Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > Всі товари виробника INTERNATIONAL RECTIFIER (1362) > Сторінка 11 з 23
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7401TR | International Rectifier |
N-MOSFET 6.9A 20V 0.022Ω IRF7401 (95/Tube), IRF7401TR(4000/Tape&Reel) IRF7401 TIRF7401 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7404TR | International Rectifier |
P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404 кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 220 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7406HR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
IRF7413 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 7377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7413TR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7413; IRF7413TR; IRF7413GTR; SP001559860; SP001570386; SP001574926; IRF7413 TIRF7413 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7413ZTR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7413Z smd TIRF7413z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7424 | International Rectifier |
P-MOSFET 11A 30V 2.5W 13.5mΩ IRF7424 TIRF7424 кількість в упаковці: 95 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7425TR | International Rectifier |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 13mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7220; IRF7220; IRF7425TR; IRF7425; IRF7425-GURT; IRF7425TR-VB; IRF7425; IRF7425TR-VB; IRF7425TR TIRF7425 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 319 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7450 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 170mOhm; 2,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7450 TIRF7450 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7455TR | International Rectifier |
N-MOSFET 15A 30V 2.5W 0.075Ω Replacement: IRF7455TR; IRF7455 smd TIRF7455 кількість в упаковці: 15 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7457PBF | International Rectifier |
Description: SMPS HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
IRF7464 | International Rectifier |
N-MOSFET 1.2A 200V 2.5W 0.73Ω IRF7464 smd TIRF7464 кількість в упаковці: 95 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7465 | International Rectifier |
N-MOSFET 1.9A 150V 2.5W 0.28Ω IRF7465 TIRF7465 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7468PBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 9.4A 8SO |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
IRF7468TRPBF | International Rectifier |
Description: SMPS HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
IRF7469PBF | International Rectifier |
Description: MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
IRF7470TRPBF | International Rectifier |
Description: IRF7470 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V |
на замовлення 1278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7473 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7478TR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 30mOhm; 7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7478; IRF7478TR; IRF7478-GURT; Obsolete; IRF7478; IRF7478TR TIRF7478 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7483MTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 40V 135A DIRECTFET Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MF Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 81A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3913 pF @ 25 V |
на замовлення 12511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7493 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 80V 7,4A 2.5W 0,015Ω IRF7493 TIRF7493 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7494TR | INTERNATIONAL RECTIFIER | MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7494TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7494TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7495 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7503TR | International Rectifier |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 222mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRF7503 TIRF7503 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7580MTRPBF | International Rectifier |
Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V |
на замовлення 7423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7601TR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.7A IRF7601 IRF7601TR IRF7601 TIRF7601 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7606 | International Rectifier |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 150mOhm; 3,6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; IRF7606 smd TIRF7606 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7805TRPBF | International Rectifier |
Description: PFET, 30V, 0.011OHM, 1OXIDE SEMI Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7807TR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC IRF7807 IRF7807TR SP001570502 IRF7807 TIRF7807 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7807ZPBFPRO | International Rectifier |
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
IRF7807ZTR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC IRF7807ZTR IRF7807Z TIRF7807z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7807ZTRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
на замовлення 12 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7820TR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 3,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7820 TIRF7820 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7821HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 13015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7832HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7832TR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,8mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 155°C; IRF7832 smd TIRF7832 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7853TR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 8,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7853; IRF7853TR; IRF7853TR TIRF7853 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7853TR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 8,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7853; IRF7853TR; IRF7853TR TIRF7853 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7854 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 10A 80V 2.5W 0.0134Ω IRF7854 TIRF7854 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF8010 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 80A 100V 260W 0.015Ω IRF8010 TIRF8010 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 137 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF8010HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF8113PBF | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
IRF8308MTRPBF | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 3783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF8308MTRPBF | International Rectifier |
Description: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V |
на замовлення 10644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF8308MTRPBF | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 6861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF8327STRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V |
на замовлення 4538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF8707TR | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 11,9mOhm; 11A; 2,5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF8707TR; IRF8707-GURT; IRF8707; IRF8707 TIRF8707 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 78 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF8734TR (IRF7834 printing) | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,1mOhm; 21A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF8734; IRF8734TR; SP001555800; IRF8734; IRF8734TR TIRF8734 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF8734TR (IRF7834 printing) | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,1mOhm; 21A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF8734; IRF8734TR; SP001555800; IRF8734; IRF8734TR TIRF8734 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF8736 | International Rectifier |
N-MOSFET 30V 18A IRF8736 TIRF8736 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 162 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF8910TR | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 10A 20V 2W 0.0134Ω IRF8910 TIRF8910 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF8915PBF | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
IRF9130CECC | International Rectifier |
Description: IRF9100P-CHANNREPETITIAVALANCADV Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
IRF9133 | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Power Dissipation (Max): 88W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9143 | International Rectifier |
Description: MOSFET P-CH 80V 15A TO204AE Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 125W Supplier Device Package: TO-204AE Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9230 | International Rectifier |
Description: 200V, P-CHANNEL REPETITIVE AVALA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 10200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9231 | International Rectifier |
Description: 6.5A, 150V, 0.8OHM, P-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Power Dissipation (Max): 75W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
IRF9232 | International Rectifier |
Description: 5.52001.2OHP-CHANNPOWMOSFET Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
IRF7401TR |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 6.9A 20V 0.022Ω IRF7401 (95/Tube), IRF7401TR(4000/Tape&Reel) IRF7401 TIRF7401
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 6.9A 20V 0.022Ω IRF7401 (95/Tube), IRF7401TR(4000/Tape&Reel) IRF7401 TIRF7401
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 28.26 грн |
IRF7404TR |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
кількість в упаковці: 20 шт
P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
40+ | 21.43 грн |
IRF7406HR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
IRF7413 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 321.68 грн |
25+ | 203.78 грн |
100+ | 153.03 грн |
500+ | 118.20 грн |
1000+ | 105.27 грн |
2500+ | 97.04 грн |
5000+ | 93.69 грн |
IRF7413TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7413; IRF7413TR; IRF7413GTR; SP001559860; SP001570386; SP001574926; IRF7413 TIRF7413
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7413; IRF7413TR; IRF7413GTR; SP001559860; SP001570386; SP001574926; IRF7413 TIRF7413
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 27.50 грн |
IRF7413ZTR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7413Z smd TIRF7413z
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7413Z smd TIRF7413z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 33.95 грн |
IRF7424 |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 11A 30V 2.5W 13.5mΩ IRF7424 TIRF7424
кількість в упаковці: 95 шт
P-MOSFET 11A 30V 2.5W 13.5mΩ IRF7424 TIRF7424
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
95+ | 41.72 грн |
IRF7425TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 13mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7220; IRF7220; IRF7425TR; IRF7425; IRF7425-GURT; IRF7425TR-VB; IRF7425; IRF7425TR-VB; IRF7425TR TIRF7425
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 13mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7220; IRF7220; IRF7425TR; IRF7425; IRF7425-GURT; IRF7425TR-VB; IRF7425; IRF7425TR-VB; IRF7425TR TIRF7425
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 319 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 43.24 грн |
IRF7450 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 170mOhm; 2,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7450 TIRF7450
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 170mOhm; 2,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7450 TIRF7450
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 29.97 грн |
IRF7455TR |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 15A 30V 2.5W 0.075Ω Replacement: IRF7455TR; IRF7455 smd TIRF7455
кількість в упаковці: 15 шт
N-MOSFET 15A 30V 2.5W 0.075Ω Replacement: IRF7455TR; IRF7455 smd TIRF7455
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 51.02 грн |
IRF7457PBF |
Виробник: International Rectifier
Description: SMPS HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
Description: SMPS HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
IRF7464 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 1.2A 200V 2.5W 0.73Ω IRF7464 smd TIRF7464
кількість в упаковці: 95 шт
N-MOSFET 1.2A 200V 2.5W 0.73Ω IRF7464 smd TIRF7464
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
95+ | 19.73 грн |
IRF7465 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 1.9A 150V 2.5W 0.28Ω IRF7465 TIRF7465
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 1.9A 150V 2.5W 0.28Ω IRF7465 TIRF7465
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 28.83 грн |
IRF7468PBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 9.4A 8SO
Description: MOSFET N-CH 40V 9.4A 8SO
товару немає в наявності
IRF7468TRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: SMPS HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 20 V
Description: SMPS HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 20 V
товару немає в наявності
IRF7469PBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
IRF7470TRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF7470 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V
Description: IRF7470 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
439+ | 48.32 грн |
IRF7473 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 102.28 грн |
25+ | 74.17 грн |
100+ | 54.65 грн |
IRF7478TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 30mOhm; 7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7478; IRF7478TR; IRF7478-GURT; Obsolete; IRF7478; IRF7478TR TIRF7478
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 30mOhm; 7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7478; IRF7478TR; IRF7478-GURT; Obsolete; IRF7478; IRF7478TR TIRF7478
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 50.83 грн |
IRF7483MTRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 135A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3913 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 135A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3913 pF @ 25 V
на замовлення 12511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
302+ | 70.35 грн |
IRF7493 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 80V 7,4A 2.5W 0,015Ω IRF7493 TIRF7493
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 80V 7,4A 2.5W 0,015Ω IRF7493 TIRF7493
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 57.66 грн |
IRF7494TR |
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC
MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 218.24 грн |
IRF7494TRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 96.04 грн |
IRF7494TRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF7495 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 379.46 грн |
25+ | 334.95 грн |
IRF7503TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 222mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRF7503 TIRF7503
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 222mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRF7503 TIRF7503
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 16.76 грн |
IRF7580MTRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V
Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V
на замовлення 7423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
239+ | 89.54 грн |
IRF7601TR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.7A IRF7601 IRF7601TR IRF7601 TIRF7601
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.7A IRF7601 IRF7601TR IRF7601 TIRF7601
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 13.39 грн |
IRF7606 |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 150mOhm; 3,6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; IRF7606 smd TIRF7606
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 150mOhm; 3,6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; IRF7606 smd TIRF7606
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 13.45 грн |
IRF7805TRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: PFET, 30V, 0.011OHM, 1OXIDE SEMI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Description: PFET, 30V, 0.011OHM, 1OXIDE SEMI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
607+ | 35.08 грн |
IRF7807TR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC IRF7807 IRF7807TR SP001570502 IRF7807 TIRF7807
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC IRF7807 IRF7807TR SP001570502 IRF7807 TIRF7807
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 44.57 грн |
IRF7807ZPBFPRO |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
IRF7807ZTR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC IRF7807ZTR IRF7807Z TIRF7807z
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC IRF7807ZTR IRF7807Z TIRF7807z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 22.76 грн |
IRF7807ZTRPBF |
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 56.21 грн |
IRF7820TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 3,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7820 TIRF7820
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 3,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7820 TIRF7820
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 43.81 грн |
IRF7821HR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 13015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 25.22 грн |
28+ | 22.72 грн |
100+ | 13.04 грн |
500+ | 10.99 грн |
1000+ | 8.16 грн |
2500+ | 7.50 грн |
5000+ | 7.23 грн |
10000+ | 6.96 грн |
IRF7832HR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 106.97 грн |
25+ | 96.04 грн |
100+ | 55.44 грн |
500+ | 46.68 грн |
1000+ | 34.30 грн |
2500+ | 31.66 грн |
5000+ | 30.52 грн |
10000+ | 29.45 грн |
IRF7832TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,8mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 155°C; IRF7832 smd TIRF7832
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,8mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 155°C; IRF7832 smd TIRF7832
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 62.40 грн |
IRF7853TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 8,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7853; IRF7853TR; IRF7853TR TIRF7853
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 8,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7853; IRF7853TR; IRF7853TR TIRF7853
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 57.66 грн |
IRF7853TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 8,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7853; IRF7853TR; IRF7853TR TIRF7853
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 8,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7853; IRF7853TR; IRF7853TR TIRF7853
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 39.45 грн |
IRF7854 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 10A 80V 2.5W 0.0134Ω IRF7854 TIRF7854
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET HEXFET 10A 80V 2.5W 0.0134Ω IRF7854 TIRF7854
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 103.37 грн |
IRF8010 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 80A 100V 260W 0.015Ω IRF8010 TIRF8010
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 80A 100V 260W 0.015Ω IRF8010 TIRF8010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 92.94 грн |
IRF8010HR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 38.80 грн |
25+ | 34.90 грн |
100+ | 19.99 грн |
500+ | 16.86 грн |
1000+ | 12.48 грн |
2500+ | 11.51 грн |
5000+ | 11.11 грн |
IRF8113PBF |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
товару немає в наявності
IRF8308MTRPBF |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 3783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
292+ | 108.26 грн |
500+ | 104.05 грн |
1000+ | 98.28 грн |
IRF8308MTRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
Description: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
на замовлення 10644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
263+ | 81.63 грн |
IRF8308MTRPBF |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 6861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
292+ | 108.26 грн |
500+ | 104.05 грн |
1000+ | 98.28 грн |
IRF8327STRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
на замовлення 4538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
467+ | 44.40 грн |
IRF8707TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 11,9mOhm; 11A; 2,5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF8707TR; IRF8707-GURT; IRF8707; IRF8707 TIRF8707
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 11,9mOhm; 11A; 2,5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF8707TR; IRF8707-GURT; IRF8707; IRF8707 TIRF8707
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 35.08 грн |
IRF8734TR (IRF7834 printing) |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,1mOhm; 21A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF8734; IRF8734TR; SP001555800; IRF8734; IRF8734TR TIRF8734
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,1mOhm; 21A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF8734; IRF8734TR; SP001555800; IRF8734; IRF8734TR TIRF8734
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 29.40 грн |
IRF8734TR (IRF7834 printing) |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,1mOhm; 21A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF8734; IRF8734TR; SP001555800; IRF8734; IRF8734TR TIRF8734
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,1mOhm; 21A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF8734; IRF8734TR; SP001555800; IRF8734; IRF8734TR TIRF8734
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 29.40 грн |
IRF8736 |
на замовлення 162 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 39.45 грн |
IRF8910TR |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 10A 20V 2W 0.0134Ω IRF8910 TIRF8910
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 10A 20V 2W 0.0134Ω IRF8910 TIRF8910
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 28.45 грн |
IRF8915PBF |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
IRF9130CECC |
товару немає в наявності
IRF9133 |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Power Dissipation (Max): 88W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Power Dissipation (Max): 88W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
55+ | 389.99 грн |
IRF9143 |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET P-CH 80V 15A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Description: MOSFET P-CH 80V 15A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
80+ | 279.25 грн |
IRF9230 |
Виробник: International Rectifier
Description: 200V, P-CHANNEL REPETITIVE AVALA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Description: 200V, P-CHANNEL REPETITIVE AVALA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
61+ | 339.87 грн |
IRF9231 |
Виробник: International Rectifier
Description: 6.5A, 150V, 0.8OHM, P-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: 6.5A, 150V, 0.8OHM, P-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
IRF9232 |
товару немає в наявності