Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H015LSS-13
DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13 Diodes Incorporated

DMT10H015LSS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.3 грн
5000+ 28.7 грн
12500+ 27.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H015LSS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMT10H015LSS-13 за ціною від 26.52 грн до 76.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015lss.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+44.3 грн
15+ 40.47 грн
25+ 40.06 грн
100+ 34.42 грн
250+ 31.55 грн
500+ 27.89 грн
1000+ 26.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015lss.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
267+45.29 грн
269+ 44.83 грн
304+ 39.74 грн
307+ 37.94 грн
500+ 32.17 грн
1000+ 28.56 грн
Мінімальне замовлення: 267
DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002833477_1-2542087.pdf MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
на замовлення 3104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+62.57 грн
10+ 52.46 грн
100+ 37.46 грн
500+ 33.03 грн
1000+ 29.1 грн
2500+ 27.62 грн
5000+ 27.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H015LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 29210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.03 грн
10+ 59.6 грн
100+ 46.36 грн
500+ 36.88 грн
1000+ 30.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Виробник : Diodes Inc 168881399554136dmt10h015lss.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015lss.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H015LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.7A; Idm: 54A; 1.67W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 25mΩ
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 1.67W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H015LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.7A; Idm: 54A; 1.67W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 25mΩ
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 1.67W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
товар відсутній