![IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/48/31/885181/smn_/manual/dpak.jpg_472149771.jpg)
IRFR1205TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 16.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR1205TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції IRFR1205TRPBF за ціною від 17.97 грн до 103.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFR1205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR1205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR1205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR1205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR1205TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 69W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 37A Power dissipation: 69W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR1205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR1205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR1205TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 69W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 37A Power dissipation: 69W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1603 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR1205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 13710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR1205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR1205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 19575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR1205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR1205TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRFR1205 | Виробник : International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR1205 | Виробник : International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR1205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
IRFR1205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFR1205 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
IRFR1205 Код товару: 150970 |
![]() |
товар відсутній
|