Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (137832) > Сторінка 334 з 2298

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 229 329 330 331 332 333 334 335 336 337 338 339 458 687 916 1145 1374 1603 1832 2061 2290 2298  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRG4BC15UDPBF IRG4BC15UDPBF Infineon Technologies irg4bc15udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563f0fa2224a Description: IGBT 600V 14A 49W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 7.8A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns
Switching Energy: 240µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 480V, 7.8A, 75Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 42 A
Power - Max: 49 W
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+70.65 грн
Мінімальне замовлення: 297
CY7C1423AV18-267BZXC CY7C1423AV18-267BZXC Infineon Technologies Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II
Clock Frequency: 267 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+4269.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
CYD18S72V-133BBC CYD18S72V-133BBC Infineon Technologies download Description: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 484FBGA
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23170.97 грн
IPI22N03S4L15AKSA1 IPI22N03S4L15AKSA1 Infineon Technologies IPx22N03S4L-15.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
903+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 903
CY24488ZXC-002 CY24488ZXC-002 Infineon Technologies Description: IC CLOCK GENERATOR
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+107.72 грн
Мінімальне замовлення: 194
IRGS8B60KTRLPBF IRGS8B60KTRLPBF Infineon Technologies IRG%28B%2CS%2CSL%298B60KPbF.pdf Description: IGBT 600V 28A 167W D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/140ns
Switching Energy: 160µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 8A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 29 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 34 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
347+61.07 грн
Мінімальне замовлення: 347
IPB100N06S3-04 IPB100N06S3-04 Infineon Technologies IPB%28I%2CP%29100N06S3-04.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14230 pF @ 25 V
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+64.52 грн
Мінімальне замовлення: 330
BC858CWH6327XTSA1 BC858CWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6512+3.5 грн
Мінімальне замовлення: 6512
MMBTA42LT1 MMBTA42LT1 Infineon Technologies INFNS17374-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
товар відсутній
MMBT2907ALT1 MMBT2907ALT1 Infineon Technologies mmbt2907alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
товар відсутній
BCR169E6327HTSA1 BCR169E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr169series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a373011440313bb302d1 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 942000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7397+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 7397
BFN38H6327XTSA1 BFN38H6327XTSA1 Infineon Technologies bfn38.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011449af3ad90232&fileId=db3a30431441fb5d011449b536510236 Description: TRANS NPN 300V 0.2A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 187888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1490+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 1490
BC858AE6327HTSA1 BC858AE6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7818+2.8 грн
Мінімальне замовлення: 7818
BCW61DE6327HTSA1 BCW61DE6327HTSA1 Infineon Technologies bcw61_bcx71.pdf?folderId=db3a304314dca389011541d30fa21656&fileId=db3a304314dca3890115422f2cbc173b Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 190400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6885+2.8 грн
Мінімальне замовлення: 6885
BC858CE6327HTSA1 BC858CE6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 169480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7818+2.8 грн
Мінімальне замовлення: 7818
BC858CE6433HTMA1 BC858CE6433HTMA1 Infineon Technologies Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7818+2.8 грн
Мінімальне замовлення: 7818
BAV170E6433HTMA1 BAV170E6433HTMA1 Infineon Technologies bav170series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141c748874044e&fileId=db3a30431400ef6801141cb8e81404e3 Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
на замовлення 61666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7230+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 7230
BCP54H6327XTSA1 BCP54H6327XTSA1 Infineon Technologies bcp54_bcp55_bcp56.pdf?fileId=db3a304314dca3890115475f01a81a0d Description: TRANS NPN 45V 1A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 229000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1225+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 1225
BCV26E6327HTSA1 BCV26E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BCV26_BCV46-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431441fb5d011445cddad90187 Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 360 mW
на замовлення 174966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4691+4.2 грн
Мінімальне замовлення: 4691
BC818K40E6327HTSA1 BC818K40E6327HTSA1 Infineon Technologies 4a-BC-817-40-E6433.pdf Description: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6951+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 6951
BAS16WH6327XTSA1 BAS16WH6327XTSA1 Infineon Technologies bas16series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141b93811b03ff Description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
на замовлення 681373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7397+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 7397
ICE3B5565PBKSA1 ICE3B5565PBKSA1 Infineon Technologies CoolSET-F3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a304412b407950112b428f6ba3f30 Description: IC OFFLINE SW FLYBACK TO220-6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-6 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 67kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-TO220-6-47
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 15 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 240 W
на замовлення 8300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+114.02 грн
Мінімальне замовлення: 184
BFN24E6327HTSA1 BFN24E6327HTSA1 Infineon Technologies bfn24_bfn26.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156a1bcc68214d Description: TRANS NPN 250V 0.2A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 360 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3847+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 3847
IGA30N60H3XKSA1 IGA30N60H3XKSA1 Infineon Technologies IGA30N60H3.pdf Description: IGBT 600V 18A 43W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 43 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+124.5 грн
Мінімальне замовлення: 169
IRGS4630DPBF IRGS4630DPBF Infineon Technologies IRGx4630D%28-E%29PbF.pdf Description: IGBT 600V 47A 206W D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/105ns
Switching Energy: 95µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 18A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 47 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 54 A
Power - Max: 206 W
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+131.87 грн
Мінімальне замовлення: 162
IPI80N06S405AKSA2 IPI80N06S405AKSA2 Infineon Technologies IPx80N06S4-05.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+75.54 грн
Мінімальне замовлення: 278
CY25811ZXC CY25811ZXC Infineon Technologies cy25811,12,14_8.pdf Description: IC CLOCK GEN 3.3V SS 8-TSSOP
на замовлення 8525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+91.04 грн
Мінімальне замовлення: 229
IPI80N06S4L05AKSA1 IPI80N06S4L05AKSA1 Infineon Technologies Infineon-I80N06S4L_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038e65fed0d07 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V
на замовлення 9300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
359+58.76 грн
Мінімальне замовлення: 359
ICE3B2565FKLA1 ICE3B2565FKLA1 Infineon Technologies CoolSET-F3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a304412b407950112b428f6ba3f30 Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 67kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-DIP-8
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 15 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 68 W
на замовлення 10866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+75.54 грн
Мінімальне замовлення: 278
CY7C1423TV18-267BZXC CY7C1423TV18-267BZXC Infineon Technologies Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Bag
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II
Clock Frequency: 267 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+4926.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
CY62137FV30LL-45BVI CY62137FV30LL-45BVI Infineon Technologies CY62137FV30_MoBL.pdf Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 128K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+207.76 грн
Мінімальне замовлення: 102
ICE2QR4780ZXKLA1 ICE2QR4780ZXKLA1 Infineon Technologies Infineon-ICE2QR4780Z-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432a7fedfc012ab20ddc3636f8 Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 50%
Frequency - Switching: 52kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10.5V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DIP-7-1
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 18 V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 39 W
на замовлення 116856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
347+60.85 грн
Мінімальне замовлення: 347
ICE3A3065PBKSA1 ICE3A3065PBKSA1 Infineon Technologies CoolSET-F3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a304412b407950112b428f6ba3f30 Description: IC OFFLINE SW FLYBACK TO220-6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-6 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-TO220-6-47
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 15 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 128 W
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+90.23 грн
Мінімальне замовлення: 233
ICE3A5565PBKSA1 ICE3A5565PBKSA1 Infineon Technologies CoolSET-F3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a304412b407950112b428f6ba3f30 Description: IC OFFLINE SW FLYBACK TO220-6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-6 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-TO220-6-47
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 15 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 240 W
на замовлення 27298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+131.96 грн
Мінімальне замовлення: 160
CY62137CV30LL-70BVXE CY62137CV30LL-70BVXE Infineon Technologies CY62137CV%2830%2C33%29MoBL.pdf Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.3V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 128K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+202.15 грн
Мінімальне замовлення: 105
CY7C1362A-166AC CY7C1362A-166AC Infineon Technologies CY7C1360A_62A.pdf Description: IC SRAM 9MBIT 166MHZ 100LQFP
Packaging: Bag
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 9Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 512K x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+521.57 грн
Мінімальне замовлення: 44
CY2DM1502ZXI CY2DM1502ZXI Infineon Technologies ?utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC CLK BUFFER 1:2 1.5GHZ 8TSSOP
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+535.88 грн
Мінімальне замовлення: 41
CY7C1413AV18-250BZXC CY7C1413AV18-250BZXC Infineon Technologies CY7C1411,13,15,26AV18.pdf Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+3098.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
TLE4275S TLE4275S Infineon Technologies Infineon-TLE4275V50-DS-v01_07-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b437f96169d5&ack=t Description: IC REG LIN 5V 450MA TO220-5-12
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 450mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO220-5-12
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset
Part Status: Obsolete
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit, Transient Voltage
Current - Supply (Max): 22 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 12320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+97.84 грн
Мінімальне замовлення: 217
IPP60R1K4C6XKSA1 IPP60R1K4C6XKSA1 Infineon Technologies DS_IPP60R1K4C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae0138b2b95bbb0f7e Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 12218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 833
IPI45N06S409AKSA1 IPI45N06S409AKSA1 Infineon Technologies IPx45N06S4-09.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
799+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 799
CY7C25682KV18-400BZC CY7C25682KV18-400BZC Infineon Technologies Infineon-CY7C25682KV18_CY7C25702KV18_72-Mbit_DDR_II+_SRAM_Two-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)_with_ODT-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebde66630e8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&ut Description: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+14889.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPD03N60S5BTMA1 SPD03N60S5BTMA1 Infineon Technologies SPD_U03N60S5_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c8ab0471f Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
на замовлення 12175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
562+37.73 грн
Мінімальне замовлення: 562
CYD02S36V18-200BBC CYD02S36V18-200BBC Infineon Technologies Description: IC SRAM 2MBIT 200MHZ 256FBGA
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+8089.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPS65R1K0CEAKMA1 IPS65R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPS65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7a3c90c1e8a Description: MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1154+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 1154
IPI60R299CPXKSA1 IPI60R299CPXKSA1 Infineon Technologies IPI60R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e79d249d3 Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+91.27 грн
Мінімальне замовлення: 231
CYD02S36V18-167BBC CYD02S36V18-167BBC Infineon Technologies Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+6698.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
CY7C4261-10JXI CY7C4261-10JXI Infineon Technologies CY7C4261,71_RevI.pdf Description: IC SYNC FIFO MEM 16KX9 32-PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 32-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Synchronous
Memory Size: 144K (16K x 9)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Data Rate: 100MHz
Access Time: 8ns
Current - Supply (Max): 40mA
Supplier Device Package: 32-PLCC (11.43x13.97)
Bus Directional: Uni-Directional
Expansion Type: Depth, Width
Programmable Flags Support: Yes
Retransmit Capability: No
FWFT Support: No
Part Status: Obsolete
Voltage - Supply: 4.5 V ~ 5.5 V
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1564.59 грн
Мінімальне замовлення: 14
IPI80N04S204AKSA2 IPI80N04S204AKSA2 Infineon Technologies IPx80N04S2-04.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+74.84 грн
Мінімальне замовлення: 296
IPP80N04S2H4AKSA2 IPP80N04S2H4AKSA2 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
на замовлення 33500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IDH06S60CAKSA1 IDH06S60CAKSA1 Infineon Technologies IDH06S60C.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V
на замовлення 8468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+158.75 грн
Мінімальне замовлення: 135
CY7C1413AV18-200BZI CY7C1413AV18-200BZI Infineon Technologies CY7C1411,13,15,26AV18.pdf Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+3127.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1104LPBF IRF1104LPBF Infineon Technologies irf1104spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da952e1897 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
товар відсутній
IRS2541PBF IRS2541PBF Infineon Technologies IRS254%280%2C1%29%28S%29PbF.pdf Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Frequency: 500kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ)
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: 8-PDIP
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 9V
Voltage - Supply (Max): 15.6V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+111.19 грн
Мінімальне замовлення: 188
IRAM136-1561A2 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC MOD PWR HYBRID 600V 15A MOTOR
Packaging: Tube
Package / Case: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 15 A
Voltage: 600 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+906.15 грн
Мінімальне замовлення: 24
IPW60R299CPFKSA1 IPW60R299CPFKSA1 Infineon Technologies INFNS16494-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
товар відсутній
IPI70N10S3L12AKSA1 IPI70N10S3L12AKSA1 Infineon Technologies IPx70N10S3L-12.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 452
IPA60R250CPXKSA1 IPA60R250CPXKSA1 Infineon Technologies IPA60R250CP.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 21936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+101.08 грн
Мінімальне замовлення: 211
SGP20N60HSXKSA1 SGP20N60HSXKSA1 Infineon Technologies SGx20N60HS.pdf Description: IGBT 600V 36A 178W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+123.11 грн
Мінімальне замовлення: 171
IPP100N06S205AKSA1 IPP100N06S205AKSA1 Infineon Technologies IPB%2CIPP100N06S2-05.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+72.3 грн
Мінімальне замовлення: 293
IRG4BC15UDPBF irg4bc15udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563f0fa2224a
IRG4BC15UDPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 14A 49W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 7.8A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns
Switching Energy: 240µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 480V, 7.8A, 75Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 42 A
Power - Max: 49 W
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
297+70.65 грн
Мінімальне замовлення: 297
CY7C1423AV18-267BZXC
CY7C1423AV18-267BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II
Clock Frequency: 267 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+4269.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
CYD18S72V-133BBC download
CYD18S72V-133BBC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 484FBGA
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+23170.97 грн
IPI22N03S4L15AKSA1 IPx22N03S4L-15.pdf
IPI22N03S4L15AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
903+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 903
CY24488ZXC-002
CY24488ZXC-002
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLOCK GENERATOR
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
194+107.72 грн
Мінімальне замовлення: 194
IRGS8B60KTRLPBF IRG%28B%2CS%2CSL%298B60KPbF.pdf
IRGS8B60KTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 28A 167W D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/140ns
Switching Energy: 160µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 8A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 29 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 34 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
347+61.07 грн
Мінімальне замовлення: 347
IPB100N06S3-04 IPB%28I%2CP%29100N06S3-04.pdf
IPB100N06S3-04
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14230 pF @ 25 V
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
330+64.52 грн
Мінімальне замовлення: 330
BC858CWH6327XTSA1 Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9
BC858CWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6512+3.5 грн
Мінімальне замовлення: 6512
MMBTA42LT1 INFNS17374-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MMBTA42LT1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
товар відсутній
MMBT2907ALT1 mmbt2907alt1-d.pdf
MMBT2907ALT1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
товар відсутній
BCR169E6327HTSA1 bcr169series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a373011440313bb302d1
BCR169E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 942000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7397+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 7397
BFN38H6327XTSA1 bfn38.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011449af3ad90232&fileId=db3a30431441fb5d011449b536510236
BFN38H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 300V 0.2A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 187888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1490+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 1490
BC858AE6327HTSA1 Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9
BC858AE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7818+2.8 грн
Мінімальне замовлення: 7818
BCW61DE6327HTSA1 bcw61_bcx71.pdf?folderId=db3a304314dca389011541d30fa21656&fileId=db3a304314dca3890115422f2cbc173b
BCW61DE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 190400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6885+2.8 грн
Мінімальне замовлення: 6885
BC858CE6327HTSA1 Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9
BC858CE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 169480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7818+2.8 грн
Мінімальне замовлення: 7818
BC858CE6433HTMA1 Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9
BC858CE6433HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7818+2.8 грн
Мінімальне замовлення: 7818
BAV170E6433HTMA1 bav170series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141c748874044e&fileId=db3a30431400ef6801141cb8e81404e3
BAV170E6433HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
на замовлення 61666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7230+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 7230
BCP54H6327XTSA1 bcp54_bcp55_bcp56.pdf?fileId=db3a304314dca3890115475f01a81a0d
BCP54H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 1A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 229000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1225+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 1225
BCV26E6327HTSA1 Infineon-BCV26_BCV46-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431441fb5d011445cddad90187
BCV26E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 360 mW
на замовлення 174966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4691+4.2 грн
Мінімальне замовлення: 4691
BC818K40E6327HTSA1 4a-BC-817-40-E6433.pdf
BC818K40E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6951+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 6951
BAS16WH6327XTSA1 bas16series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141b93811b03ff
BAS16WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
на замовлення 681373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7397+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 7397
ICE3B5565PBKSA1 CoolSET-F3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a304412b407950112b428f6ba3f30
ICE3B5565PBKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SW FLYBACK TO220-6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-6 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 67kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-TO220-6-47
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 15 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 240 W
на замовлення 8300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
184+114.02 грн
Мінімальне замовлення: 184
BFN24E6327HTSA1 bfn24_bfn26.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156a1bcc68214d
BFN24E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 250V 0.2A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 360 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3847+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 3847
IGA30N60H3XKSA1 IGA30N60H3.pdf
IGA30N60H3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 18A 43W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 43 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
169+124.5 грн
Мінімальне замовлення: 169
IRGS4630DPBF IRGx4630D%28-E%29PbF.pdf
IRGS4630DPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 47A 206W D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/105ns
Switching Energy: 95µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 18A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 47 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 54 A
Power - Max: 206 W
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
162+131.87 грн
Мінімальне замовлення: 162
IPI80N06S405AKSA2 IPx80N06S4-05.pdf
IPI80N06S405AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
278+75.54 грн
Мінімальне замовлення: 278
CY25811ZXC cy25811,12,14_8.pdf
CY25811ZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLOCK GEN 3.3V SS 8-TSSOP
на замовлення 8525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
229+91.04 грн
Мінімальне замовлення: 229
IPI80N06S4L05AKSA1 Infineon-I80N06S4L_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038e65fed0d07
IPI80N06S4L05AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V
на замовлення 9300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
359+58.76 грн
Мінімальне замовлення: 359
ICE3B2565FKLA1 CoolSET-F3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a304412b407950112b428f6ba3f30
ICE3B2565FKLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 67kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-DIP-8
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 15 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 68 W
на замовлення 10866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
278+75.54 грн
Мінімальне замовлення: 278
CY7C1423TV18-267BZXC
CY7C1423TV18-267BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Bag
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II
Clock Frequency: 267 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+4926.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
CY62137FV30LL-45BVI CY62137FV30_MoBL.pdf
CY62137FV30LL-45BVI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 128K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
102+207.76 грн
Мінімальне замовлення: 102
ICE2QR4780ZXKLA1 Infineon-ICE2QR4780Z-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432a7fedfc012ab20ddc3636f8
ICE2QR4780ZXKLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 50%
Frequency - Switching: 52kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10.5V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DIP-7-1
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 18 V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 39 W
на замовлення 116856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
347+60.85 грн
Мінімальне замовлення: 347
ICE3A3065PBKSA1 CoolSET-F3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a304412b407950112b428f6ba3f30
ICE3A3065PBKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SW FLYBACK TO220-6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-6 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-TO220-6-47
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 15 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 128 W
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
233+90.23 грн
Мінімальне замовлення: 233
ICE3A5565PBKSA1 CoolSET-F3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a304412b407950112b428f6ba3f30
ICE3A5565PBKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SW FLYBACK TO220-6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-6 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-TO220-6-47
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 15 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 240 W
на замовлення 27298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
160+131.96 грн
Мінімальне замовлення: 160
CY62137CV30LL-70BVXE CY62137CV%2830%2C33%29MoBL.pdf
CY62137CV30LL-70BVXE
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.3V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 128K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
105+202.15 грн
Мінімальне замовлення: 105
CY7C1362A-166AC CY7C1360A_62A.pdf
CY7C1362A-166AC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 9MBIT 166MHZ 100LQFP
Packaging: Bag
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 9Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 512K x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+521.57 грн
Мінімальне замовлення: 44
CY2DM1502ZXI ?utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY2DM1502ZXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLK BUFFER 1:2 1.5GHZ 8TSSOP
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
41+535.88 грн
Мінімальне замовлення: 41
CY7C1413AV18-250BZXC CY7C1411,13,15,26AV18.pdf
CY7C1413AV18-250BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+3098.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
TLE4275S Infineon-TLE4275V50-DS-v01_07-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b437f96169d5&ack=t
TLE4275S
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 450MA TO220-5-12
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 450mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO220-5-12
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset
Part Status: Obsolete
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit, Transient Voltage
Current - Supply (Max): 22 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 12320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
217+97.84 грн
Мінімальне замовлення: 217
IPP60R1K4C6XKSA1 DS_IPP60R1K4C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae0138b2b95bbb0f7e
IPP60R1K4C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 12218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
833+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 833
IPI45N06S409AKSA1 IPx45N06S4-09.pdf
IPI45N06S409AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
799+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 799
CY7C25682KV18-400BZC Infineon-CY7C25682KV18_CY7C25702KV18_72-Mbit_DDR_II+_SRAM_Two-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)_with_ODT-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebde66630e8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&ut
CY7C25682KV18-400BZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+14889.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPD03N60S5BTMA1 SPD_U03N60S5_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c8ab0471f
SPD03N60S5BTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
на замовлення 12175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
562+37.73 грн
Мінімальне замовлення: 562
CYD02S36V18-200BBC
CYD02S36V18-200BBC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 2MBIT 200MHZ 256FBGA
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+8089.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPS65R1K0CEAKMA1 Infineon-IPS65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7a3c90c1e8a
IPS65R1K0CEAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1154+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 1154
IPI60R299CPXKSA1 IPI60R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e79d249d3
IPI60R299CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
231+91.27 грн
Мінімальне замовлення: 231
CYD02S36V18-167BBC
CYD02S36V18-167BBC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+6698.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
CY7C4261-10JXI CY7C4261,71_RevI.pdf
CY7C4261-10JXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SYNC FIFO MEM 16KX9 32-PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 32-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Synchronous
Memory Size: 144K (16K x 9)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Data Rate: 100MHz
Access Time: 8ns
Current - Supply (Max): 40mA
Supplier Device Package: 32-PLCC (11.43x13.97)
Bus Directional: Uni-Directional
Expansion Type: Depth, Width
Programmable Flags Support: Yes
Retransmit Capability: No
FWFT Support: No
Part Status: Obsolete
Voltage - Supply: 4.5 V ~ 5.5 V
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+1564.59 грн
Мінімальне замовлення: 14
IPI80N04S204AKSA2 IPx80N04S2-04.pdf
IPI80N04S204AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
296+74.84 грн
Мінімальне замовлення: 296
IPP80N04S2H4AKSA2 Part_Number_Guide_Web.pdf
IPP80N04S2H4AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
на замовлення 33500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IDH06S60CAKSA1 IDH06S60C.pdf
IDH06S60CAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V
на замовлення 8468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
135+158.75 грн
Мінімальне замовлення: 135
CY7C1413AV18-200BZI CY7C1411,13,15,26AV18.pdf
CY7C1413AV18-200BZI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+3127.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1104LPBF irf1104spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da952e1897
IRF1104LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
товар відсутній
IRS2541PBF IRS254%280%2C1%29%28S%29PbF.pdf
IRS2541PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Frequency: 500kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ)
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: 8-PDIP
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 9V
Voltage - Supply (Max): 15.6V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
188+111.19 грн
Мінімальне замовлення: 188
IRAM136-1561A2 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOD PWR HYBRID 600V 15A MOTOR
Packaging: Tube
Package / Case: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 15 A
Voltage: 600 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+906.15 грн
Мінімальне замовлення: 24
IPW60R299CPFKSA1 INFNS16494-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPW60R299CPFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
товар відсутній
IPI70N10S3L12AKSA1 IPx70N10S3L-12.pdf
IPI70N10S3L12AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
452+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 452
IPA60R250CPXKSA1 IPA60R250CP.pdf
IPA60R250CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 21936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
211+101.08 грн
Мінімальне замовлення: 211
SGP20N60HSXKSA1 SGx20N60HS.pdf
SGP20N60HSXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 36A 178W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
171+123.11 грн
Мінімальне замовлення: 171
IPP100N06S205AKSA1 IPB%2CIPP100N06S2-05.pdf
IPP100N06S205AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
293+72.3 грн
Мінімальне замовлення: 293
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 229 329 330 331 332 333 334 335 336 337 338 339 458 687 916 1145 1374 1603 1832 2061 2290 2298  [ Наступна Сторінка >> ]