IRF7580MTRPBF INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 57.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7580MTRPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 114, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 96, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96, Bauform - Transistor: DirectFET ME, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRF7580MTRPBF за ціною від 55.24 грн до 247.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF7580MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7580MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 114 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 96 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 4041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF7580MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 2169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7580MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 2169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF7580MTRPBF | Виробник : International Rectifier |
Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V |
на замовлення 7423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7580MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V |
на замовлення 1536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF7580MTRPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF7580MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
IRF7580MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
товару немає в наявності |