IPW60R299CPFKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R299CPFKSA1 - IPW60R299 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R299CPFKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 98W; PG-TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ CP, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 11A, Power dissipation: 98W, Case: PG-TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.299Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPW60R299CPFKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW60R299CPFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 98W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 98W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.299Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IPW60R299CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 |
товар відсутній |
|
 |
IPW60R299CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 |
товар відсутній |
|
 |
IPW60R299CPFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_LEGACY |
товар відсутній |
|
|
|
IPW60R299CPFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 98W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 98W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.299Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |