SFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
товар відсутній
DMT47M2SFVW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товар відсутній
DMT47M2SFVW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.3A; Idm: 196A; 2.67W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.67W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 196A
Case: PowerDI3333-8
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMT47M2SFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.5 грн
6000+ 15.97 грн
10000+ 14.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMT47M2SFVW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.3A; Idm: 196A; 2.67W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.67W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 196A
Case: PowerDI3333-8
товар відсутній
DMT47M2SFVW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 3520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.79 грн
10+ 41.71 грн
100+ 25.16 грн
500+ 21.02 грн
1000+ 17.92 грн
2000+ 16.03 грн
4000+ 14.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT47M2SFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.38 грн
10+ 38.44 грн
100+ 26.62 грн
500+ 20.87 грн
1000+ 17.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMT47M2SFVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товар відсутній
DMT47M2SFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMT47M2SFVWQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.3A; Idm: 196A; 2.67W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.67W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 196A
Case: PowerDI3333-8
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT47M2SFVWQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.3A; Idm: 196A; 2.67W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.67W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 196A
Case: PowerDI3333-8
товар відсутній
DMT47M2SFVWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT47M2SFVWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMT47M2SFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMT47M2SFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 21502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.04 грн
10+ 51.97 грн
100+ 35.14 грн
500+ 29.8 грн
1000+ 24.25 грн
2000+ 22.84 грн
4000+ 22.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMT47M2SFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMT4D47KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD
товар відсутній
DMT4D68K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .0068UF 400V 10%
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMT4P1KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL
товар відсутній
DMT4P1K-FCornell Dubilier KnowlesDescription: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.732" (18.60mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 200V
Voltage Rating - DC: 400V
Height - Seated (Max): 0.763" (19.37mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
Size / Dimension: 0.882" L x 0.472" W (22.40mm x 12.00mm)
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+489.63 грн
10+ 324.05 грн
50+ 264.29 грн
100+ 230.51 грн
500+ 200.58 грн
1000+ 191.21 грн
DMT4P1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.1uF 400V 10%
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+353.42 грн
10+ 314.42 грн
50+ 246.7 грн
100+ 224.21 грн
DMT4P22KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD
товар відсутній
DMT4P22K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.22uF 400V 10%
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+491.18 грн
10+ 419.5 грн
20+ 346.51 грн
50+ 327.53 грн
100+ 283.95 грн
200+ 269.19 грн
500+ 254.43 грн
DMT4P22K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD
товар відсутній
DMT4S1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.01uF 400V 10%
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMT4S1K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.402" (10.20mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 200V
Voltage Rating - DC: 400V
Height - Seated (Max): 0.551" (14.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 10000 pF
Size / Dimension: 0.567" L x 0.331" W (14.40mm x 8.40mm)
на замовлення 27979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.79 грн
10+ 139.11 грн
500+ 85.22 грн
1000+ 69.98 грн
5000+ 64.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
DMT5012LFVW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товар відсутній
DMT5012LFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
товар відсутній
DMT5012LFVW-7Diodes IncorporatedGlenair CIRC MGHTY MSE (80/60) - CIRCULAR MIGHTY MOUSE
товар відсутній
DMT5012LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
товар відсутній
DMT5015LFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 7.3A; Idm: 60A; 1.2W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 7.3A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMT5015LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET 50V N-Ch Enh FET 15mOhm 10Vgs 9.1A
товар відсутній
DMT5015LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902.7 pF @ 25 V
товар відсутній
DMT5015LFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 7.3A; Idm: 60A; 1.2W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 7.3A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMT5015LFDF-13Diodes IncN-Channel Enhancement Mode Mosfet
товар відсутній
DMT5015LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 7.3A; Idm: 60A; 1.2W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 7.3A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMT5015LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET 50V N-Ch Enh FET 15mOhm 10Vgs 9.1A
на замовлення 64141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.36 грн
10+ 42.03 грн
100+ 27.27 грн
500+ 21.51 грн
1000+ 16.59 грн
3000+ 15.04 грн
9000+ 13.07 грн
Мінімальне замовлення: 7