![DMT10H072LFDF-7 DMT10H072LFDF-7](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/f0096c28a3d877e01d167fbab81fbc9815acf711/u-dfn2020-6typef.jpg)
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 18.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H072LFDF-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMT10H072LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4 A, 0.047 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 800mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: UDFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm.
Інші пропозиції DMT10H072LFDF-7 за ціною від 18.14 грн до 47.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMT10H072LFDF-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 800mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: UDFN2020 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm |
на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DMT10H072LFDF-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm |
на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DMT10H072LFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 50 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DMT10H072LFDF-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
DMT10H072LFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; Idm: 22A; 1.1W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.11Ω Drain current: 3.2A Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 4.5nC Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 22A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
DMT10H072LFDF-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
DMT10H072LFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
DMT10H072LFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
DMT10H072LFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; Idm: 22A; 1.1W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.11Ω Drain current: 3.2A Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 4.5nC Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 22A |
товар відсутній |