Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (139445) > Сторінка 335 з 2325

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 330 331 332 333 334 335 336 337 338 339 340 464 696 928 1160 1392 1624 1856 2088 2320 2325  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IDH06S60CAKSA1 IDH06S60CAKSA1 Infineon Technologies IDH06S60C.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V
на замовлення 8468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+155.86 грн
Мінімальне замовлення: 135
CY7C1413AV18-200BZI CY7C1413AV18-200BZI Infineon Technologies CY7C1411,13,15,26AV18.pdf Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+3200.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1104LPBF IRF1104LPBF Infineon Technologies irf1104spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da952e1897 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
товар відсутній
IRS2541PBF IRS2541PBF Infineon Technologies IRS254%280%2C1%29%28S%29PbF.pdf Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Frequency: 500kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ)
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: 8-PDIP
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 9V
Voltage - Supply (Max): 15.6V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+113.79 грн
Мінімальне замовлення: 188
IRAM136-1561A2 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC MOD PWR HYBRID 600V 15A MOTOR
Packaging: Tube
Package / Case: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 15 A
Voltage: 600 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+927.4 грн
Мінімальне замовлення: 24
IPW60R299CPFKSA1 IPW60R299CPFKSA1 Infineon Technologies INFNS16494-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
товар відсутній
IPI70N10S3L12AKSA1 IPI70N10S3L12AKSA1 Infineon Technologies IPx70N10S3L-12.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+47.25 грн
Мінімальне замовлення: 452
IPA60R250CPXKSA1 IPA60R250CPXKSA1 Infineon Technologies IPA60R250CP.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 21936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+101.65 грн
Мінімальне замовлення: 211
SGP20N60HSXKSA1 SGP20N60HSXKSA1 Infineon Technologies SGx20N60HS.pdf Description: IGBT 600V 36A 178W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+123.01 грн
Мінімальне замовлення: 171
IPP100N06S205AKSA1 IPP100N06S205AKSA1 Infineon Technologies IPB%2CIPP100N06S2-05.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+71.99 грн
Мінімальне замовлення: 293
IPP60R950C6XKSA1 IPP60R950C6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R950C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297f4f9f644cb Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 74450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+31.45 грн
Мінімальне замовлення: 666
ICE2AS01 ICE2AS01 Infineon Technologies ICE2AS01%28G%29%2C%20ICE2BS01%28G%29.pdf Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-DIP-8
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 13.5 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Obsolete
на замовлення 19413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
577+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 577
SGP04N60XKSA1 SGP04N60XKSA1 Infineon Technologies SGx04N60.pdf Description: IGBT 600V 9.4A 50W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/237ns
Switching Energy: 131µJ
Test Condition: 400V, 4A, 67Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 9.4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 19 A
Power - Max: 50 W
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+77.58 грн
Мінімальне замовлення: 270
IPP085N06LGAKSA1 IPP085N06LGAKSA1 Infineon Technologies IPB,IPP085N06L_G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A. 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 385
TT210N16KOFHPSA1 TT210N16KOFHPSA1 Infineon Technologies TT210N.pdf Description: SCR MODULE 1.6KV MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 6600A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 261 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Obsolete
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+9561.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
CY7C1413AV18-250BZC CY7C1413AV18-250BZC Infineon Technologies CY7C1411,13,15,26AV18.pdf Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+3170.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPS031N03LGAKMA1 IPS031N03LGAKMA1 Infineon Technologies IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf Description: LV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 650
IRAM136-0461G Infineon Technologies iram136-0461g.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d680561846 Description: IC MOD PWR HYBRID 600V 4A MOTOR
Packaging: Tube
Package / Case: 23-PowerSSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 9.4 A
Voltage: 600 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+834.75 грн
Мінімальне замовлення: 26
IDW30G65C5FKSA1 IDW30G65C5FKSA1 Infineon Technologies IDW30G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4b3a2b221ca Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
на замовлення 12442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+622.16 грн
Мінімальне замовлення: 37
IPB60R299CPATMA1 IPB60R299CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152837f87d12ad&fileId=db3a30431689f4420116d30161ca0c0b Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
товар відсутній
IPP60R600C6XKSA1 IPP60R600C6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R600C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd0122a83539b37d74 Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
товар відсутній
CY7C1512JV18-267BZI CY7C1512JV18-267BZI Infineon Technologies Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 267 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10887.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IDH15S120AKSA1 IDH15S120AKSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1200 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+871.53 грн
Мінімальне замовлення: 25
IPS105N03LGAKMA1 IPS105N03LGAKMA1 Infineon Technologies IP%28D%2CF%2CS%2CU%29105N03L%20G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1598+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 1598
IPP100N04S2L03AKSA1 IPP100N04S2L03AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B100N04S2L-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42b9443455d&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
на замовлення 12531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+99.72 грн
Мінімальне замовлення: 221
BTS5240GXUMA1 BTS5240GXUMA1 Infineon Technologies BTS5240G.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 21mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 5.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-20-21
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+311.72 грн
Мінімальне замовлення: 68
IPD50R1K4CEBTMA1 IPD50R1K4CEBTMA1 Infineon Technologies INFN-S-A0002262916-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
товар відсутній
BUZ31H3046XKSA1 BUZ31H3046XKSA1 Infineon Technologies BUZ31_H3046.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 7239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
495+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 495
BUZ31HXKSA1 BUZ31HXKSA1 Infineon Technologies BUZ31_H.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 3411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
416+51.54 грн
Мінімальне замовлення: 416
CY62256NLL-55ZXE CY62256NLL-55ZXE Infineon Technologies Infineon-CY62256N_256-Kbit_(32_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebee07732ce Description: IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
Packaging: Tube
Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-TSOP I
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+269.23 грн
Мінімальне замовлення: 87
BSP299L6327HUSA1 BSP299L6327HUSA1 Infineon Technologies BSP299.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 22062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
547+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 547
BTS54040LBBAUMA1 BTS54040LBBAUMA1 Infineon Technologies BTS54040-LBB.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TSON-24
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-PowerTDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: SPI
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 39mOhm
Voltage - Load: 5.5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.8V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSON-24-3
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Grade: Automotive
на замовлення 52373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+150.2 грн
Мінімальне замовлення: 145
CY25819SXCT CY25819SXCT Infineon Technologies CY25819.pdf Description: IC CLOCK GEN 3.3V SS 8-SOIC
на замовлення 13955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+110.96 грн
Мінімальне замовлення: 193
CY7C1353S-100AXCT CY7C1353S-100AXCT Infineon Technologies Description: IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4.5Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 8 ns
Memory Organization: 256K x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+442.41 грн
Мінімальне замовлення: 48
BTS54040LBAAUMA1 BTS54040LBAAUMA1 Infineon Technologies BTS54040-LBA.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TSON-24
Packaging: Bulk
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 24-PowerTDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: SPI
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 39mOhm
Voltage - Load: 5.5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.8V ~ 5.5V
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSON-24-3
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 54441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+170.97 грн
Мінімальне замовлення: 126
CY26114ZC CY26114ZC Infineon Technologies CY26114.pdf Description: IC CLOCK GENERATOR 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 100MHz
Type: Clock Generator, Fanout Distribution, Multiplexer
Input: Crystal
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:4
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 16-TSSOP
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+114.24 грн
Мінімальне замовлення: 189
BSP125L6327HTSA1 BSP125L6327HTSA1 Infineon Technologies dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 343141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 693
BTS7811KDTMA1 BTS7811KDTMA1 Infineon Technologies INFNS12368-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
товар відсутній
BTS54220LBAAUMA1 BTS54220LBAAUMA1 Infineon Technologies Automotive_Application_Guide_2016_BR.PDF?fileId=5546d46158f23e7b0158f8cac4de0051 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TSON-24
Packaging: Bulk
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 24-PowerTDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: SPI
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 9mOhm, 27mOhm
Voltage - Load: 5.5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.8V ~ 5.5V
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSON-24-3
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+200.42 грн
Мінімальне замовлення: 108
IPP60R520E6XKSA1 IPP60R520E6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R520E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281ba841551b3c Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BBY5305WH6327XTSA1 BBY5305WH6327XTSA1 Infineon Technologies bby53series.pdf Description: DIODE TUNING 6V 20MA SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 3.1pF @ 3V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C3
Supplier Device Package: PG-SOT323
Voltage - Peak Reverse (Max): 6 V
Capacitance Ratio: 2.6
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1888+11.5 грн
Мінімальне замовлення: 1888
DD180N18SHPSA1 DD180N18SHPSA1 Infineon Technologies DD180N18S.pdf Description: MODULE DIODE THY PB34SB-1
товар відсутній
CY7C421-20VXC CY7C421-20VXC Infineon Technologies CY7C421.pdf Description: IC FIFO ASYNC 512X9 20NS 28SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Asynchronous
Memory Size: 4.5K (512 x 9)
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Data Rate: 50MHz
Access Time: 20ns
Current - Supply (Max): 55mA
Supplier Device Package: 28-SOJ
Bus Directional: Uni-Directional
Expansion Type: Depth, Width
Programmable Flags Support: No
Retransmit Capability: Yes
FWFT Support: No
Voltage - Supply: 4.5 V ~ 5.5 V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+351.9 грн
Мінімальне замовлення: 63
SPD02N60S5BTMA1 SPD02N60S5BTMA1 Infineon Technologies SPD_U02N60S5_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c91374727 Description: MOSFET N-CH 600V 1.8A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 693
SPW20N60C3E8177FKSA1 SPW20N60C3E8177FKSA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 181030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+191.5 грн
Мінімальне замовлення: 110
SPD30N03S2L20GBTMA1 SPD30N03S2L20GBTMA1 Infineon Technologies SPD30N03S2L-20_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 22023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
904+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 904
SPD30N03S2L07GBTMA1 SPD30N03S2L07GBTMA1 Infineon Technologies SPD30N03S2L-07_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
495+43.82 грн
Мінімальне замовлення: 495
BCX6910E6327HTSA1 BCX6910E6327HTSA1 Infineon Technologies bcx69.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589f3f56603ee&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_bcx69.pdf Description: TRANS PNP 20V 1A SOT89
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 15000
BDP948E6433HTMA1 BDP948E6433HTMA1 Infineon Technologies bdp948_bdp950.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156149b3e81f67&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_bdp948_bdp950.pdf Description: TRANS PNP 45V 3A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 5 W
на замовлення 22990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1094+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 1094
BAV74 BAV74 Infineon Technologies SIEMD095-344.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARRAY GP 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 58507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6918+2.8 грн
Мінімальне замовлення: 6918
BFN38E6327HTSA1 BFN38E6327HTSA1 Infineon Technologies bfn38.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011449af3ad90232&fileId=db3a30431441fb5d011449b536510236 Description: TRANS NPN 300V 0.2A SOT223-4
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2046+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 2046
BTS54040LBFAUMA1 BTS54040LBFAUMA1 Infineon Technologies BTS54040-LBF.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:2 TSON-24
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-PowerTDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: SPI
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 39mOhm
Voltage - Load: 5.5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.8V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:2
Supplier Device Package: PG-TSON-24-3
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Grade: Automotive
на замовлення 31879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+195.39 грн
Мінімальне замовлення: 111
BSC884N03MS G BSC884N03MS G Infineon Technologies BSC884N03MS_G.pdf Description: MOSFET N-CH 34V 17A/85A TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
866+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 866
BG3130H6327XTSA1 BG3130H6327XTSA1 Infineon Technologies BG3130.pdf Description: RF MOSFET 5V SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Gain: 24dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 1.3dB
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 14 mA
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2968+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 2968
IPI50R250CPXKSA1 IPI50R250CPXKSA1 Infineon Technologies IPI50R250CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304320896aa20120d244f52350be Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+77.58 грн
Мінімальне замовлення: 270
CY7C1021CV33-10VXC CY7C1021CV33-10VXC Infineon Technologies CY7C1021CV33%20Rev.H.pdf Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+120.08 грн
Мінімальне замовлення: 188
IPP100N06S205AKSA2 IPP100N06S205AKSA2 Infineon Technologies IPx100N06S2-05.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+71.99 грн
Мінімальне замовлення: 293
IPB50CN10NGATMA1 IPB50CN10NGATMA1 Infineon Technologies IPx50CN10N_G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+40.8 грн
Мінімальне замовлення: 533
FS100R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies FS100R12KT4_B11_Rev2_2013-11-04.pdf Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+7922.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP100N04S204AKSA2 IPP100N04S204AKSA2 Infineon Technologies IPx100N04S2-04.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+100.37 грн
Мінімальне замовлення: 221
IDH06S60CAKSA1 IDH06S60C.pdf
IDH06S60CAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V
на замовлення 8468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
135+155.86 грн
Мінімальне замовлення: 135
CY7C1413AV18-200BZI CY7C1411,13,15,26AV18.pdf
CY7C1413AV18-200BZI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+3200.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1104LPBF irf1104spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da952e1897
IRF1104LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
товар відсутній
IRS2541PBF IRS254%280%2C1%29%28S%29PbF.pdf
IRS2541PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Frequency: 500kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ)
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: 8-PDIP
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 9V
Voltage - Supply (Max): 15.6V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
188+113.79 грн
Мінімальне замовлення: 188
IRAM136-1561A2 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOD PWR HYBRID 600V 15A MOTOR
Packaging: Tube
Package / Case: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 15 A
Voltage: 600 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+927.4 грн
Мінімальне замовлення: 24
IPW60R299CPFKSA1 INFNS16494-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPW60R299CPFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
товар відсутній
IPI70N10S3L12AKSA1 IPx70N10S3L-12.pdf
IPI70N10S3L12AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
452+47.25 грн
Мінімальне замовлення: 452
IPA60R250CPXKSA1 IPA60R250CP.pdf
IPA60R250CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 21936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
211+101.65 грн
Мінімальне замовлення: 211
SGP20N60HSXKSA1 SGx20N60HS.pdf
SGP20N60HSXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 36A 178W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
171+123.01 грн
Мінімальне замовлення: 171
IPP100N06S205AKSA1 IPB%2CIPP100N06S2-05.pdf
IPP100N06S205AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
293+71.99 грн
Мінімальне замовлення: 293
IPP60R950C6XKSA1 IPP60R950C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297f4f9f644cb
IPP60R950C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 74450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
666+31.45 грн
Мінімальне замовлення: 666
ICE2AS01 ICE2AS01%28G%29%2C%20ICE2BS01%28G%29.pdf
ICE2AS01
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-DIP-8
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 13.5 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Obsolete
на замовлення 19413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
577+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 577
SGP04N60XKSA1 SGx04N60.pdf
SGP04N60XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 9.4A 50W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/237ns
Switching Energy: 131µJ
Test Condition: 400V, 4A, 67Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 9.4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 19 A
Power - Max: 50 W
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
270+77.58 грн
Мінімальне замовлення: 270
IPP085N06LGAKSA1 IPB,IPP085N06L_G.pdf
IPP085N06LGAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A. 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
385+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 385
TT210N16KOFHPSA1 TT210N.pdf
TT210N16KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.6KV MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 6600A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 261 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Obsolete
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+9561.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
CY7C1413AV18-250BZC CY7C1411,13,15,26AV18.pdf
CY7C1413AV18-250BZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+3170.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPS031N03LGAKMA1 IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf
IPS031N03LGAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
650+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 650
IRAM136-0461G iram136-0461g.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d680561846
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOD PWR HYBRID 600V 4A MOTOR
Packaging: Tube
Package / Case: 23-PowerSSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 9.4 A
Voltage: 600 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+834.75 грн
Мінімальне замовлення: 26
IDW30G65C5FKSA1 IDW30G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4b3a2b221ca
IDW30G65C5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
на замовлення 12442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+622.16 грн
Мінімальне замовлення: 37
IPB60R299CPATMA1 IPB60R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152837f87d12ad&fileId=db3a30431689f4420116d30161ca0c0b
IPB60R299CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
товар відсутній
IPP60R600C6XKSA1 IPP60R600C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd0122a83539b37d74
IPP60R600C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
товар відсутній
CY7C1512JV18-267BZI
CY7C1512JV18-267BZI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 267 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+10887.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IDH15S120AKSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IDH15S120AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1200 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+871.53 грн
Мінімальне замовлення: 25
IPS105N03LGAKMA1 IP%28D%2CF%2CS%2CU%29105N03L%20G.pdf
IPS105N03LGAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1598+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 1598
IPP100N04S2L03AKSA1 Infineon-IPP_B100N04S2L-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42b9443455d&ack=t
IPP100N04S2L03AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
на замовлення 12531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
221+99.72 грн
Мінімальне замовлення: 221
BTS5240GXUMA1 BTS5240G.pdf
BTS5240GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 21mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 5.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-20-21
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
68+311.72 грн
Мінімальне замовлення: 68
IPD50R1K4CEBTMA1 INFN-S-A0002262916-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50R1K4CEBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
товар відсутній
BUZ31H3046XKSA1 BUZ31_H3046.pdf
BUZ31H3046XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 7239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
495+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 495
BUZ31HXKSA1 BUZ31_H.pdf
BUZ31HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 3411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
416+51.54 грн
Мінімальне замовлення: 416
CY62256NLL-55ZXE Infineon-CY62256N_256-Kbit_(32_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebee07732ce
CY62256NLL-55ZXE
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
Packaging: Tube
Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-TSOP I
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
87+269.23 грн
Мінімальне замовлення: 87
BSP299L6327HUSA1 BSP299.pdf
BSP299L6327HUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 22062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
547+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 547
BTS54040LBBAUMA1 BTS54040-LBB.pdf
BTS54040LBBAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TSON-24
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-PowerTDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: SPI
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 39mOhm
Voltage - Load: 5.5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.8V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSON-24-3
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Grade: Automotive
на замовлення 52373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
145+150.2 грн
Мінімальне замовлення: 145
CY25819SXCT CY25819.pdf
CY25819SXCT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLOCK GEN 3.3V SS 8-SOIC
на замовлення 13955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
193+110.96 грн
Мінімальне замовлення: 193
CY7C1353S-100AXCT
CY7C1353S-100AXCT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4.5Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 8 ns
Memory Organization: 256K x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
48+442.41 грн
Мінімальне замовлення: 48
BTS54040LBAAUMA1 BTS54040-LBA.pdf
BTS54040LBAAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TSON-24
Packaging: Bulk
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 24-PowerTDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: SPI
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 39mOhm
Voltage - Load: 5.5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.8V ~ 5.5V
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSON-24-3
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 54441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
126+170.97 грн
Мінімальне замовлення: 126
CY26114ZC CY26114.pdf
CY26114ZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLOCK GENERATOR 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 100MHz
Type: Clock Generator, Fanout Distribution, Multiplexer
Input: Crystal
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:4
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 16-TSSOP
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
189+114.24 грн
Мінімальне замовлення: 189
BSP125L6327HTSA1 dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
BSP125L6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 343141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
693+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 693
BTS7811KDTMA1 INFNS12368-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS7811KDTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
товар відсутній
BTS54220LBAAUMA1 Automotive_Application_Guide_2016_BR.PDF?fileId=5546d46158f23e7b0158f8cac4de0051
BTS54220LBAAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TSON-24
Packaging: Bulk
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 24-PowerTDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: SPI
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 9mOhm, 27mOhm
Voltage - Load: 5.5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.8V ~ 5.5V
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSON-24-3
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
108+200.42 грн
Мінімальне замовлення: 108
IPP60R520E6XKSA1 IPP60R520E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281ba841551b3c
IPP60R520E6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BBY5305WH6327XTSA1 bby53series.pdf
BBY5305WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE TUNING 6V 20MA SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 3.1pF @ 3V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C3
Supplier Device Package: PG-SOT323
Voltage - Peak Reverse (Max): 6 V
Capacitance Ratio: 2.6
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1888+11.5 грн
Мінімальне замовлення: 1888
DD180N18SHPSA1 DD180N18S.pdf
DD180N18SHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE DIODE THY PB34SB-1
товар відсутній
CY7C421-20VXC CY7C421.pdf
CY7C421-20VXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FIFO ASYNC 512X9 20NS 28SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Asynchronous
Memory Size: 4.5K (512 x 9)
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Data Rate: 50MHz
Access Time: 20ns
Current - Supply (Max): 55mA
Supplier Device Package: 28-SOJ
Bus Directional: Uni-Directional
Expansion Type: Depth, Width
Programmable Flags Support: No
Retransmit Capability: Yes
FWFT Support: No
Voltage - Supply: 4.5 V ~ 5.5 V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
63+351.9 грн
Мінімальне замовлення: 63
SPD02N60S5BTMA1 SPD_U02N60S5_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c91374727
SPD02N60S5BTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 1.8A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
693+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 693
SPW20N60C3E8177FKSA1
SPW20N60C3E8177FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 181030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
110+191.5 грн
Мінімальне замовлення: 110
SPD30N03S2L20GBTMA1 SPD30N03S2L-20_G.pdf
SPD30N03S2L20GBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 22023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
904+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 904
SPD30N03S2L07GBTMA1 SPD30N03S2L-07_G.pdf
SPD30N03S2L07GBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
495+43.82 грн
Мінімальне замовлення: 495
BCX6910E6327HTSA1 bcx69.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589f3f56603ee&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_bcx69.pdf
BCX6910E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 20V 1A SOT89
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 15000
BDP948E6433HTMA1 bdp948_bdp950.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156149b3e81f67&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_bdp948_bdp950.pdf
BDP948E6433HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 3A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 5 W
на замовлення 22990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1094+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 1094
BAV74 SIEMD095-344.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAV74
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY GP 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 58507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6918+2.8 грн
Мінімальне замовлення: 6918
BFN38E6327HTSA1 bfn38.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011449af3ad90232&fileId=db3a30431441fb5d011449b536510236
BFN38E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 300V 0.2A SOT223-4
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2046+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 2046
BTS54040LBFAUMA1 BTS54040-LBF.pdf
BTS54040LBFAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:2 TSON-24
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-PowerTDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: SPI
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 39mOhm
Voltage - Load: 5.5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.8V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:2
Supplier Device Package: PG-TSON-24-3
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Grade: Automotive
на замовлення 31879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
111+195.39 грн
Мінімальне замовлення: 111
BSC884N03MS G BSC884N03MS_G.pdf
BSC884N03MS G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 34V 17A/85A TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
866+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 866
BG3130H6327XTSA1 BG3130.pdf
BG3130H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MOSFET 5V SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Gain: 24dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 1.3dB
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 14 mA
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2968+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 2968
IPI50R250CPXKSA1 IPI50R250CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304320896aa20120d244f52350be
IPI50R250CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
270+77.58 грн
Мінімальне замовлення: 270
CY7C1021CV33-10VXC CY7C1021CV33%20Rev.H.pdf
CY7C1021CV33-10VXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
188+120.08 грн
Мінімальне замовлення: 188
IPP100N06S205AKSA2 IPx100N06S2-05.pdf
IPP100N06S205AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
293+71.99 грн
Мінімальне замовлення: 293
IPB50CN10NGATMA1 IPx50CN10N_G.pdf
IPB50CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
533+40.8 грн
Мінімальне замовлення: 533
FS100R12KT4B11BOSA1 FS100R12KT4_B11_Rev2_2013-11-04.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+7922.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP100N04S204AKSA2 IPx100N04S2-04.pdf
IPP100N04S204AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
221+100.37 грн
Мінімальне замовлення: 221
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 330 331 332 333 334 335 336 337 338 339 340 464 696 928 1160 1392 1624 1856 2088 2320 2325  [ Наступна Сторінка >> ]