IRFSL7434PBF INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 226A; 294W; TO262
Power dissipation: 294W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Gate charge: 216nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 226A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 202.63 грн |
| 3+ | 166.2 грн |
| 6+ | 150.09 грн |
| 10+ | 149.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFSL7434PBF INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 226A; 294W; TO262, Power dissipation: 294W, Case: TO262, Mounting: THT, Kind of package: tube, Technology: HEXFET®, Gate charge: 216nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 226A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 40V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.6mΩ.
Інші пропозиції IRFSL7434PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFSL7434PBF | Виробник : International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262 |
товар відсутній |
|
 |
IRFSL7434PBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET HEXFET Power MOSFET 40V Single N-Channel |
товар відсутній |