Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > Всі товари виробника INTERNATIONAL RECTIFIER (1369) > Сторінка 13 з 23
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||
---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFB7430 | International Rectifier |
409A 40V 375W N-MOSFET IRFB7430 TO220AB TIRFB7430 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 530 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFB7437 | International Rectifier |
250A 40V 230W N-MOSFET IRFB7437 TO220AB TIRFB7437 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFB7446 | International Rectifier |
123A 40V 99W N-MOSFET IRFB7446 TO220AB TIRFB7446 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFB7446GPBF | International Rectifier |
Description: IRFB7446 - POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
IRFB7530 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube IRFB7530 IRFB7530 TIRFB7530 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFB7534 | International Rectifier |
N-MOSFET 60V 195A 2.4mΩ 294W IRFB7534 Infineon TIRFB7534 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 115 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFB7537 | International Rectifier |
N-MOSFET 60V 173A 3.3mΩ 230W IRFB7537 International Rectifier TIRFB7537 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFB9N65A | International Rectifier |
N-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFBC20 | International Rectifier |
N-MOSFET 2.2A 600V 50W 4.4Ω IRFBC20 TIRFBC20 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFBE30PBF | INTERNATIONAL RECTIFIER | N-Channel MOSFET, 800V, 3 Ohm 4.1A, TO220, Pb-Free |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||
IRFF1210 | International Rectifier | Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET |
товар відсутній |
||||
IRFF131 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 80V 8A TO205AF |
товар відсутній |
||||
IRFF230 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 200V 5,5A 25W 0,40Ω IRFF230 TIRFF230 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFF233 | International Rectifier |
Description: 4.5A, 150V, 0.6OHM, N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Power Dissipation (Max): 25W Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
товар відсутній |
||||
IRFF311 | International Rectifier |
Description: TRANS MOSFET N-CH 350V 5.5A Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A Power Dissipation (Max): 15W Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V |
товар відсутній |
||||
IRFF313 | International Rectifier |
Description: 1.15A, 350V, 5OHM, N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A Power Dissipation (Max): 15W Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V |
товар відсутній |
||||
IRFF332 | International Rectifier | Description: 3A, 400V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE |
товар відсутній |
||||
IRFF333 | International Rectifier | Description: 3A, 350V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE |
товар відсутній |
||||
IRFF9133 | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Power Dissipation (Max): 25W Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V |
товар відсутній |
||||
IRFF9211 | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL |
товар відсутній |
||||
IRFF9213 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 150V 1.3A TO205AF |
товар відсутній |
||||
IRFF9221 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 150V 2.5A TO205AF |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
IRFF9231 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 150V 4A TO205AF Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Power Dissipation (Max): 25W Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
на замовлення 3214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
IRFF9233 | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Power Dissipation (Max): 25W Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
IRFH3702TR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP IRFH3702TR2 IRFH3702TR TIRFH3702 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFH4210DTRPBF | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
IRFH4234TRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 25V 22A PQFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V |
товар відсутній |
||||
IRFH4257DTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 25W, 28W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4) Part Status: Active |
на замовлення 1834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
IRFH5250DTRPBF | International Rectifier |
Description: IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6115 pF @ 13 V |
на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
IRFH5255TRPBF | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin PQFN T/R |
товар відсутній |
||||
IRFH7085TR | International Rectifier |
N-MOSFET 60V 100A 3.2mΩ IRFH708TR International Rectifier TIRFH7085 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFH7194TRPBF | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V |
товар відсутній |
||||
IRFH7440TRPBF | International Rectifier |
Description: IRFH7440 - 12V-300V N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4574 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||
IRFH7914TRPBF | International Rectifier |
Description: IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V |
на замовлення 3375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
IRFH7921TRPBF-IR | International Rectifier |
Description: IRFH7921 - HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V |
на замовлення 11183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
IRFH7932TR | International Rectifier |
N-MOSFET 30V 24A 3.1W 3.3mΩ IRFH7932TR International Rectifier TIRFH7932 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFH7934TRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V |
на замовлення 4649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
IRFH7936TRPBF | International Rectifier |
Description: IRFH7936 - N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V |
на замовлення 4530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
IRFH8316TRPBF-IR | International Rectifier |
Description: IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V |
на замовлення 6260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
IRFH8321TR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP IRFH8321TR IRFH8321 IRFH8321 TIRFH8321 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFH8337TRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 10 V |
товар відсутній |
||||
IRFHE4250DTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFN Packaging: Bulk Package / Case: 32-PowerVFQFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 156W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), 303A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6) Part Status: Active |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
IRFHM8337TRPBF-IR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL |
товар відсутній |
||||
IRFHM8342TRPBF-IR | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/28A 8PQFN DL Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||
IRFI1010N | International Rectifier |
N-MOSFET 55V 49A IRFI1010N Infineon TIRFI1010n кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFI1010NPBF-IR | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||
IRFI1310N | International Rectifier |
N-MOSFET 24A 100V 56W 0.036Ω IRFI1310N TIRFI1310n кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFI3205 | International Rectifier |
N-MOSFET 64A 55V 63W 0.008Ω IRFI3205 TIRFI3205 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFI3306GPBF | International Rectifier |
Description: IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 50 V |
на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
IRFI4019H-117P | International Rectifier |
2xN-MOSFET 8.7A 150V 18W 0.095Ω IRFI4019H-117P TO220/5Qiso TIRFI4019h-117p кількість в упаковці: 26 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFI4020H-117P | International Rectifier |
2xN-MOSFET 9.1A 200V 21W 0.1Ω IRFI4020H-117P TO220/5Qiso TIRFI4020h-117p кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFI4024H-117P | International Rectifier |
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117p кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFI4024H-117P | International Rectifier |
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117p кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFI4227 | International Rectifier |
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFI4227 | International Rectifier |
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227 кількість в упаковці: 38 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFI4228PBF-IR | International Rectifier |
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
IRFI4229 | International Rectifier |
N-MOSFET 19A 250V 46W 0.046Ω IRFI4229 TIRFI4229 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFI4321 | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 150V; 30V; 16mOhm; 34A; 46W; -55°C ~ 150°C; IRFI4321 Infineon TIRFI4321 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFI520N | International Rectifier |
N-MOSFET 7.6A 100V 30W 0.2Ω IRFI520N TIRFI520N кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 270 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
IRFI520NPBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
IRFB7430 |
Виробник: International Rectifier
409A 40V 375W N-MOSFET IRFB7430 TO220AB TIRFB7430
кількість в упаковці: 10 шт
409A 40V 375W N-MOSFET IRFB7430 TO220AB TIRFB7430
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 530 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 192.46 грн |
IRFB7437 |
Виробник: International Rectifier
250A 40V 230W N-MOSFET IRFB7437 TO220AB TIRFB7437
кількість в упаковці: 10 шт
250A 40V 230W N-MOSFET IRFB7437 TO220AB TIRFB7437
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 74.86 грн |
IRFB7446 |
Виробник: International Rectifier
123A 40V 99W N-MOSFET IRFB7446 TO220AB TIRFB7446
кількість в упаковці: 25 шт
123A 40V 99W N-MOSFET IRFB7446 TO220AB TIRFB7446
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 72.84 грн |
IRFB7446GPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFB7446 - POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V
Description: IRFB7446 - POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
378+ | 55.21 грн |
IRFB7530 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube IRFB7530 IRFB7530 TIRFB7530
кількість в упаковці: 2 шт
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube IRFB7530 IRFB7530 TIRFB7530
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 119.26 грн |
IRFB7534 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 60V 195A 2.4mΩ 294W IRFB7534 Infineon TIRFB7534
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 60V 195A 2.4mΩ 294W IRFB7534 Infineon TIRFB7534
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 73.21 грн |
IRFB7537 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 60V 173A 3.3mΩ 230W IRFB7537 International Rectifier TIRFB7537
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 60V 173A 3.3mΩ 230W IRFB7537 International Rectifier TIRFB7537
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 91.92 грн |
IRFB9N65A |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 55.78 грн |
IRFBC20 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 2.2A 600V 50W 4.4Ω IRFBC20 TIRFBC20
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 2.2A 600V 50W 4.4Ω IRFBC20 TIRFBC20
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 22.02 грн |
IRFBE30PBF |
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
N-Channel MOSFET, 800V, 3 Ohm 4.1A, TO220, Pb-Free
N-Channel MOSFET, 800V, 3 Ohm 4.1A, TO220, Pb-Free
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 48.6 грн |
IRFF1210 |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
товар відсутній
IRFF230 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 200V 5,5A 25W 0,40Ω IRFF230 TIRFF230
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 200V 5,5A 25W 0,40Ω IRFF230 TIRFF230
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 242.01 грн |
IRFF233 |
Виробник: International Rectifier
Description: 4.5A, 150V, 0.6OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: 4.5A, 150V, 0.6OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товар відсутній
IRFF311 |
Виробник: International Rectifier
Description: TRANS MOSFET N-CH 350V 5.5A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A
Power Dissipation (Max): 15W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Description: TRANS MOSFET N-CH 350V 5.5A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A
Power Dissipation (Max): 15W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
товар відсутній
IRFF313 |
Виробник: International Rectifier
Description: 1.15A, 350V, 5OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A
Power Dissipation (Max): 15W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Description: 1.15A, 350V, 5OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A
Power Dissipation (Max): 15W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
товар відсутній
IRFF332 |
Виробник: International Rectifier
Description: 3A, 400V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE
Description: 3A, 400V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE
товар відсутній
IRFF333 |
Виробник: International Rectifier
Description: 3A, 350V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE
Description: 3A, 350V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE
товар відсутній
IRFF9133 |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
товар відсутній
IRFF9213 |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 1.3A TO205AF
Description: MOSFET N-CH 150V 1.3A TO205AF
товар відсутній
IRFF9221 |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 2.5A TO205AF
Description: MOSFET N-CH 150V 2.5A TO205AF
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
194+ | 153.27 грн |
IRFF9231 |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 4A TO205AF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: MOSFET N-CH 150V 4A TO205AF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
70+ | 320.31 грн |
IRFF9233 |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
185+ | 114.93 грн |
IRFH3702TR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP IRFH3702TR2 IRFH3702TR TIRFH3702
кількість в упаковці: 50 шт
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP IRFH3702TR2 IRFH3702TR TIRFH3702
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 14.66 грн |
IRFH4210DTRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
249+ | 86.62 грн |
IRFH4234TRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 22A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V
Description: MOSFET N-CH 25V 22A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V
товар відсутній
IRFH4257DTRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W, 28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W, 28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4)
Part Status: Active
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
306+ | 70.41 грн |
IRFH5250DTRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6115 pF @ 13 V
Description: IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6115 pF @ 13 V
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
362+ | 59.42 грн |
IRFH5255TRPBF |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin PQFN T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin PQFN T/R
товар відсутній
IRFH7085TR |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 60V 100A 3.2mΩ IRFH708TR International Rectifier TIRFH7085
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 60V 100A 3.2mΩ IRFH708TR International Rectifier TIRFH7085
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 70.09 грн |
IRFH7194TRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V
товар відсутній
IRFH7440TRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFH7440 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4574 pF @ 25 V
Description: IRFH7440 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4574 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFH7914TRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
Description: IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1126+ | 19.4 грн |
IRFH7921TRPBF-IR |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFH7921 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
Description: IRFH7921 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
на замовлення 11183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
831+ | 26.12 грн |
IRFH7932TR |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30V 24A 3.1W 3.3mΩ IRFH7932TR International Rectifier TIRFH7932
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 30V 24A 3.1W 3.3mΩ IRFH7932TR International Rectifier TIRFH7932
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 29.36 грн |
IRFH7934TRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
на замовлення 4649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
466+ | 45.52 грн |
IRFH7936TRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFH7936 - N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V
Description: IRFH7936 - N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V
на замовлення 4530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
831+ | 26.23 грн |
IRFH8316TRPBF-IR |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V
Description: IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
866+ | 25.15 грн |
IRFH8321TR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP IRFH8321TR IRFH8321 IRFH8321 TIRFH8321
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP IRFH8321TR IRFH8321 IRFH8321 TIRFH8321
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 22.39 грн |
IRFH8337TRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 10 V
товар відсутній
IRFHE4250DTRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 156W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), 303A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 156W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), 303A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
156+ | 138.68 грн |
IRFHM8337TRPBF-IR |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL
товар відсутній
IRFHM8342TRPBF-IR |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/28A 8PQFN DL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/28A 8PQFN DL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFI1010N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 55V 49A IRFI1010N Infineon TIRFI1010n
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 55V 49A IRFI1010N Infineon TIRFI1010n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 48.62 грн |
IRFI1010NPBF-IR |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFI1310N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 24A 100V 56W 0.036Ω IRFI1310N TIRFI1310n
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 24A 100V 56W 0.036Ω IRFI1310N TIRFI1310n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 43.3 грн |
IRFI3205 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 64A 55V 63W 0.008Ω IRFI3205 TIRFI3205
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 64A 55V 63W 0.008Ω IRFI3205 TIRFI3205
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 100.91 грн |
IRFI3306GPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 50 V
Description: IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 50 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
141+ | 151.1 грн |
IRFI4019H-117P |
Виробник: International Rectifier
2xN-MOSFET 8.7A 150V 18W 0.095Ω IRFI4019H-117P TO220/5Qiso TIRFI4019h-117p
кількість в упаковці: 26 шт
2xN-MOSFET 8.7A 150V 18W 0.095Ω IRFI4019H-117P TO220/5Qiso TIRFI4019h-117p
кількість в упаковці: 26 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
26+ | 101.28 грн |
IRFI4020H-117P |
Виробник: International Rectifier
2xN-MOSFET 9.1A 200V 21W 0.1Ω IRFI4020H-117P TO220/5Qiso TIRFI4020h-117p
кількість в упаковці: 5 шт
2xN-MOSFET 9.1A 200V 21W 0.1Ω IRFI4020H-117P TO220/5Qiso TIRFI4020h-117p
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 84.03 грн |
IRFI4024H-117P |
Виробник: International Rectifier
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117p
кількість в упаковці: 10 шт
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 85.5 грн |
IRFI4024H-117P |
Виробник: International Rectifier
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117p
кількість в упаковці: 10 шт
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 85.5 грн |
IRFI4227 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 70.82 грн |
IRFI4227 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227
кількість в упаковці: 38 шт
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227
кількість в упаковці: 38 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
38+ | 70.82 грн |
IRFI4228PBF-IR |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
280+ | 79.71 грн |
IRFI4229 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 19A 250V 46W 0.046Ω IRFI4229 TIRFI4229
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 19A 250V 46W 0.046Ω IRFI4229 TIRFI4229
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 124.58 грн |
IRFI4321 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 150V; 30V; 16mOhm; 34A; 46W; -55°C ~ 150°C; IRFI4321 Infineon TIRFI4321
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-MOSFET; 150V; 30V; 16mOhm; 34A; 46W; -55°C ~ 150°C; IRFI4321 Infineon TIRFI4321
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 159.44 грн |
IRFI520N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 7.6A 100V 30W 0.2Ω IRFI520N TIRFI520N
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 7.6A 100V 30W 0.2Ω IRFI520N TIRFI520N
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 25.32 грн |
IRFI520NPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP
Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)