![IRFSL7434PBF IRFSL7434PBF](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/8A/7E/00/00/1/59304_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=4d8892c19926fb193700534beff4a6fcd970f821)
IRFSL7434PBF INFINEON TECHNOLOGIES
![IRFSL7434PBF.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 226A; 294W; TO262
Power dissipation: 294W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Gate charge: 216nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 226A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 202.63 грн |
3+ | 166.2 грн |
6+ | 150.09 грн |
10+ | 149.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFSL7434PBF INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 226A; 294W; TO262, Power dissipation: 294W, Case: TO262, Mounting: THT, Kind of package: tube, Technology: HEXFET®, Gate charge: 216nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 226A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 40V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.6mΩ.
Інші пропозиції IRFSL7434PBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFSL7434PBF | Виробник : International Rectifier |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IRFSL7434PBF | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
товар відсутній |