![DMT10H9M9SCT DMT10H9M9SCT](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5734/31%7ETO220-3%28TO220AB%29%7ET%7E3.jpg)
DMT10H9M9SCT Diodes Incorporated
![DMT10H9M9SCT.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 72.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H9M9SCT Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT10H9M9SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 99 A, 0.0072 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm.
Інші пропозиції DMT10H9M9SCT за ціною від 92.03 грн до 113.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMT10H9M9SCT | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
DMT10H9M9SCT | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товар відсутній |