Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > Всі товари виробника INTERNATIONAL RECTIFIER (1368) > Сторінка 15 з 23
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR024N | International Rectifier |
![]() |
на замовлення 4007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR1205 | International Rectifier |
![]() ![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR1205 | International Rectifier |
![]() ![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR1205HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 9503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR120NTR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR120N; IRFR120NTRL; IRFR120NTR; SP001567480; SP001566916; SP001566944; IRFR120N TIRFR120n кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 898 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR120NTRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR120NTRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A |
на замовлення 1527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFR13N15D | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 14A 150V 86W 0.18Ω IRFR13N15D TIRFR13n15d кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFR13N15DPBF | International Rectifier |
![]() ![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
IRFR13N20DPBF-IR | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRFR220NTR | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR2405 | International Rectifier |
![]() |
на замовлення 6182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR2905ZHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab) |
на замовлення 5856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR3303 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 33A 30V 57W 0.031Ω IRFR3303 TIRFR3303 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 57 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFR3303TRPBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
IRFR3355 | INTERNATIONAL RECTIFIER | MOSFET N-CH 550V DPAK |
на замовлення 145 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR3410 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 31A 100V 3W 0.039Ω IRFR3410 TIRFR3410 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFR3504Z | International Rectifier |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
IRFR3505HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 55V 71A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 9031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR3607TR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A IRFR3607 TIRFR3607 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR3710ZTR | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFR3711TRLPBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V |
на замовлення 1417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
IRFR3910HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) |
на замовлення 6468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR3910TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR3910TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFR4104TR | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR4105 | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR48Z | International Rectifier |
N-MOSFET 55V 42A 91W IRFR48Z TIRFR48z кількість в упаковці: 75 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR5305 | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 43252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR5410 | International Rectifier |
![]() |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR5410 | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 233 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR5410TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFR6215TRRPBF-IR | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
IRFR7546TR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 71A; 99W; -55°C ~ 175°C; IRFR7546, IRFR7546TR IRFR7546 TIRFR7546 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFR7746PBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFR825PBF | International Rectifier |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
IRFR9120NTR | International Rectifier |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N TIRFR9120n кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR9120NTR | International Rectifier |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N TIRFR9120n кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 440 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS3107TRL | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3mOhm; 230A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRFS3107, IRFS3107TRL; IRFS3107 TIRFS3107 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS31N20DTRLP | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS3206TRL | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFS3206, IRFS3206TRR IRFS3206 TIRFS3206 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS3306 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,2mOhm; 160A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRFS3306 TIRFS3306 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS33N15DTRLP-IR | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFS3806PBF | International Rectifier |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
IRFS4115-7P | International Rectifier |
N-MOSFET 105A 150V 380W IRFS4115-7P TIRFS4115-7P кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFS4127PBF | International Rectifier |
![]() ![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
IRFS4127TRL IRFS4127 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 22mOhm; 72A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRFS4127, IRFS4127TRL IRFS4127 TIRFS4127 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFS41N15DTRLP | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
IRFS4227TRL | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 26mOhm; 62A; 330W; -40°C ~ 175°C; IRFS4227, IRFS4227TRL IRFS4227 TIRFS4227 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS4310HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS4620 | International Rectifier |
N-MOSFET 24A 200V 144W IRFS4620 TIRFS4620 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFS7534TRL | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 380mOhm; 232A; 294W; -55°C~175°C; Substitute: IRFS7534TRL7PP; IRFS7534TRL; IRFS7534 TIRFS7534 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFS7734PBF | International Rectifier |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFS7762TRLPBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFSL7430PBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V |
на замовлення 4360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFSL7434PBF | International Rectifier |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFSL7537PBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFSL7730PBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFSL7734PBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
IRFU024N | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRFR024N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 236.55 грн |
25+ | 197 грн |
100+ | 118.65 грн |
500+ | 112.97 грн |
1000+ | 103.27 грн |
2500+ | 97.86 грн |
IRFR1205 | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 27.9 грн |
IRFR1205 | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 27.9 грн |
IRFR1205HR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 99.99 грн |
25+ | 63.43 грн |
100+ | 47.76 грн |
500+ | 36.7 грн |
1000+ | 32.51 грн |
2500+ | 30.06 грн |
5000+ | 28.97 грн |
IRFR120NTR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR120N; IRFR120NTRL; IRFR120NTR; SP001567480; SP001566916; SP001566944; IRFR120N TIRFR120n
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR120N; IRFR120NTRL; IRFR120NTR; SP001567480; SP001566916; SP001566944; IRFR120N TIRFR120n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 898 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 16.78 грн |
IRFR120NTRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 34.47 грн |
2001+ | 33.21 грн |
4001+ | 30.82 грн |
IRFR120NTRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFR13N15D |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 14A 150V 86W 0.18Ω IRFR13N15D TIRFR13n15d
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 14A 150V 86W 0.18Ω IRFR13N15D TIRFR13n15d
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 22.79 грн |
IRFR13N15DPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR13N20DPBF-IR |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR220NTR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 5A 200V 43W 0.6Ω IRFR220N, IRFR220NTR IRFR220N TIRFR220n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 5A 200V 43W 0.6Ω IRFR220N, IRFR220NTR IRFR220N TIRFR220n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 14.11 грн |
IRFR2405 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 240.28 грн |
25+ | 152.22 грн |
100+ | 114.17 грн |
500+ | 88.5 грн |
1000+ | 78.62 грн |
2500+ | 72.91 грн |
5000+ | 70.36 грн |
IRFR2905ZHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab)
Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 5856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 94.02 грн |
25+ | 59.7 грн |
100+ | 44.77 грн |
500+ | 34.32 грн |
1000+ | 30.58 грн |
2500+ | 28.27 грн |
5000+ | 27.25 грн |
IRFR3303 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 30V 57W 0.031Ω IRFR3303 TIRFR3303
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET HEXFET 33A 30V 57W 0.031Ω IRFR3303 TIRFR3303
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 20.31 грн |
IRFR3303TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR3355 |
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
MOSFET N-CH 550V DPAK
MOSFET N-CH 550V DPAK
на замовлення 145 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 46.35 грн |
IRFR3410 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 31A 100V 3W 0.039Ω IRFR3410 TIRFR3410
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 31A 100V 3W 0.039Ω IRFR3410 TIRFR3410
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 25.26 грн |
IRFR3504Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFR3505HR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 71A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 71A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 9031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 97.01 грн |
25+ | 61.19 грн |
100+ | 46.26 грн |
500+ | 35.4 грн |
1000+ | 31.51 грн |
2500+ | 29.17 грн |
5000+ | 28.14 грн |
IRFR3607TR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A IRFR3607 TIRFR3607
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A IRFR3607 TIRFR3607
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 38.5 грн |
IRFR3710ZTR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 56A; 140W; -55°C~175°C; Substitute: IRFR3710ZTR; IRFR3710ZTRL; IRFR3710Z-GURT; IRFR3710Z Infineon TIRFR3710z
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 56A; 140W; -55°C~175°C; Substitute: IRFR3710ZTR; IRFR3710ZTRL; IRFR3710Z-GURT; IRFR3710Z Infineon TIRFR3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 43.8 грн |
IRFR3711TRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
609+ | 34.74 грн |
IRFR3910HR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab)
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 6468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 73.87 грн |
25+ | 47.01 грн |
100+ | 34.77 грн |
500+ | 26.84 грн |
1000+ | 23.92 грн |
2500+ | 22.07 грн |
5000+ | 21.3 грн |
IRFR3910TRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 73.13 грн |
2001+ | 70.14 грн |
4001+ | 67.9 грн |
IRFR3910TRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFR4104TR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 42A 40V 140W IRFR4104 TIRFR4104
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 42A 40V 140W IRFR4104 TIRFR4104
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 48.57 грн |
IRFR4105 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOFET 42A 40V 140W IRFR4105TR, IRFR4105 IRFR4105 TIRFR4105
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOFET 42A 40V 140W IRFR4105TR, IRFR4105 IRFR4105 TIRFR4105
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 22.26 грн |
IRFR48Z |
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
75+ | 28.26 грн |
IRFR5305 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 43252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 216.4 грн |
25+ | 193.27 грн |
100+ | 122.38 грн |
500+ | 101.46 грн |
1000+ | 81.95 грн |
2500+ | 63.32 грн |
5000+ | 60.76 грн |
10000+ | 58.84 грн |
25000+ | 56.28 грн |
IRFR5410 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 105.96 грн |
25+ | 92.53 грн |
100+ | 67.16 грн |
IRFR5410 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 205mOhm; 13A; 66W; -55°C ~ 150°C; IRFR5410 smd TIRFR5410
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 205mOhm; 13A; 66W; -55°C ~ 150°C; IRFR5410 smd TIRFR5410
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 59.87 грн |
IRFR5410TRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab)
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 34.47 грн |
2001+ | 30.82 грн |
IRFR6215TRRPBF-IR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR7546TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 71A; 99W; -55°C ~ 175°C; IRFR7546, IRFR7546TR IRFR7546 TIRFR7546
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 71A; 99W; -55°C ~ 175°C; IRFR7546, IRFR7546TR IRFR7546 TIRFR7546
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 42.21 грн |
IRFR7746PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR825PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
IRFR9120NTR |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N TIRFR9120n
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N TIRFR9120n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 21.9 грн |
IRFR9120NTR |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N TIRFR9120n
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N TIRFR9120n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 440 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 21.9 грн |
IRFS3107TRL |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3mOhm; 230A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRFS3107, IRFS3107TRL; IRFS3107 TIRFS3107
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3mOhm; 230A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRFS3107, IRFS3107TRL; IRFS3107 TIRFS3107
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 193.22 грн |
IRFS31N20DTRLP |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 31A 200V 3,1W IRFS31N20D TIRFS31N20D
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 31A 200V 3,1W IRFS31N20D TIRFS31N20D
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 56.16 грн |
IRFS3206TRL |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFS3206, IRFS3206TRR IRFS3206 TIRFS3206
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFS3206, IRFS3206TRR IRFS3206 TIRFS3206
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 98.73 грн |
IRFS3306 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,2mOhm; 160A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRFS3306 TIRFS3306
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,2mOhm; 160A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRFS3306 TIRFS3306
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 105.26 грн |
IRFS33N15DTRLP-IR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO263-3-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO263-3-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFS4115-7P |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 105A 150V 380W IRFS4115-7P TIRFS4115-7P
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 105A 150V 380W IRFS4115-7P TIRFS4115-7P
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 169.55 грн |
IRFS4127PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
товар відсутній
IRFS4127TRL IRFS4127 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 22mOhm; 72A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRFS4127, IRFS4127TRL IRFS4127 TIRFS4127
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 22mOhm; 72A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRFS4127, IRFS4127TRL IRFS4127 TIRFS4127
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 109.33 грн |
IRFS41N15DTRLP |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFS4227TRL |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 26mOhm; 62A; 330W; -40°C ~ 175°C; IRFS4227, IRFS4227TRL IRFS4227 TIRFS4227
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 26mOhm; 62A; 330W; -40°C ~ 175°C; IRFS4227, IRFS4227TRL IRFS4227 TIRFS4227
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 116.57 грн |
IRFS4310HR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 189.53 грн |
25+ | 108.2 грн |
100+ | 76.11 грн |
500+ | 70.52 грн |
1000+ | 62.63 грн |
2500+ | 58.2 грн |
IRFS4620 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 24A 200V 144W IRFS4620 TIRFS4620
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 24A 200V 144W IRFS4620 TIRFS4620
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 75.59 грн |
IRFS7534TRL |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 380mOhm; 232A; 294W; -55°C~175°C; Substitute: IRFS7534TRL7PP; IRFS7534TRL; IRFS7534 TIRFS7534
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 380mOhm; 232A; 294W; -55°C~175°C; Substitute: IRFS7534TRL7PP; IRFS7534TRL; IRFS7534 TIRFS7534
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 126.81 грн |
IRFS7734PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
Description: MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
товар відсутній
IRFS7762TRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 76.03 грн |
IRFSL7430PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
152+ | 137.59 грн |
IRFSL7434PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
товар відсутній
IRFSL7537PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 60V 173A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 173A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
170+ | 126 грн |
IRFSL7730PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFSL7730 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
Description: IRFSL7730 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
163+ | 139.9 грн |
IRFSL7734PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFSL7734 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
Description: IRFSL7734 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
202+ | 113.29 грн |
IRFU024N |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 114.91 грн |
1051+ | 101.48 грн |
2721+ | 83.57 грн |