![DMT10H017LPD-13 DMT10H017LPD-13](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1273/31%3BPowerDI5060-8TypeC%3B%3B8.jpg)
DMT10H017LPD-13 Diodes Incorporated
![DMT10H017LPD.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 47.96 грн |
5000+ | 43.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H017LPD-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.2W (Ta), 78W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.7A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMT10H017LPD-13 за ціною від 42.52 грн до 125.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMT10H017LPD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.2W (Ta), 78W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMT10H017LPD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 2145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMT10H017LPD-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
DMT10H017LPD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
DMT10H017LPD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43.7A; Idm: 60A; 2.2W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 30.3mΩ Drain current: 43.7A Power dissipation: 2.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 28.6nC Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMT10H017LPD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43.7A; Idm: 60A; 2.2W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 30.3mΩ Drain current: 43.7A Power dissipation: 2.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 28.6nC Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A |
товар відсутній |