DMT10H010LCT

DMT10H010LCT Diodes Zetex


dmt10h010lct.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
220+55.65 грн
Мінімальне замовлення: 220
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H010LCT Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMT10H010LCT за ціною від 42.74 грн до 125.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMT10H010LCT DMT10H010LCT Виробник : Diodes Zetex dmt10h010lct.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+70.31 грн
10+ 64.11 грн
100+ 57.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMT10H010LCT DMT10H010LCT Виробник : Diodes Incorporated DMT10H010LCT.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 12433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.46 грн
50+ 88.66 грн
100+ 72.94 грн
500+ 57.92 грн
1000+ 49.15 грн
2000+ 46.69 грн
5000+ 44.2 грн
10000+ 42.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT10H010LCT DMT10H010LCT Виробник : Diodes Incorporated DMT10H010LCT.pdf MOSFET 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.09 грн
10+ 105.46 грн
100+ 70.19 грн
250+ 68.92 грн
500+ 60.45 грн
1000+ 51.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMT10H010LCT DMT10H010LCT Виробник : Diodes Zetex dmt10h010lct.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
DMT10H010LCT DMT10H010LCT Виробник : Diodes Zetex dmt10h010lct.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
DMT10H010LCT DMT10H010LCT Виробник : Diodes Inc 1642719450973458dmt10h010lct.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
DMT10H010LCT DMT10H010LCT Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H010LCT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; Idm: 92A; 139W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 6.9mΩ
Drain current: 62A
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 58.4nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 92A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMT10H010LCT DMT10H010LCT Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H010LCT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; Idm: 92A; 139W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 6.9mΩ
Drain current: 62A
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 58.4nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 92A
товар відсутній