Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7470TRPBF

IRF7470TRPBF Infineon Technologies

Name: IRF7470TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 3469266-7
Price: 30.2 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
500+	30.2 грн

Мінімальне замовлення: 500

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF7470TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7470TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 4 - 72 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF7470TRPBF за ціною від 37.35 грн до 122.62 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IRF7470TRPBF

Виробник : International Rectifier

IRSDS17403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Description: IRF7470 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V

на замовлення 1268 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
439+	48.38 грн

Мінімальне замовлення: 439

IRF7470TRPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0002485109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF7470TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4000+	52.07 грн

Мінімальне замовлення: 4000

IRF7470TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
500+	53.57 грн

Мінімальне замовлення: 500

IRF7470TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
500+	57.52 грн

Мінімальне замовлення: 500

IRF7470TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1800+	60.07 грн

Мінімальне замовлення: 1800

IRF7470TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRF7470TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	79.13 грн
250+	67.81 грн
1000+	52.02 грн
2000+	45.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

IRF7470TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 53983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
155+	79.2 грн
171+	71.86 грн
210+	58.3 грн
224+	52.68 грн
500+	48.59 грн
1000+	41.5 грн
2000+	38.7 грн
4000+	37.74 грн
8000+	37.56 грн

Мінімальне замовлення: 155

IRF7470TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 6795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
126+	97.8 грн
127+	96.58 грн
169+	72.72 грн
250+	53.16 грн
500+	48.73 грн
1000+	41.56 грн
3000+	40.63 грн
6000+	40.22 грн

Мінімальне замовлення: 126

IRF7470TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRF7470TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
8+	106.03 грн
50+	79.13 грн
250+	67.81 грн
1000+	52.02 грн
2000+	45.51 грн

Мінімальне замовлення: 8

IRF7470TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 6795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	116.51 грн
10+	90.82 грн
25+	89.68 грн
100+	65.12 грн
250+	45.7 грн
500+	43.43 грн
1000+	38.59 грн
3000+	37.72 грн
6000+	37.35 грн

Мінімальне замовлення: 6

IRF7470TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IRF7470_DataSheet_v01_01_EN-3363099.pdf

MOSFET MOSFT 40V 11A 13mOhm 29nC

на замовлення 15097 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	122.62 грн
10+	90.85 грн
100+	59.18 грн
1000+	48.25 грн
4000+	42.68 грн
8000+	40.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

IRF7470TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IRF7470TRPBF

Виробник : IR

irf7470pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff2fe11c18

MOSFET MOSFT 40V 11A 13mOhm 29nC

на замовлення 43 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
8+	40.77 грн

Мінімальне замовлення: 8

IRF7470TRPBF

IRF7470TRPBF Транзисторы

на замовлення 101 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

IRF7470TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

IRF7470TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V

товар відсутній

IRF7470TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V

товар відсутній

IRF7470TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт

товар відсутній

IRF7470TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

товар відсутній