Продукція > ALLIANCE MEMORY > Всі товари виробника ALLIANCE MEMORY (3685) > Сторінка 7 з 62

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 18 24 30 36 42 48 54 60 62  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
AS4C16M16SA-6TIN AS4C16M16SA-6TIN ALLIANCE MEMORY 3999938.pdf Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6TIN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+413.15 грн
10+ 328.79 грн
25+ 316.96 грн
50+ 283.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
AS4C16M16SA-6TIN AS4C16M16SA-6TIN Alliance Memory 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp - Tray
на замовлення 5133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+386.22 грн
10+ 336.25 грн
108+ 260.76 грн
216+ 256.54 грн
540+ 238.27 грн
10044+ 236.86 грн
AS4C16M16SA-6TIN AS4C16M16SA-6TIN ALLIANCE MEMORY as4c16m16sa.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 166MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+430.5 грн
4+ 290.13 грн
11+ 264.45 грн
108+ 253.91 грн
AS4C16M16SA-6TINTR AS4C16M16SA-6TINTR Alliance Memory 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf DRAM 256Mb, SDR, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp(.63) Tape and Reel, A Die
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+385.4 грн
10+ 344.33 грн
100+ 261.46 грн
250+ 260.76 грн
500+ 250.92 грн
1000+ 238.27 грн
2000+ 229.83 грн
AS4C16M16SA-6TINTR ALLIANCE MEMORY 256Mb-AS4C16M16SA-C&I_V3.0_March%202015.pdf AS4C16M16SA-6TINTR DRAM memories - integrated circuits
товар відсутній
AS4C16M16SA-7BCN AS4C16M16SA-7BCN ALLIANCE MEMORY 3999938.pdf Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-7BCN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 143 MHz, TFBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+443.9 грн
10+ 323.27 грн
25+ 322.48 грн
50+ 298.71 грн
100+ 275.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
AS4C16M16SA-7BCN AS4C16M16SA-7BCN Alliance Memory 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Commercial Temp - Tray
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+416.56 грн
10+ 374.24 грн
100+ 284.66 грн
250+ 283.95 грн
348+ 266.38 грн
1044+ 254.43 грн
2784+ 246.7 грн
AS4C16M16SA-7BCN ALLIANCE MEMORY AS4C16M16SA-6BIN.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3÷3.6V; 143MHz; 6ns; TFBGA55
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 143MHz
Access time: 6ns
Case: TFBGA55
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of interface: parallel
Operating voltage: 3...3.6V
кількість в упаковці: 348 шт
товар відсутній
AS4C16M16SA-7BCNTR AS4C16M16SA-7BCNTR Alliance Memory 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf DRAM 256Mb, SDR, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Commercial Temp(.63) Tape and Reel, A Die
товар відсутній
AS4C16M16SA-7BCNTR ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; FBGA54
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: FBGA54
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: reel
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
AS4C16M16SA-7TCN AS4C16M16SA-7TCN ALLIANCE MEMORY 3999938.pdf Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-7TCN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 143 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+367.42 грн
10+ 292.52 грн
25+ 280.69 грн
50+ 250.39 грн
100+ 220.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
AS4C16M16SA-7TCN AS4C16M16SA-7TCN Alliance Memory 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf DRAM SDRAM, 256M, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp - Tray
на замовлення 11386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+328 грн
10+ 286.94 грн
108+ 219.29 грн
216+ 215.78 грн
540+ 203.83 грн
1080+ 201.02 грн
2592+ 199.61 грн
AS4C16M16SA-7TCN AS4C16M16SA-7TCN ALLIANCE MEMORY as4c16m16sa.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 504 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+382.25 грн
5+ 266.41 грн
12+ 242.49 грн
108+ 232.82 грн
AS4C16M16SA-7TCNTR AS4C16M16SA-7TCNTR Alliance Memory 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf DRAM SDR, 256M, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp(.63) Tape and Reel, A Die
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+328.82 грн
10+ 294.22 грн
100+ 223.51 грн
250+ 222.1 грн
500+ 214.37 грн
1000+ 208.75 грн
2000+ 208.05 грн
AS4C16M16SA-7TCNTR AS4C16M16SA-7TCNTR ALLIANCE MEMORY as4c16m16sa.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel
Quantity in set/package: 1000pcs.
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+377.52 грн
4+ 285.57 грн
11+ 260.06 грн
1000+ 249.51 грн
AS4C16M16SB-6TIN AS4C16M16SB-6TIN ALLIANCE MEMORY AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB-xBIN_TIN(TCN)_25June2021_Rev2.0.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5ns; TSOP54 II; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 166MHz
Access time: 5ns
Case: TSOP54 II
Memory capacity: 256Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 3.3V
товар відсутній
AS4C16M16SB-6TINTR AS4C16M16SB-6TINTR ALLIANCE MEMORY Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5ns; TSOP54 II; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 166MHz
Access time: 5ns
Case: TSOP54 II
Memory capacity: 256Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel
Operating voltage: 3.3V
товар відсутній
AS4C16M16SB-7TCN AS4C16M16SB-7TCN ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Operating temperature: 0...70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Access time: 5.4ns
Clock frequency: 143MHz
Kind of package: in-tray
Memory: 256Mb DRAM
Mounting: SMD
Case: TSOP54 II
Operating voltage: 3.3V
товар відсутній
AS4C16M16SB-7TCNTR AS4C16M16SB-7TCNTR ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Operating temperature: 0...70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Access time: 5.4ns
Clock frequency: 143MHz
Kind of package: reel
Memory: 256Mb DRAM
Mounting: SMD
Case: TSOP54 II
Operating voltage: 3.3V
товар відсутній
AS4C16M16SB-6BIN AS4C16M16SB-6BIN Alliance Memory AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB_xBIN_TI-2510978.pdf DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tray
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.34 грн
10+ 396.06 грн
100+ 301.53 грн
250+ 300.12 грн
348+ 288.87 грн
1044+ 282.55 грн
2784+ 277.63 грн
AS4C16M16SB-6BIN AS4C16M16SB-6BIN ALLIANCE MEMORY 3999940.pdf Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SB-6BIN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, FBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+465.19 грн
10+ 401.33 грн
25+ 374.52 грн
50+ 332.39 грн
100+ 296.69 грн
250+ 296.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
AS4C16M16SB-6TIN AS4C16M16SB-6TIN Alliance Memory AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB_xBIN_TI-2510978.pdf DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp - Tray
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.44 грн
10+ 284.52 грн
108+ 223.51 грн
216+ 221.4 грн
540+ 203.13 грн
2592+ 197.5 грн
5076+ 188.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
AS4C16M16SB-6TIN AS4C16M16SB-6TIN ALLIANCE MEMORY AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB-xBIN_TIN(TCN)_25June2021_Rev2.0.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5ns; TSOP54 II; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 166MHz
Access time: 5ns
Case: TSOP54 II
Memory capacity: 256Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 3.3V
товар відсутній
AS4C16M16SB-6TINTR Alliance Memory AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB_xTIN_TC-2090399.pdf DRAM
товар відсутній
AS4C16M16SB-6TINTR AS4C16M16SB-6TINTR ALLIANCE MEMORY Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5ns; TSOP54 II; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 166MHz
Access time: 5ns
Case: TSOP54 II
Memory capacity: 256Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel
Operating voltage: 3.3V
товар відсутній
AS4C16M16SB-7TCN AS4C16M16SB-7TCN Alliance Memory AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB_xBIN_TI-2510978.pdf DRAM SDRAM, 256M, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp - Tray
на замовлення 2516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.76 грн
10+ 191.56 грн
108+ 165.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
AS4C16M16SB-7TCN AS4C16M16SB-7TCN ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Operating temperature: 0...70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Access time: 5.4ns
Clock frequency: 143MHz
Kind of package: in-tray
Memory: 256Mb DRAM
Mounting: SMD
Case: TSOP54 II
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AS4C16M16SB-7TCNTR AS4C16M16SB-7TCNTR Alliance Memory AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB_xBIN_TI-2510978.pdf DRAM SDR, 256M, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp(.63) Tape and Reel
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.44 грн
10+ 286.94 грн
100+ 217.89 грн
250+ 217.18 грн
500+ 209.45 грн
1000+ 202.42 грн
2000+ 191.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
AS4C16M16SB-7TCNTR AS4C16M16SB-7TCNTR ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Operating temperature: 0...70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Access time: 5.4ns
Clock frequency: 143MHz
Kind of package: reel
Memory: 256Mb DRAM
Mounting: SMD
Case: TSOP54 II
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AS4C16M32MD1-5BCN ALLIANCE MEMORY 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx32bit; 1.7÷1.95V; 200MHz; 6.5ns; FBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 200MHz
Access time: 6.5ns
Case: FBGA90
Memory capacity: 512Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...85°C
Kind of interface: parallel
Operating voltage: 1.7...1.95V
товар відсутній
AS4C16M32MD1-5BCNTR ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 200MHz
Access time: 15ns
Case: FBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...85°C
Kind of package: reel
Operating voltage: 1.8V
товар відсутній
AS4C16M32MD1-5BIN ALLIANCE MEMORY 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 200MHz
Access time: 15ns
Case: FBGA90
Memory capacity: 512Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 1.8V
товар відсутній
AS4C16M32MD1-5BINTR ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 200MHz
Access time: 15ns
Case: FBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel
Operating voltage: 1.8V
товар відсутній
AS4C16M32MD1-5BCN AS4C16M32MD1-5BCN Alliance Memory 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1-1288879.pdf DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobile DDR
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.34 грн
10+ 385.55 грн
100+ 301.53 грн
250+ 288.87 грн
480+ 268.49 грн
1120+ 267.79 грн
2560+ 265.68 грн
AS4C16M32MD1-5BCN ALLIANCE MEMORY 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx32bit; 1.7÷1.95V; 200MHz; 6.5ns; FBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 200MHz
Access time: 6.5ns
Case: FBGA90
Memory capacity: 512Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...85°C
Kind of interface: parallel
Operating voltage: 1.7...1.95V
товар відсутній
AS4C16M32MD1-5BCNTR AS4C16M32MD1-5BCNTR Alliance Memory 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1-1288879.pdf DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobile DDR
товар відсутній
AS4C16M32MD1-5BCNTR ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 200MHz
Access time: 15ns
Case: FBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...85°C
Kind of package: reel
Operating voltage: 1.8V
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AS4C16M32MD1-5BIN AS4C16M32MD1-5BIN Alliance Memory 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1-1288879.pdf DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobile DDR
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+501.84 грн
10+ 451.83 грн
100+ 342.99 грн
250+ 342.29 грн
480+ 334.56 грн
1120+ 328.94 грн
2560+ 324.02 грн
AS4C16M32MD1-5BIN ALLIANCE MEMORY 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 200MHz
Access time: 15ns
Case: FBGA90
Memory capacity: 512Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 1.8V
товар відсутній
AS4C16M32MD1-5BINTR Alliance Memory 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1-1288879.pdf DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobile DDR
товар відсутній
AS4C16M32MD1-5BINTR ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 200MHz
Access time: 15ns
Case: FBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel
Operating voltage: 1.8V
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AS4C16M32MS-6BIN AS4C16M32MS-6BIN Alliance Memory 512M%20-%20LOW%20POWER%20SDRAM_AS4C32M16MS-7BCN__AS4C32M16-1265324.pdf DRAM 512M 1.8V 166MHz 16Mx16 LP MSDR
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AS4C16M32MS-7BCN AS4C16M32MS-7BCN Alliance Memory 512M%20-%20LOW%20POWER%20SDRAM_AS4C32M16MS-7BCN__AS4C32M16-1265324.pdf DRAM 512M 1.8V 133MHz 16Mx16 LP MSDR
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AS4C16M32MSA-6BIN ALLIANCE MEMORY 20171206_AllianceMemory_512M_LPSDRAM_AS4C16M32MSA-6BIN(TR)_rev1.0_Dec2017.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx32bit; 1.8V; 166MHz; 5.5ns; FBGA90; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 1.8V
Kind of package: in-tray
Clock frequency: 166MHz
Kind of memory: SDRAM
Kind of interface: parallel
Memory capacity: 512Mb
Memory organisation: 16Mx32bit
Access time: 5.5ns
товар відсутній
AS4C16M32MSA-6BINTR ALLIANCE MEMORY 20171206_AllianceMemory_512M_LPSDRAM_AS4C16M32MSA-6BIN(TR)_rev1.0_Dec2017.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx32bit; 1.8V; 166MHz; 5.5ns; FBGA90; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 1.8V
Kind of package: in-tray
Clock frequency: 166MHz
Kind of memory: SDRAM
Kind of interface: parallel
Memory capacity: 512Mb
Memory organisation: 16Mx32bit
Access time: 5.5ns
товар відсутній
AS4C16M32MSA-6BIN AS4C16M32MSA-6BIN Alliance Memory 20171206_AllianceMemory_512M_LPSDRAM_AS4C16M32MSA--1282129.pdf DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+407.54 грн
10+ 381.51 грн
AS4C16M32MSA-6BIN ALLIANCE MEMORY 20171206_AllianceMemory_512M_LPSDRAM_AS4C16M32MSA-6BIN(TR)_rev1.0_Dec2017.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx32bit; 1.8V; 166MHz; 5.5ns; FBGA90; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 1.8V
Kind of package: in-tray
Clock frequency: 166MHz
Kind of memory: SDRAM
Kind of interface: parallel
Memory capacity: 512Mb
Memory organisation: 16Mx32bit
Access time: 5.5ns
товар відсутній
AS4C16M32MSA-6BINTR AS4C16M32MSA-6BINTR Alliance Memory 20171206_AllianceMemory_512M_LPSDRAM_AS4C16M32MSA--1282129.pdf DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT
товар відсутній
AS4C16M32MSA-6BINTR ALLIANCE MEMORY 20171206_AllianceMemory_512M_LPSDRAM_AS4C16M32MSA-6BIN(TR)_rev1.0_Dec2017.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx32bit; 1.8V; 166MHz; 5.5ns; FBGA90; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 1.8V
Kind of package: in-tray
Clock frequency: 166MHz
Kind of memory: SDRAM
Kind of interface: parallel
Memory capacity: 512Mb
Memory organisation: 16Mx32bit
Access time: 5.5ns
товар відсутній
AS4C16M32MSB-6BIN AS4C16M32MSB-6BIN Alliance Memory AllianceMemory_512M_LPSDRAM_Bdie_AS4C16M32MSB-6BIN(TR)_rev1.0_17Aug2021.pdf DRAM LPSDRAM, 512M, 16M X 32, 1.8V, 90 BALL, BGA 8X13MM, 166 MHZ, INDUSTRIAL TEMP
товар відсутній
AS4C16M32MSB-6BINTR AS4C16M32MSB-6BINTR Alliance Memory DRAM LPSDRAM, 512M, 16M X 32, 1.8V, 90 BALL, BGA 8X13MM, 166 MHZ, INDUSTRIAL TEMP, T&R
товар відсутній
AS4C16M32SC-7TIN AS4C16M32SC-7TIN ALLIANCE MEMORY AS4C16M32SC.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 3÷3.6V; 133MHz; 5.4ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 133MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP86 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 3...3.6V
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1149.58 грн
3+ 1008.89 грн
108+ 970.09 грн
AS4C16M32SC-7TINTR ALLIANCE MEMORY AllianceMemory_512M-SDRAM_Cdie_AS4C16M32SC-AS4C32M16SC-AS4C64M8SC-7TIN_Sept2018_rev1.0.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx32bit; 3÷3.6V; 133MHz; 5.4ns; TSOP86 II; reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 133MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP86 II
Memory capacity: 512Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel
Operating voltage: 3...3.6V
товар відсутній
AS4C16M32SC-7TIN AS4C16M32SC-7TIN Alliance Memory AllianceMemory_512M_SDRAM_Cdie_AS4C16M32SC_AS4C32M-2301376.pdf DRAM SDR, 512MB, 16M x 32, 3.3V, 86PIN TSOP II, 133 MHZ, Industrial Temp - Tray
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1211.96 грн
10+ 1105.73 грн
25+ 936.91 грн
108+ 820.23 грн
216+ 785.79 грн
540+ 780.17 грн
1080+ 730.97 грн
AS4C16M32SC-7TIN AS4C16M32SC-7TIN ALLIANCE MEMORY AS4C16M32SC.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 3÷3.6V; 133MHz; 5.4ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 133MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP86 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 3...3.6V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1379.49 грн
3+ 1257.24 грн
108+ 1164.11 грн
AS4C16M32SC-7TINTR AS4C16M32SC-7TINTR Alliance Memory AllianceMemory_512M_SDRAM_Cdie_AS4C16M32SC_AS4C32M-2301376.pdf DRAM 512Mb 16Mx32 3.3V 143MHz SDRAM I-Temp
товар відсутній
AS4C16M32SC-7TINTR ALLIANCE MEMORY AllianceMemory_512M-SDRAM_Cdie_AS4C16M32SC-AS4C32M16SC-AS4C64M8SC-7TIN_Sept2018_rev1.0.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx32bit; 3÷3.6V; 133MHz; 5.4ns; TSOP86 II; reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 133MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP86 II
Memory capacity: 512Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel
Operating voltage: 3...3.6V
товар відсутній
AS4C1G16D4-062BCN ALLIANCE MEMORY AllianceMemory_16Gb_DDR4_AS4C1G16D4-062BCN_Ver1.0_25Oct2022.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1Gx8bit; 1.2V; 1600MHz; 13.75ns; FBGA96; 0÷95°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DDR4; SDRAM
Memory organisation: 1Gx8bit
Clock frequency: 1600MHz
Access time: 13.75ns
Case: FBGA96
Memory capacity: 16Gb
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...95°C
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 1.2V
товар відсутній
AS4C1G16D4-062BCNTR ALLIANCE MEMORY AllianceMemory_16Gb_DDR4_AS4C1G16D4-062BCN_Ver1.0_25Oct2022-published-No....pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1Gx8bit; 1.2V; 1600MHz; 13.75ns; FBGA96; 0÷95°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DDR4; SDRAM
Memory organisation: 1Gx8bit
Clock frequency: 1600MHz
Access time: 13.75ns
Case: FBGA96
Memory capacity: 16Gb
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...95°C
Kind of package: reel
Operating voltage: 1.2V
товар відсутній
AS4C1G16D4-062BCN AS4C1G16D4-062BCN Alliance Memory AllianceMemory_16Gb_DDR4_AS4C1G16D4-062BCN_Ver1.0_25Oct2022.pdf DRAM DDR4, 16Gb, 1G x 16, 1.2V, 96-Ball FBGA SDRAM, Commercial Temp - Tray
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1667.06 грн
10+ 1530.08 грн
25+ 1284.12 грн
100+ 1127.38 грн
190+ 1111.22 грн
570+ 1081.7 грн
1140+ 1031.09 грн
AS4C16M16SA-6TIN 3999938.pdf
AS4C16M16SA-6TIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6TIN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+413.15 грн
10+ 328.79 грн
25+ 316.96 грн
50+ 283.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
AS4C16M16SA-6TIN 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf
AS4C16M16SA-6TIN
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp - Tray
на замовлення 5133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+386.22 грн
10+ 336.25 грн
108+ 260.76 грн
216+ 256.54 грн
540+ 238.27 грн
10044+ 236.86 грн
AS4C16M16SA-6TIN as4c16m16sa.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
AS4C16M16SA-6TIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 166MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+430.5 грн
4+ 290.13 грн
11+ 264.45 грн
108+ 253.91 грн
AS4C16M16SA-6TINTR 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf
AS4C16M16SA-6TINTR
Виробник: Alliance Memory
DRAM 256Mb, SDR, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp(.63) Tape and Reel, A Die
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+385.4 грн
10+ 344.33 грн
100+ 261.46 грн
250+ 260.76 грн
500+ 250.92 грн
1000+ 238.27 грн
2000+ 229.83 грн
AS4C16M16SA-6TINTR 256Mb-AS4C16M16SA-C&I_V3.0_March%202015.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
AS4C16M16SA-6TINTR DRAM memories - integrated circuits
товар відсутній
AS4C16M16SA-7BCN 3999938.pdf
AS4C16M16SA-7BCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-7BCN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 143 MHz, TFBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+443.9 грн
10+ 323.27 грн
25+ 322.48 грн
50+ 298.71 грн
100+ 275.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
AS4C16M16SA-7BCN 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf
AS4C16M16SA-7BCN
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Commercial Temp - Tray
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+416.56 грн
10+ 374.24 грн
100+ 284.66 грн
250+ 283.95 грн
348+ 266.38 грн
1044+ 254.43 грн
2784+ 246.7 грн
AS4C16M16SA-7BCN AS4C16M16SA-6BIN.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3÷3.6V; 143MHz; 6ns; TFBGA55
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 143MHz
Access time: 6ns
Case: TFBGA55
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of interface: parallel
Operating voltage: 3...3.6V
кількість в упаковці: 348 шт
товар відсутній
AS4C16M16SA-7BCNTR 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf
AS4C16M16SA-7BCNTR
Виробник: Alliance Memory
DRAM 256Mb, SDR, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Commercial Temp(.63) Tape and Reel, A Die
товар відсутній
AS4C16M16SA-7BCNTR Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; FBGA54
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: FBGA54
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: reel
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
AS4C16M16SA-7TCN 3999938.pdf
AS4C16M16SA-7TCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-7TCN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 143 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+367.42 грн
10+ 292.52 грн
25+ 280.69 грн
50+ 250.39 грн
100+ 220.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
AS4C16M16SA-7TCN 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf
AS4C16M16SA-7TCN
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDRAM, 256M, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp - Tray
на замовлення 11386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+328 грн
10+ 286.94 грн
108+ 219.29 грн
216+ 215.78 грн
540+ 203.83 грн
1080+ 201.02 грн
2592+ 199.61 грн
AS4C16M16SA-7TCN as4c16m16sa.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
AS4C16M16SA-7TCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 504 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+382.25 грн
5+ 266.41 грн
12+ 242.49 грн
108+ 232.82 грн
AS4C16M16SA-7TCNTR 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf
AS4C16M16SA-7TCNTR
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDR, 256M, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp(.63) Tape and Reel, A Die
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+328.82 грн
10+ 294.22 грн
100+ 223.51 грн
250+ 222.1 грн
500+ 214.37 грн
1000+ 208.75 грн
2000+ 208.05 грн
AS4C16M16SA-7TCNTR as4c16m16sa.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
AS4C16M16SA-7TCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel
Quantity in set/package: 1000pcs.
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+377.52 грн
4+ 285.57 грн
11+ 260.06 грн
1000+ 249.51 грн
AS4C16M16SB-6TIN AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB-xBIN_TIN(TCN)_25June2021_Rev2.0.pdf
AS4C16M16SB-6TIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5ns; TSOP54 II; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 166MHz
Access time: 5ns
Case: TSOP54 II
Memory capacity: 256Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 3.3V
товар відсутній
AS4C16M16SB-6TINTR
AS4C16M16SB-6TINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5ns; TSOP54 II; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 166MHz
Access time: 5ns
Case: TSOP54 II
Memory capacity: 256Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel
Operating voltage: 3.3V
товар відсутній
AS4C16M16SB-7TCN Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
AS4C16M16SB-7TCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Operating temperature: 0...70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Access time: 5.4ns
Clock frequency: 143MHz
Kind of package: in-tray
Memory: 256Mb DRAM
Mounting: SMD
Case: TSOP54 II
Operating voltage: 3.3V
товар відсутній
AS4C16M16SB-7TCNTR Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
AS4C16M16SB-7TCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Operating temperature: 0...70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Access time: 5.4ns
Clock frequency: 143MHz
Kind of package: reel
Memory: 256Mb DRAM
Mounting: SMD
Case: TSOP54 II
Operating voltage: 3.3V
товар відсутній
AS4C16M16SB-6BIN AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB_xBIN_TI-2510978.pdf
AS4C16M16SB-6BIN
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tray
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+440.34 грн
10+ 396.06 грн
100+ 301.53 грн
250+ 300.12 грн
348+ 288.87 грн
1044+ 282.55 грн
2784+ 277.63 грн
AS4C16M16SB-6BIN 3999940.pdf
AS4C16M16SB-6BIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SB-6BIN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, FBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+465.19 грн
10+ 401.33 грн
25+ 374.52 грн
50+ 332.39 грн
100+ 296.69 грн
250+ 296.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
AS4C16M16SB-6TIN AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB_xBIN_TI-2510978.pdf
AS4C16M16SB-6TIN
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp - Tray
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+321.44 грн
10+ 284.52 грн
108+ 223.51 грн
216+ 221.4 грн
540+ 203.13 грн
2592+ 197.5 грн
5076+ 188.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
AS4C16M16SB-6TIN AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB-xBIN_TIN(TCN)_25June2021_Rev2.0.pdf
AS4C16M16SB-6TIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5ns; TSOP54 II; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 166MHz
Access time: 5ns
Case: TSOP54 II
Memory capacity: 256Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 3.3V
товар відсутній
AS4C16M16SB-6TINTR AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB_xTIN_TC-2090399.pdf
Виробник: Alliance Memory
DRAM
товар відсутній
AS4C16M16SB-6TINTR
AS4C16M16SB-6TINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5ns; TSOP54 II; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 166MHz
Access time: 5ns
Case: TSOP54 II
Memory capacity: 256Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel
Operating voltage: 3.3V
товар відсутній
AS4C16M16SB-7TCN AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB_xBIN_TI-2510978.pdf
AS4C16M16SB-7TCN
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDRAM, 256M, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp - Tray
на замовлення 2516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+219.76 грн
10+ 191.56 грн
108+ 165.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
AS4C16M16SB-7TCN Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
AS4C16M16SB-7TCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Operating temperature: 0...70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Access time: 5.4ns
Clock frequency: 143MHz
Kind of package: in-tray
Memory: 256Mb DRAM
Mounting: SMD
Case: TSOP54 II
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AS4C16M16SB-7TCNTR AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB_xBIN_TI-2510978.pdf
AS4C16M16SB-7TCNTR
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDR, 256M, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp(.63) Tape and Reel
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+321.44 грн
10+ 286.94 грн
100+ 217.89 грн
250+ 217.18 грн
500+ 209.45 грн
1000+ 202.42 грн
2000+ 191.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
AS4C16M16SB-7TCNTR Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
AS4C16M16SB-7TCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Operating temperature: 0...70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Access time: 5.4ns
Clock frequency: 143MHz
Kind of package: reel
Memory: 256Mb DRAM
Mounting: SMD
Case: TSOP54 II
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AS4C16M32MD1-5BCN 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx32bit; 1.7÷1.95V; 200MHz; 6.5ns; FBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 200MHz
Access time: 6.5ns
Case: FBGA90
Memory capacity: 512Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...85°C
Kind of interface: parallel
Operating voltage: 1.7...1.95V
товар відсутній
AS4C16M32MD1-5BCNTR Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 200MHz
Access time: 15ns
Case: FBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...85°C
Kind of package: reel
Operating voltage: 1.8V
товар відсутній
AS4C16M32MD1-5BIN 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 200MHz
Access time: 15ns
Case: FBGA90
Memory capacity: 512Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 1.8V
товар відсутній
AS4C16M32MD1-5BINTR Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 200MHz
Access time: 15ns
Case: FBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel
Operating voltage: 1.8V
товар відсутній
AS4C16M32MD1-5BCN 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1-1288879.pdf
AS4C16M32MD1-5BCN
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobile DDR
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+440.34 грн
10+ 385.55 грн
100+ 301.53 грн
250+ 288.87 грн
480+ 268.49 грн
1120+ 267.79 грн
2560+ 265.68 грн
AS4C16M32MD1-5BCN 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx32bit; 1.7÷1.95V; 200MHz; 6.5ns; FBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 200MHz
Access time: 6.5ns
Case: FBGA90
Memory capacity: 512Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...85°C
Kind of interface: parallel
Operating voltage: 1.7...1.95V
товар відсутній
AS4C16M32MD1-5BCNTR 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1-1288879.pdf
AS4C16M32MD1-5BCNTR
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobile DDR
товар відсутній
AS4C16M32MD1-5BCNTR Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 200MHz
Access time: 15ns
Case: FBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...85°C
Kind of package: reel
Operating voltage: 1.8V
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AS4C16M32MD1-5BIN 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1-1288879.pdf
AS4C16M32MD1-5BIN
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobile DDR
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+501.84 грн
10+ 451.83 грн
100+ 342.99 грн
250+ 342.29 грн
480+ 334.56 грн
1120+ 328.94 грн
2560+ 324.02 грн
AS4C16M32MD1-5BIN 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 200MHz
Access time: 15ns
Case: FBGA90
Memory capacity: 512Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 1.8V
товар відсутній
AS4C16M32MD1-5BINTR 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1-1288879.pdf
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobile DDR
товар відсутній
AS4C16M32MD1-5BINTR Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 200MHz
Access time: 15ns
Case: FBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel
Operating voltage: 1.8V
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AS4C16M32MS-6BIN 512M%20-%20LOW%20POWER%20SDRAM_AS4C32M16MS-7BCN__AS4C32M16-1265324.pdf
AS4C16M32MS-6BIN
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M 1.8V 166MHz 16Mx16 LP MSDR
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AS4C16M32MS-7BCN 512M%20-%20LOW%20POWER%20SDRAM_AS4C32M16MS-7BCN__AS4C32M16-1265324.pdf
AS4C16M32MS-7BCN
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M 1.8V 133MHz 16Mx16 LP MSDR
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AS4C16M32MSA-6BIN 20171206_AllianceMemory_512M_LPSDRAM_AS4C16M32MSA-6BIN(TR)_rev1.0_Dec2017.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx32bit; 1.8V; 166MHz; 5.5ns; FBGA90; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 1.8V
Kind of package: in-tray
Clock frequency: 166MHz
Kind of memory: SDRAM
Kind of interface: parallel
Memory capacity: 512Mb
Memory organisation: 16Mx32bit
Access time: 5.5ns
товар відсутній
AS4C16M32MSA-6BINTR 20171206_AllianceMemory_512M_LPSDRAM_AS4C16M32MSA-6BIN(TR)_rev1.0_Dec2017.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx32bit; 1.8V; 166MHz; 5.5ns; FBGA90; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 1.8V
Kind of package: in-tray
Clock frequency: 166MHz
Kind of memory: SDRAM
Kind of interface: parallel
Memory capacity: 512Mb
Memory organisation: 16Mx32bit
Access time: 5.5ns
товар відсутній
AS4C16M32MSA-6BIN 20171206_AllianceMemory_512M_LPSDRAM_AS4C16M32MSA--1282129.pdf
AS4C16M32MSA-6BIN
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+407.54 грн
10+ 381.51 грн
AS4C16M32MSA-6BIN 20171206_AllianceMemory_512M_LPSDRAM_AS4C16M32MSA-6BIN(TR)_rev1.0_Dec2017.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx32bit; 1.8V; 166MHz; 5.5ns; FBGA90; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 1.8V
Kind of package: in-tray
Clock frequency: 166MHz
Kind of memory: SDRAM
Kind of interface: parallel
Memory capacity: 512Mb
Memory organisation: 16Mx32bit
Access time: 5.5ns
товар відсутній
AS4C16M32MSA-6BINTR 20171206_AllianceMemory_512M_LPSDRAM_AS4C16M32MSA--1282129.pdf
AS4C16M32MSA-6BINTR
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT
товар відсутній
AS4C16M32MSA-6BINTR 20171206_AllianceMemory_512M_LPSDRAM_AS4C16M32MSA-6BIN(TR)_rev1.0_Dec2017.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx32bit; 1.8V; 166MHz; 5.5ns; FBGA90; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 1.8V
Kind of package: in-tray
Clock frequency: 166MHz
Kind of memory: SDRAM
Kind of interface: parallel
Memory capacity: 512Mb
Memory organisation: 16Mx32bit
Access time: 5.5ns
товар відсутній
AS4C16M32MSB-6BIN AllianceMemory_512M_LPSDRAM_Bdie_AS4C16M32MSB-6BIN(TR)_rev1.0_17Aug2021.pdf
AS4C16M32MSB-6BIN
Виробник: Alliance Memory
DRAM LPSDRAM, 512M, 16M X 32, 1.8V, 90 BALL, BGA 8X13MM, 166 MHZ, INDUSTRIAL TEMP
товар відсутній
AS4C16M32MSB-6BINTR
AS4C16M32MSB-6BINTR
Виробник: Alliance Memory
DRAM LPSDRAM, 512M, 16M X 32, 1.8V, 90 BALL, BGA 8X13MM, 166 MHZ, INDUSTRIAL TEMP, T&R
товар відсутній
AS4C16M32SC-7TIN AS4C16M32SC.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
AS4C16M32SC-7TIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 3÷3.6V; 133MHz; 5.4ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 133MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP86 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 3...3.6V
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1149.58 грн
3+ 1008.89 грн
108+ 970.09 грн
AS4C16M32SC-7TINTR AllianceMemory_512M-SDRAM_Cdie_AS4C16M32SC-AS4C32M16SC-AS4C64M8SC-7TIN_Sept2018_rev1.0.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx32bit; 3÷3.6V; 133MHz; 5.4ns; TSOP86 II; reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 133MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP86 II
Memory capacity: 512Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel
Operating voltage: 3...3.6V
товар відсутній
AS4C16M32SC-7TIN AllianceMemory_512M_SDRAM_Cdie_AS4C16M32SC_AS4C32M-2301376.pdf
AS4C16M32SC-7TIN
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDR, 512MB, 16M x 32, 3.3V, 86PIN TSOP II, 133 MHZ, Industrial Temp - Tray
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1211.96 грн
10+ 1105.73 грн
25+ 936.91 грн
108+ 820.23 грн
216+ 785.79 грн
540+ 780.17 грн
1080+ 730.97 грн
AS4C16M32SC-7TIN AS4C16M32SC.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
AS4C16M32SC-7TIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 3÷3.6V; 133MHz; 5.4ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 133MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP86 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 3...3.6V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1379.49 грн
3+ 1257.24 грн
108+ 1164.11 грн
AS4C16M32SC-7TINTR AllianceMemory_512M_SDRAM_Cdie_AS4C16M32SC_AS4C32M-2301376.pdf
AS4C16M32SC-7TINTR
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512Mb 16Mx32 3.3V 143MHz SDRAM I-Temp
товар відсутній
AS4C16M32SC-7TINTR AllianceMemory_512M-SDRAM_Cdie_AS4C16M32SC-AS4C32M16SC-AS4C64M8SC-7TIN_Sept2018_rev1.0.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx32bit; 3÷3.6V; 133MHz; 5.4ns; TSOP86 II; reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 133MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP86 II
Memory capacity: 512Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel
Operating voltage: 3...3.6V
товар відсутній
AS4C1G16D4-062BCN AllianceMemory_16Gb_DDR4_AS4C1G16D4-062BCN_Ver1.0_25Oct2022.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1Gx8bit; 1.2V; 1600MHz; 13.75ns; FBGA96; 0÷95°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DDR4; SDRAM
Memory organisation: 1Gx8bit
Clock frequency: 1600MHz
Access time: 13.75ns
Case: FBGA96
Memory capacity: 16Gb
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...95°C
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 1.2V
товар відсутній
AS4C1G16D4-062BCNTR AllianceMemory_16Gb_DDR4_AS4C1G16D4-062BCN_Ver1.0_25Oct2022-published-No....pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1Gx8bit; 1.2V; 1600MHz; 13.75ns; FBGA96; 0÷95°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DDR4; SDRAM
Memory organisation: 1Gx8bit
Clock frequency: 1600MHz
Access time: 13.75ns
Case: FBGA96
Memory capacity: 16Gb
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...95°C
Kind of package: reel
Operating voltage: 1.2V
товар відсутній
AS4C1G16D4-062BCN AllianceMemory_16Gb_DDR4_AS4C1G16D4-062BCN_Ver1.0_25Oct2022.pdf
AS4C1G16D4-062BCN
Виробник: Alliance Memory
DRAM DDR4, 16Gb, 1G x 16, 1.2V, 96-Ball FBGA SDRAM, Commercial Temp - Tray
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1667.06 грн
10+ 1530.08 грн
25+ 1284.12 грн
100+ 1127.38 грн
190+ 1111.22 грн
570+ 1081.7 грн
1140+ 1031.09 грн
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 18 24 30 36 42 48 54 60 62  Наступна Сторінка >> ]