Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > Всі товари виробника INTERNATIONAL RECTIFIER (1368) > Сторінка 12 з 23
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||
---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF8736 | International Rectifier |
N-MOSFET 30V 18A IRF8736 TIRF8736 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 162 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRF8910TR | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 10A 20V 2W 0.0134Ω IRF8910 TIRF8910 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRF8915PBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
||||
IRF9130CECC | International Rectifier |
Description: IRF9100P-CHANNREPETITIAVALANCADV Packaging: Bulk |
товар відсутній |
||||
![]() |
IRF9133 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Power Dissipation (Max): 88W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
IRF9143 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 125W Supplier Device Package: TO-204AE Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
![]() |
IRF9230 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 10200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
IRF9231 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Power Dissipation (Max): 75W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
товар відсутній |
|||
IRF9232 | International Rectifier |
Description: 5.52001.2OHP-CHANNPOWMOSFET Packaging: Bulk |
товар відсутній |
||||
IRF9233 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Power Dissipation (Max): 75W Supplier Device Package: TO-204AE Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
![]() |
IRF9240 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 10984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
IRF9317TR | International Rectifier |
P-MOSFET 30V 16A 0.0066ohm IRF9317 TIRF9317 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRF9321TR | International Rectifier |
P-MOSFET 30V 15A IRF9321, IRF9321TR IRF9321 TIRF9321 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 298 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRF9358 | International Rectifier |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 23,8mOhm; 9,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9358 TIRF9358 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRF9393TR | International Rectifier |
P-MOSFET 9.2A 30V 2.5W 0.0194Ω IRF9393 TIRF9393 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRF9393TR | International Rectifier |
P-MOSFET 9.2A 30V 2.5W 0.0194Ω IRF9393 TIRF9393 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRF9410 | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 95 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRF9520N | International Rectifier |
P-MOSFET 100V 6.8A 48W IRF9520N TIRF9520n кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRF9520NS | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRF9530NS | International Rectifier |
![]() |
товар відсутній |
||||
IRF9530NSTRLHR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin |
товар відсутній |
||||
IRF9540NHR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||
IRF9540NL | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
![]() |
IRF9540NSHR | International Rectifier |
![]() |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
IRF9640 | International Rectifier |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 350 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRF9910TR | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
![]() |
IRF9952QPBF | International Rectifier |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
|||
IRF9953TR | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRF9956TR | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRF9Z24N | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRF9Z24NS | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRF9Z34N | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 127 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRF9Z34N | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
![]() |
IRFAC30 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V |
на замовлення 427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
IRFAC50 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A Power Dissipation (Max): 150W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
IRFAF20 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A Power Dissipation (Max): 50W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
IRFAF40 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V |
на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
IRFAF42 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Power Dissipation (Max): 125W Supplier Device Package: TO-204AE Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
![]() |
IRFAF50 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V |
на замовлення 644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
IRFAF52 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A Power Dissipation (Max): 150W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
IRFAG20 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Power Dissipation (Max): 50W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V |
на замовлення 1122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
IRFAUIRF3805S | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
товар відсутній |
|||
![]() |
IRFAUIRF4905 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
товар відсутній |
|||
![]() |
IRFAUIRF540Z | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-904 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
IRFB260N | International Rectifier |
N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C; IRFB260N Infineon TIRFB260n кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFB3006 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 195A 60V 375W 0.0025Ω IRFB3006 TIRFB3006 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFB3077 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 210A 75V 370W 0.0028Ω IRFB3077 TO220AB TIRFB3077 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFB3207Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFB3207Z TIRFB3207z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
![]() |
IRFB3207ZGPBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||
IRFB3306 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFB3306 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 320 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFB3806 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 60V 43A 71W 0.0158Ω IRFB3806; Replacement for IRFZ48 IRFB3806 TIRFB3806 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFB4020 | International Rectifier |
N-MOSFET 18A 200V 100W 0.1Ω IRFB4020 TIRFB4020 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 92 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFB4127 | International Rectifier |
N-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFB4227 | International Rectifier | N-MOSFET 65A 200V 330W 0.0197Ω IRFB4227 TIRFB4227 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||
IRFB4228 | International Rectifier |
N-MOSFET 83A 180V 330W 0.012Ω IRFB4228 TIRFB4228 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
irfb4310 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFB4321 | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 83A 150V 330W 0.015Ω IRFB4321 TIRFB4321 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||
IRFB4332 | International Rectifier |
N-MOSFET 60A 250V 390W 0.033Ω IRFB4332 TIRFB4332 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFB4410 | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 74 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
IRF8736 |
на замовлення 162 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 40.62 грн |
IRF8910TR |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 10A 20V 2W 0.0134Ω IRF8910 TIRF8910
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 10A 20V 2W 0.0134Ω IRF8910 TIRF8910
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 26.49 грн |
IRF8915PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IRF9130CECC |
товар відсутній
IRF9133 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Power Dissipation (Max): 88W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Power Dissipation (Max): 88W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
55+ | 385.35 грн |
IRF9143 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET P-CH 80V 15A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Description: MOSFET P-CH 80V 15A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
80+ | 284.48 грн |
IRF9230 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: 200V, P-CHANNEL REPETITIVE AVALA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Description: 200V, P-CHANNEL REPETITIVE AVALA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
61+ | 346.24 грн |
IRF9231 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: 6.5A, 150V, 0.8OHM, P-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: 6.5A, 150V, 0.8OHM, P-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товар відсутній
IRF9232 |
товар відсутній
IRF9233 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET P-CH 150V 5.5A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: MOSFET P-CH 150V 5.5A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
139+ | 151.09 грн |
IRF9240 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 10984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
54+ | 394.51 грн |
IRF9317TR |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 30V 16A 0.0066ohm IRF9317 TIRF9317
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 30V 16A 0.0066ohm IRF9317 TIRF9317
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 57.76 грн |
IRF9321TR |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 30V 15A IRF9321, IRF9321TR IRF9321 TIRF9321
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 30V 15A IRF9321, IRF9321TR IRF9321 TIRF9321
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 23.67 грн |
IRF9358 |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 23,8mOhm; 9,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9358 TIRF9358
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 23,8mOhm; 9,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9358 TIRF9358
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 36.91 грн |
IRF9393TR |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 9.2A 30V 2.5W 0.0194Ω IRF9393 TIRF9393
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 9.2A 30V 2.5W 0.0194Ω IRF9393 TIRF9393
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 20.31 грн |
IRF9393TR |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 9.2A 30V 2.5W 0.0194Ω IRF9393 TIRF9393
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 9.2A 30V 2.5W 0.0194Ω IRF9393 TIRF9393
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 20.31 грн |
IRF9410 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 7A 30V 2.5W 0.03Ω IRF9410 TIRF9410
кількість в упаковці: 95 шт
N-MOSFET 7A 30V 2.5W 0.03Ω IRF9410 TIRF9410
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
95+ | 19.25 грн |
IRF9520N |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 100V 6.8A 48W IRF9520N TIRF9520n
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 100V 6.8A 48W IRF9520N TIRF9520n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 38.68 грн |
IRF9520NS |
![]() |
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 110.21 грн |
IRF9530NS |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF9540NHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF9540NL |
![]() |
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 52.63 грн |
IRF9540NSHR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 267.14 грн |
IRF9640 | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 11A 200V 125W 0.5Ω IRF9640 TIRF9640
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 11A 200V 125W 0.5Ω IRF9640 TIRF9640
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 34.97 грн |
IRF9910TR |
![]() |
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 47.86 грн |
IRF9952QPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IRF9953TR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9953 TIRF9953
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9953 TIRF9953
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 20.84 грн |
IRF9956TR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9956TR IRF9956 smd TIRF9956
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9956TR IRF9956 smd TIRF9956
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 31.62 грн |
IRF9Z24N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24n
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 21.19 грн |
IRF9Z24NS |
![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24ns
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 47.51 грн |
IRF9Z34N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 27.9 грн |
IRF9Z34N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 27.9 грн |
IRFAC30 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
59+ | 354.4 грн |
IRFAC50 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
41+ | 564.14 грн |
IRFAF20 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
85+ | 257.45 грн |
IRFAF40 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 463.02 грн |
IRFAF42 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
60+ | 426.71 грн |
IRFAF50 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
43+ | 536.01 грн |
IRFAF52 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
43+ | 538.29 грн |
IRFAG20 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
84+ | 260.33 грн |
IRFAUIRF3805S |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUIRF3805S - 55V-60V N-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: AUIRF3805S - 55V-60V N-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
IRFAUIRF4905 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
IRFAUIRF540Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
163+ | 128.71 грн |
IRFB260N |
Виробник: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C; IRFB260N Infineon TIRFB260n
кількість в упаковці: 10 шт
N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C; IRFB260N Infineon TIRFB260n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 178.03 грн |
IRFB3006 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 195A 60V 375W 0.0025Ω IRFB3006 TIRFB3006
кількість в упаковці: 2 шт
N-MOSFET HEXFET 195A 60V 375W 0.0025Ω IRFB3006 TIRFB3006
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 143.06 грн |
IRFB3077 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 210A 75V 370W 0.0028Ω IRFB3077 TO220AB TIRFB3077
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 210A 75V 370W 0.0028Ω IRFB3077 TO220AB TIRFB3077
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 131.4 грн |
IRFB3207Z |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFB3207Z TIRFB3207z
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFB3207Z TIRFB3207z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 68 грн |
IRFB3207ZGPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
товар відсутній
IRFB3306 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 52.28 грн |
IRFB3306 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 120A 60V 230W 0.0042Ω IRFB3306 TIRFB3306
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 320 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 52.28 грн |
IRFB3806 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 60V 43A 71W 0.0158Ω IRFB3806; Replacement for IRFZ48 IRFB3806 TIRFB3806
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 60V 43A 71W 0.0158Ω IRFB3806; Replacement for IRFZ48 IRFB3806 TIRFB3806
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 55.1 грн |
IRFB4020 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 18A 200V 100W 0.1Ω IRFB4020 TIRFB4020
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 18A 200V 100W 0.1Ω IRFB4020 TIRFB4020
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 69.76 грн |
IRFB4127 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127
кількість в упаковці: 2 шт
N-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 153.66 грн |
IRFB4227 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 65A 200V 330W 0.0197Ω IRFB4227 TIRFB4227
N-MOSFET 65A 200V 330W 0.0197Ω IRFB4227 TIRFB4227
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)IRFB4228 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 83A 180V 330W 0.012Ω IRFB4228 TIRFB4228
кількість в упаковці: 2 шт
N-MOSFET 83A 180V 330W 0.012Ω IRFB4228 TIRFB4228
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 141.29 грн |
irfb4310 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310
кількість в упаковці: 2 шт
N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 126.81 грн |
IRFB4321 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 83A 150V 330W 0.015Ω IRFB4321 TIRFB4321
N-MOSFET HEXFET 83A 150V 330W 0.015Ω IRFB4321 TIRFB4321
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)IRFB4332 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 60A 250V 390W 0.033Ω IRFB4332 TIRFB4332
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 60A 250V 390W 0.033Ω IRFB4332 TIRFB4332
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 114.62 грн |
IRFB4410 |
![]() |
на замовлення 74 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 66.41 грн |