Продукція > SQ2

Trans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2301ES-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQ2301ES-T1_GE3

товар відсутній

SQ2301ES-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 20V (D-S)

на замовлення 28907 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.73 грн
10+	31.17 грн
100+	18.93 грн
500+	14.75 грн
1000+	11.96 грн
3000+	10.16 грн
9000+	9.5 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2301ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.49 грн
10+	28.44 грн
100+	19.77 грн
500+	14.48 грн
1000+	11.77 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2301ES-T1_BE3

SQ2301ES-T1_BE3

товар відсутній

SQ2301ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2301ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2301ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.49 грн
10+	28.44 грн
100+	19.77 грн
500+	14.48 грн
1000+	11.77 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2301ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	20.86 грн
25+	17.44 грн
60+	13.33 грн
165+	12.6 грн

Мінімальне замовлення: 18

SQ2301ES-T1_GE3

MOSFET P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 23957 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.73 грн
11+	30.02 грн
100+	18.93 грн
500+	14.75 грн
1000+	11.96 грн
3000+	10.16 грн
9000+	9.37 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2301ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.65 грн
6000+	10.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2301ES-T1_GE3

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

11+	25.04 грн
25+	21.73 грн
60+	16 грн
165+	15.12 грн

Мінімальне замовлення: 11

SQ2303ES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2303ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.34 грн
6000+	10.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2303ES-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V (D-S)

на замовлення 93790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.3 грн
12+	26.28 грн
100+	18.07 грн
500+	14.75 грн
1000+	11.96 грн
3000+	10.16 грн
9000+	9.37 грн

Мінімальне замовлення: 11

SQ2303ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9406 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	33.05 грн
10+	27.68 грн
100+	19.25 грн
500+	14.1 грн
1000+	11.46 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2303ES-T1_BE3

Automotive P-Channel 30 V, 175 degree C MOSFET

товар відсутній

SQ2303ES-T1_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 171914 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31 грн
12+	26.35 грн
100+	17.27 грн
500+	13.95 грн
1000+	11.36 грн
3000+	10.16 грн
9000+	9.37 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQ2303ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2303ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm

на замовлення 10270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.13 грн
26+	28.76 грн
100+	19.37 грн
500+	14.53 грн
1000+	9.77 грн
5000+	9.13 грн

Мінімальне замовлення: 22

SQ2303ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.34 грн
6000+	10.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2303ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -10A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.9W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.8nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -10A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: P-MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	43.96 грн
21+	17.02 грн
25+	15.22 грн
68+	11.97 грн
185+	11.28 грн
3000+	11.21 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2303ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2303ES-T1_GE3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	52.76 грн
13+	21.21 грн
25+	18.27 грн
68+	14.36 грн
185+	13.53 грн
3000+	13.45 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ2303ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	33.05 грн
10+	27.68 грн
100+	19.25 грн
500+	14.1 грн
1000+	11.46 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2303P-203NM

Description: PNL ANT SQUINT OMNI N MALE

товар відсутній

SQ2303P12NF

Description: ANT OMNI SQUINT PNL N FEMALE

товар відсутній

SQ2303P36RSM

Description: ANT OMNI SQUINT PNL RP SMA

товар відсутній

SQ2303P36RTN

Description: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC

товар відсутній

SQ2303P72RTN

Description: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC

товар відсутній

SQ2303PNF

Description: ANT OMNI SQUINT PNL N FEMALE

товар відсутній

SQ2308BES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2308CES
Код товару: 170837

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23-3
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 164/3,5
Монтаж: SMD

у наявності 490 шт:

437 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	22 грн
10+	19.8 грн
100+	17.9 грн

SQ2308CES-T1"BE3

Description: VISHAY - SQ2308CES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.3A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 33613 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	49.18 грн
25+	41.73 грн
50+	35.77 грн
100+	26.99 грн
250+	22.35 грн
500+	19.8 грн

Мінімальне замовлення: 16

SQ2308CES-T1-GE3

Trans Mosfet N-Ch 60V 2.3A Automotive

товар відсутній

SQ2308CES-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQ2308CES-T1_GE3

товар відсутній

SQ2308CES-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A TO236

товар відсутній

SQ2308CES-T1_BE3

Automotive AEC-Q101 N-Channel 60 V, 175 degree C MOSFET

на замовлення 33613 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

560+	20.8 грн
581+	20.06 грн
1000+	19.4 грн
2500+	18.15 грн
5000+	16.35 грн
10000+	15.31 грн
25000+	14.98 грн

Мінімальне замовлення: 560

SQ2308CES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 67585 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.11 грн
10+	35.5 грн
100+	24.7 грн
500+	18.1 грн
1000+	14.71 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2308CES-T1_BE3

Automotive N-Channel 60 V, 175 degree C MOSFET

товар відсутній

SQ2308CES-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 507865 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.11 грн
10+	38.96 грн
100+	23.58 грн
500+	18.4 грн
1000+	14.95 грн
3000+	12.69 грн
9000+	11.76 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2308CES-T1_BE3

Automotive AEC-Q101 N-Channel 60 V, 175 degree C MOSFET

товар відсутній

SQ2308CES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 66000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.55 грн
6000+	13.3 грн
9000+	12.35 грн
30000+	11.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2308CES-T1_BE3

Automotive AEC-Q101 N-Channel 60 V, 175 degree C MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2308CES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2308CES-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 2A; Idm: 9A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2122 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	59.02 грн
9+	31.04 грн
25+	26.07 грн
42+	23.58 грн
114+	22.25 грн
500+	22.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ2308CES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm

на замовлення 42674 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	42.77 грн
50+	35.17 грн
100+	27.5 грн
500+	16.12 грн
1500+	14.56 грн

Мінімальне замовлення: 18

SQ2308CES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.25 грн
9000+	14.3 грн
24000+	13.79 грн
45000+	13.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2308CES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.11 грн
10+	35.5 грн
100+	24.7 грн
500+	18.1 грн
1000+	14.71 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2308CES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	39.5 грн
17+	34.33 грн
25+	34.03 грн
100+	24.14 грн
250+	22.14 грн
500+	16.83 грн
1000+	12.74 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ2308CES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

318+	36.64 грн
432+	26.96 грн
436+	26.71 грн
551+	20.39 грн
1000+	14.3 грн

Мінімальне замовлення: 318

SQ2308CES-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 2.3A

на замовлення 1371 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

SQ2308CES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.55 грн
6000+	13.3 грн
9000+	12.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2308CES-T1_GE3

Trans Mosfet N-Ch 60V 2.3A Automotive

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2308CES-T1_GE3

MOSFET 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 Qualified

на замовлення 23351 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	45.41 грн
10+	38.19 грн
100+	23.58 грн
500+	18.4 грн
1000+	14.81 грн
3000+	12.69 грн
9000+	11.76 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2308CES-T1_GE3

на замовлення 42674 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.5 грн
500+	16.12 грн
1500+	14.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ2308CES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.02 грн
9000+	13.14 грн
24000+	12.68 грн
45000+	12.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2308CES-T1_GE3

на замовлення 2122 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.18 грн
14+	24.91 грн
25+	21.73 грн
42+	19.65 грн
114+	18.54 грн
500+	18.41 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2308ES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2308ES-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 60V TO236

товар відсутній

SQ2308FES-T1/GE3

товар відсутній

SQ2308FES-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQ2309CES-T1_GE3

MOSFET Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23 , 370 mohm a. 10V, 500 mohm a. 4.5V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 126-135 дні (днів)

9+	36.04 грн
11+	28.95 грн
100+	17.2 грн
1000+	12.16 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2309CES-T1_GE3

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET EC-Q101 qualified SOT-23-3

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2309ES

на замовлення 3080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ2309ES-T1"BE3

Description: VISHAY - SQ2309ES-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 1.7A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 4278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	49.93 грн
25+	42.47 грн
50+	36.51 грн
100+	28.37 грн
250+	23.63 грн
500+	21.08 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ2309ES-T1-BE3

MOSFET P-CH 60V 1.7A

на замовлення 500 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

SQ2309ES-T1-GE3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ2309ES-T1-GE3 8P..

Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 10V; 1,7A; 336mOhm; 2W; -55°C~175°C; Substitute: SQ2309ES-T1_GE3; SQ2309ES-T1-GE3; SQ2309ES-T1_GE3 VSIG; SQ2309ES-T1_BE3; SQ2309ES-T1_GE3 Vishay TSQ2309es
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	22.69 грн

Мінімальне замовлення: 30

SQ2309ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.35 грн
6000+	13.12 грн
9000+	12.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2309ES-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 327668 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.11 грн
10+	37.35 грн
100+	23.58 грн
500+	18.4 грн
1000+	14.95 грн
3000+	12.69 грн
9000+	11.76 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2309ES-T1_BE3

Automotive P-Channel MOSFET

товар відсутній

SQ2309ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	42.39 грн
10+	35.01 грн
100+	24.36 грн
500+	17.85 грн
1000+	14.51 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2309ES-T1_BE3

SQ2309ES-T1_BE3

товар відсутній

SQ2309ES-T1_BE3

P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 1,7 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 265 @ 25; Qg, нКл = 8,5 @ 10 В; Rds = 335 мОм @ 1,25 A, 10 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOT-23-3

на замовлення 37 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

14+	46.75 грн
15+	43.63 грн
100+	40.53 грн

Мінімальне замовлення: 14

SQ2309ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 87000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2309ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1.7A; Idm: -6.8A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -6.8A
Power dissipation: 2W
Gate charge: 8.5nC
Technology: TrenchFET®
Drain current: -1.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 704mΩ
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQ2309ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 48892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	42.39 грн
10+	35.01 грн
100+	24.36 грн
500+	17.85 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2309ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2309ES-T1_GE3

товар відсутній

SQ2309ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2309ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 27948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.1 грн
500+	21.93 грн
1000+	15.71 грн
3000+	14.31 грн
6000+	13.99 грн
12000+	13.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ2309ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.35 грн
6000+	13.12 грн
9000+	12.18 грн
30000+	11.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2309ES-T1_GE3

MOSFET 60V -1.7A 2W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 221997 шт:

термін постачання 535-544 дні (днів)

7+	49.52 грн
10+	39.57 грн
100+	27.17 грн
500+	21.32 грн
1000+	16.54 грн
3000+	14.08 грн
9000+	13.02 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2309ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2309ES-T1_GE3

на замовлення 27948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	54.02 грн
17+	44.49 грн
100+	30.1 грн
500+	21.93 грн
1000+	15.71 грн
3000+	14.31 грн
6000+	13.99 грн
12000+	13.67 грн

Мінімальне замовлення: 14

SQ2310CES-T1-GE3

Vishay 20V N-CHANNEL (D-S)

товар відсутній

SQ2310CES-T1/GE3

товар відсутній

SQ2310CES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2310CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	27.27 грн
32+	23.47 грн
100+	18.11 грн
500+	14.32 грн
1000+	11.31 грн

Мінімальне замовлення: 28

SQ2310CES-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 30 mohm a. 4.5V

на замовлення 4811 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.17 грн
12+	27.73 грн
100+	18.07 грн
500+	14.15 грн
1000+	10.96 грн
3000+	8.7 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQ2310CES-T1_GE3

N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQ2310CES-T1_GE3

на замовлення 2190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	14.32 грн
1000+	11.31 грн

Мінімальне замовлення: 500

SQ2310CES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ2310ES-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ2310ES-T1_GE3

товар відсутній

SQ2310ES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2310ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 30563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	57.48 грн
10+	47.54 грн
100+	32.89 грн
500+	25.8 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ2310ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.64 грн
6000+	19.74 грн
9000+	18.28 грн
30000+	16.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2310ES-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2310ES-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 20V (D-S)

на замовлення 25279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62.69 грн
10+	53.32 грн
100+	32.15 грн
500+	26.9 грн
1000+	22.85 грн
3000+	19.86 грн
6000+	18.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ2310ES-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2310ES-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.5A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2716 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	61.1 грн
14+	25.19 грн
25+	22.7 грн
36+	22.35 грн
99+	21.1 грн
500+	20.34 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2310ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	43.49 грн
25+	43.06 грн
50+	40.99 грн
100+	29.07 грн
250+	27.64 грн
500+	23.12 грн
1000+	16.2 грн

Мінімальне замовлення: 14

SQ2310ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V

на замовлення 291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	57.48 грн
10+	47.54 грн
100+	32.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ2310ES-T1_GE3

MOSFET 20V 6A 2W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 33571 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.3 грн
10+	51.94 грн
100+	32.81 грн
500+	27.37 грн
1000+	23.32 грн
3000+	20.72 грн
6000+	19.73 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ2310ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2310ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm

на замовлення 9170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	68.93 грн
14+	54.69 грн
100+	36.07 грн
500+	27.54 грн
1000+	19.93 грн
5000+	17.82 грн

Мінімальне замовлення: 11

SQ2310ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2310ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V

товар відсутній

SQ2310ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

252+	46.37 грн
255+	45.78 грн
333+	35.07 грн
336+	33.49 грн
500+	25.93 грн
1000+	17.45 грн

Мінімальне замовлення: 252

SQ2310ES-T1_GE3

на замовлення 2716 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	73.32 грн
9+	31.39 грн
25+	27.23 грн
36+	26.82 грн
99+	25.32 грн
500+	24.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ2310ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2310ES-T1_GE3

на замовлення 9170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.07 грн
500+	27.54 грн
1000+	19.93 грн
5000+	17.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ2315ES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2315ES-T1-GE3

Description: VISHAY - SQ2315ES-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.042 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

SQ2315ES-T1_BE3

Automotive P-Channel 12 V, 175 degree C MOSFET

товар відсутній

SQ2315ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V

на замовлення 8650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	41.68 грн
10+	34.18 грн
100+	23.75 грн
500+	17.4 грн
1000+	14.14 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2315ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.99 грн
6000+	12.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2315ES-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 12V (D-S)

на замовлення 388328 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.77 грн
10+	35.06 грн
100+	21.26 грн
500+	16.54 грн
1000+	13.48 грн
3000+	11.43 грн
9000+	10.89 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2315ES-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23

товар відсутній

SQ2315ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.8 грн
6000+	11.7 грн
9000+	10.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2315ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 8834 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	48.36 грн
19+	40.31 грн
100+	27.2 грн
500+	20.14 грн
1000+	14.37 грн
3000+	13.16 грн
6000+	13.09 грн

Мінімальне замовлення: 16

SQ2315ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	11.14 грн

Мінімальне замовлення: 52

SQ2315ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 0.67W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Application: automotive industry
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 0.67W
Gate charge: 13nC
Drain current: -5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 75mΩ
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1968 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

9+	29.87 грн
25+	25.95 грн
51+	19.05 грн
138+	18.01 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2315ES-T1_GE3

MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 127457 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.85 грн
10+	35.44 грн
100+	23.05 грн
500+	18.4 грн
1000+	14.22 грн
3000+	13.02 грн
6000+	12.95 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2315ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

932+	12.5 грн

Мінімальне замовлення: 932

SQ2315ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19618 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.08 грн
10+	31.28 грн
100+	21.73 грн
500+	15.92 грн
1000+	12.94 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2315ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2315ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2315ES-T1_GE3

на замовлення 1968 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	24.89 грн
25+	20.83 грн
51+	15.87 грн
138+	15.01 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ2318AES-T1"BE3

Description: VISHAY - SQ2318AES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 40V, 8A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 91018 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	44.71 грн
25+	37.26 грн
50+	32.04 грн
100+	24.22 грн
250+	20.44 грн
500+	17.88 грн

Мінімальне замовлення: 17

SQ2318AES-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 284046 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.77 грн
10+	35.14 грн
100+	22.85 грн
500+	18 грн
1000+	13.88 грн
3000+	11.76 грн
9000+	10.83 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2318AES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.24 грн
6000+	12.1 грн
9000+	11.24 грн
30000+	10.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2318AES-T1_BE3

Automotive N-Channel 40 V, 175 degree C MOSFET

товар відсутній

SQ2318AES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 61686 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.52 грн
10+	32.38 грн
100+	22.47 грн
500+	16.47 грн
1000+	13.39 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2318AES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 29236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.8 грн
10+	31.55 грн
100+	21.93 грн
500+	16.07 грн
1000+	13.06 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2318AES-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1179 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	62.59 грн
12+	23.28 грн
25+	19.84 грн
56+	17.44 грн
152+	16.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ2318AES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2318AES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 315813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	50.07 грн
19+	40.31 грн
100+	27.65 грн
500+	20.14 грн
1000+	14.37 грн
3000+	12.9 грн
6000+	12.65 грн
12000+	12.39 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ2318AES-T1_GE3

на замовлення 1179 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	52.16 грн
19+	18.68 грн
25+	16.54 грн
56+	14.53 грн
152+	13.7 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2318AES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.92 грн
6000+	11.81 грн
9000+	10.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2318AES-T1_GE3

MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 163800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.77 грн
10+	35.14 грн
100+	22.85 грн
500+	18 грн
1000+	13.88 грн
3000+	12.49 грн
9000+	11.03 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2318AES-T1_GE3

на замовлення 315813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.65 грн
500+	20.14 грн
1000+	14.37 грн
3000+	12.9 грн
6000+	12.65 грн
12000+	12.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ2318AES-T1_GE3 VSIG

SQ2318AES-T1-GE3, only from VSIG Itzehoe Fab

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2318BES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2318BES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 3
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

SQ2318BES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3

товар відсутній

SQ2318BES-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 67247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.21 грн
10+	31.93 грн
100+	19.26 грн
500+	18.93 грн
3000+	11.43 грн
9000+	9.96 грн
24000+	9.7 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2318BES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2318BES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

SQ2318BES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3

товар відсутній

SQ2318ES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2318ES-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQ2319ADS-T1_BE3

SQ2319ADS-T1_BE3

товар відсутній

SQ2319ADS-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

390+	29.89 грн
409+	28.5 грн
410+	28.4 грн
500+	24.53 грн
1000+	21.82 грн

Мінімальне замовлення: 390

SQ2319ADS-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.83 грн
10+	36.53 грн
100+	25.3 грн
500+	19.83 грн
1000+	16.88 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2319ADS-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 291213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.58 грн
10+	40.64 грн
100+	24.44 грн
500+	20.46 грн
1000+	17.4 грн
3000+	14.68 грн
6000+	14.08 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2319ADS-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2319ADS-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2319ADS-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 66000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.85 грн
15000+	29.1 грн
30000+	27.07 грн
45000+	24.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2319ADS-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQ2319ADS-T1_GE3

MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 61330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.58 грн
10+	40.56 грн
100+	24.44 грн
500+	20.46 грн
1000+	17.4 грн
3000+	15.54 грн
6000+	14.61 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2319ADS-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQ2319ADS-T1_GE3

SQ2319ADS-T1_GE3 P-CH 40V 4,6A 75mOhm SOT-23

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

SQ2319ADS-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

339+	34.44 грн

Мінімальне замовлення: 339

SQ2319ADS-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.42 грн
500+	21.31 грн
1000+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ2319ADS-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.58 грн
6000+	19.39 грн
9000+	18.49 грн
15000+	17.31 грн
24000+	15.87 грн
30000+	15.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2319ADS-T1_GE3

на замовлення 14830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.83 грн
10+	36.53 грн
100+	25.3 грн
500+	19.83 грн
1000+	16.88 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2319ADS-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -2A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2925 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	59.02 грн
9+	29.49 грн
25+	24.99 грн
44+	21.98 грн
120+	20.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ2319ADS-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2319ADS-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQ2319ADS-T1_GE3

на замовлення 2234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	52.38 грн
18+	43.67 грн
100+	27.42 грн
500+	21.31 грн
1000+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ2319ADS-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.85 грн
21000+	29.1 грн
42000+	27.07 грн
63000+	24.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2319ADS-T1_GE3

на замовлення 2925 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.18 грн
15+	23.66 грн
25+	20.83 грн
44+	18.32 грн
120+	17.32 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2319ADS-T1_GE3

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.64 грн
6000+	15.18 грн
9000+	14.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2319ES-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V

товар відсутній

SQ2319ES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2325ES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R

товар відсутній

SQ2325ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 0.84A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2325ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236

товар відсутній

SQ2325ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R

товар відсутній

SQ2325ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.53 грн
500+	19.51 грн
1000+	14.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ2325ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -2A
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1A
On-state resistance: 4.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.34 грн
10+	49.82 грн
25+	44.28 грн
47+	17.37 грн
128+	16.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ2325ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 0.84A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2325ES-T1_GE3
Код товару: 164123

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

SQ2325ES-T1_GE3

MOSFET P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

на замовлення 202310 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	45.41 грн
10+	38.65 грн
100+	23.32 грн
500+	19.53 грн
1000+	16.14 грн
3000+	14.15 грн
6000+	14.02 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2325ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236

товар відсутній

SQ2325ES-T1_GE3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	76.01 грн
10+	62.08 грн
25+	53.14 грн
47+	20.84 грн
128+	19.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ2325ES-T1_GE3

на замовлення 8788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	52.38 грн
18+	43.44 грн
100+	27.42 грн
500+	21.31 грн
1000+	15.2 грн
5000+	13.48 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ2328ES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2328ES-T1-GE3

MOSFET N-Channel 100V Automotive MOSFET

товар відсутній

SQ2337ES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2337ES-T1_BE3

P-Channel MOSFET

товар відсутній

SQ2337ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 274683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.83 грн
10+	36.53 грн
100+	25.3 грн
500+	19.83 грн
1000+	16.88 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2337ES-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 80V (D-S)

на замовлення 233866 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.58 грн
10+	40.64 грн
100+	24.44 грн
500+	20.46 грн
1000+	17.4 грн
3000+	15.48 грн
6000+	14.61 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2337ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 270000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.64 грн
6000+	15.18 грн
9000+	14.05 грн
30000+	13.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2337ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2337ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.241 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.241
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.241
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

SQ2337ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 4199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	54.4 грн
14+	25.88 грн
25+	22.83 грн
41+	19.79 грн
111+	18.71 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2337ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.64 грн
6000+	15.18 грн
9000+	14.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2337ES-T1_GE3

на замовлення 4199 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	65.28 грн
9+	32.25 грн
25+	27.4 грн
41+	23.75 грн
111+	22.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ2337ES-T1_GE3

MOSFET P-Channel 80V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 258830 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQ2337ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 16586 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.83 грн
10+	36.53 грн
100+	25.3 грн
500+	19.83 грн
1000+	16.88 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2337ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2348CES-T1_GE3

MOSFET Automotive P-Channel 12 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SC-70W, 19 mohm a. 4.5V

на замовлення 1545 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.3 грн
13+	25.36 грн
100+	16.47 грн
500+	12.95 грн
1000+	10.03 грн
3000+	7.97 грн

Мінімальне замовлення: 11

SQ2348ES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 3-Pin SOT-23

товар відсутній

SQ2348ES-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQ2348ES-T1_GE3

товар відсутній

SQ2348ES-T1_BE3

SQ2348ES-T1_BE3

товар відсутній

SQ2348ES-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 30V (D-S)

на замовлення 238819 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.11 грн
10+	39.11 грн
100+	25.37 грн
500+	19.93 грн
1000+	15.48 грн
3000+	12.82 грн
9000+	11.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2348ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 30V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.74 грн
6000+	13.47 грн
9000+	12.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2348ES-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQ2348ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 30V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V

на замовлення 12050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.83 грн
10+	35.98 грн
100+	25.03 грн
500+	18.34 грн
1000+	14.9 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2348ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	45.21 грн
15+	40.57 грн
25+	40.47 грн
100+	29.47 грн
250+	27.01 грн
500+	20.91 грн
1000+	16.12 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQ2348ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ2348ES-T1_GE3

MOSFET 30V 8A 3W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 155225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.11 грн
10+	39.11 грн
100+	25.37 грн
500+	19.93 грн
1000+	15.54 грн
3000+	13.82 грн
9000+	12.16 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2348ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2348ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V

товар відсутній

SQ2348ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 3-Pin SOT-23

на замовлення 1404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ2348ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

268+	43.58 грн
354+	32.92 грн
358+	32.58 грн
500+	25.33 грн
1000+	18.08 грн

Мінімальне замовлення: 268

SQ2348ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2348ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 64225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	52.98 грн
18+	43.67 грн
100+	29.51 грн
500+	21.73 грн
1000+	15.39 грн
3000+	13.99 грн
6000+	13.73 грн
12000+	13.41 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ2348ES-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry

товар відсутній

SQ2351CES-T1_GE3

MOSFET Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 115 mohm a. 4.5V

на замовлення 5539 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.34 грн
11+	28.34 грн
100+	16.81 грн
1000+	9.43 грн
3000+	7.31 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2351ES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2351ES-T1_BE3

SQ2351ES-T1_BE3

товар відсутній

SQ2351ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3

товар відсутній

SQ2351ES-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 20V (D-S)

на замовлення 138815 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.77 грн
10+	35.06 грн
100+	21.26 грн
500+	16.54 грн
1000+	13.48 грн
3000+	11.43 грн
9000+	10.63 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2351ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3

товар відсутній

SQ2351ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2933 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	56.33 грн
11+	25.18 грн
25+	21.75 грн
58+	16.69 грн
158+	15.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ2351ES-T1_GE3

MOSFET P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 102618 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.34 грн
11+	29.94 грн
100+	19.6 грн
500+	14.95 грн
1000+	12.62 грн
3000+	11.36 грн
9000+	10.56 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ2351ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2351ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3.2
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

SQ2351ES-T1_GE3

на замовлення 2933 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.95 грн
18+	20.2 грн
25+	18.13 грн
58+	13.91 грн
158+	13.15 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2351ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2351ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V

на замовлення 8829 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.24 грн
10+	33.35 грн
100+	24.88 грн
500+	18.34 грн
1000+	14.17 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2351ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2351ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ2351ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2360EES-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V

товар відсутній

SQ2360EES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive 3-Pin SOT-23

товар відсутній

SQ2360EES-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ2362ES-T1_GE3

товар відсутній

SQ2360EES-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive 3-Pin SOT-23

товар відсутній

SQ2361AEES-T1_BE3

Trans MOSFET

товар відсутній

SQ2361AEES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	42.39 грн
10+	35.01 грн
100+	24.36 грн
500+	17.85 грн
1000+	14.51 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2361AEES-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 46613 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.11 грн
10+	38.96 грн
100+	23.58 грн
500+	18.4 грн
1000+	14.95 грн
3000+	12.75 грн
9000+	12.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2361AEES-T1_BE3

Trans MOSFET

товар відсутній

SQ2361AEES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.35 грн
6000+	13.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2361AEES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2361AEES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.43 грн
6000+	22.32 грн
12000+	20.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2361AEES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 68683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	42.39 грн
10+	35.01 грн
100+	24.36 грн
500+	17.85 грн
1000+	14.51 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2361AEES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -11A
Power dissipation: 0.67W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 315mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQ2361AEES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2361AEES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.2 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2361AEES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 66000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.35 грн
6000+	13.12 грн
9000+	12.18 грн
30000+	11.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2361AEES-T1_GE3

MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 111563 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.11 грн
10+	39.11 грн
100+	25.37 грн
500+	19.93 грн
1000+	15.74 грн
3000+	13.09 грн
9000+	12.02 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2361AEES-T1_GE3

товар відсутній

SQ2361AEES-T1_GE3 9C..

MOSFET P-CH 60V 2.5A ; Drive Voltage 4.5V, 10V; -55?175°C; SQ2361AEES-T1_GE3 TSQ2361aees

на замовлення 85 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

SQ2361CEES-T1-BE3

Vishay 60V P-CHANNEL (D-S)

товар відсутній

SQ2361CEES-T1-GE3

Vishay 60V P-CHANNEL (D-S)

товар відсутній

SQ2361CEES-T1/GE3

товар відсутній

SQ2361CEES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V

товар відсутній

SQ2361CEES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQ2361CEES-T1_GE3

SQ2361CEES-T1_GE3

товар відсутній

SQ2361CES-T1-GE3

Vishay 60V P-CHANNEL (D-S)

товар відсутній

SQ2361CES-T1/GE3

товар відсутній

SQ2361CES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V

товар відсутній

SQ2361EES-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 30 V

товар відсутній

SQ2361EES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2361EES-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2361ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 66542 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.52 грн
10+	33.49 грн
100+	23.19 грн
500+	18.18 грн
1000+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2361ES-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 202495 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.24 грн
10+	37.2 грн
100+	22.45 грн
500+	18.73 грн
1000+	16.01 грн
3000+	14.15 грн
6000+	13.42 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2361ES-T1_BE3

Transistor P-Channel MOSFET

товар відсутній

SQ2361ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.25 грн
6000+	13.91 грн
9000+	12.88 грн
30000+	11.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2361ES-T1_BE3

Transistor P-Channel MOSFET

товар відсутній

SQ2361ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.25 грн
6000+	13.91 грн
9000+	12.88 грн
30000+	11.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2361ES-T1_GE3

MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 195141 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.24 грн
10+	37.13 грн
100+	21.12 грн
500+	18.8 грн
1000+	16.41 грн
3000+	14.22 грн
6000+	13.48 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2361ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2361ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.52 грн
6000+	14.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2361ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.67 грн
6000+	15.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2361ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm

на замовлення 227016 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	41.8 грн
50+	34.05 грн
100+	26.23 грн
500+	17.37 грн
1500+	15.71 грн

Мінімальне замовлення: 18

SQ2361ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -11A
Power dissipation: 0.67W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry

товар відсутній

SQ2361ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	42.27 грн
16+	37.07 грн
25+	35.5 грн
100+	24.25 грн
250+	13.8 грн

Мінімальне замовлення: 14

SQ2361ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 60610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.24 грн
10+	33.49 грн
100+	23.19 грн
500+	18.18 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2361ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

305+	38.23 грн
430+	27.09 грн

Мінімальне замовлення: 305

SQ2361ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -11A
Power dissipation: 0.67W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQ2361ES-T1_GE3

на замовлення 227016 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.23 грн
500+	17.37 грн
1500+	15.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ2362ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3

товар відсутній

SQ2362ES-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 602500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.11 грн
10+	38.96 грн
100+	23.58 грн
500+	18.4 грн
1000+	14.95 грн
3000+	12.69 грн
9000+	11.76 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2362ES-T1_BE3

SQ2362ES-T1_BE3

товар відсутній

SQ2362ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3

на замовлення 1515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.45 грн
10+	43.18 грн
100+	32.25 грн
500+	23.78 грн
1000+	18.38 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ2362ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2362ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 49836 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	54.84 грн
18+	41.43 грн
100+	30.1 грн
500+	25.05 грн
1000+	18.01 грн
3000+	15.33 грн
6000+	14.56 грн
12000+	14.31 грн

Мінімальне замовлення: 14

SQ2362ES-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; Idm: 17A; 1W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 147mΩ

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	51.42 грн
10+	40.76 грн
25+	35.7 грн
55+	14.74 грн
150+	13.91 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2362ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	49.35 грн
14+	42.08 грн
25+	38.3 грн
100+	30.02 грн
250+	27.52 грн
500+	26.14 грн
1000+	25.88 грн

Мінімальне замовлення: 12

SQ2362ES-T1_GE3

MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 17479 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.11 грн
10+	38.58 грн
100+	25.37 грн
500+	19.93 грн
1000+	15.48 грн
3000+	13.15 грн
9000+	13.09 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2362ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2362ES-T1_GE3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	61.7 грн
10+	50.79 грн
25+	42.84 грн
55+	17.69 грн
150+	16.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ2362ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V

товар відсутній

SQ2362ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2362ES-T1_GE3

на замовлення 49836 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.1 грн
500+	25.05 грн
1000+	18.01 грн
3000+	15.33 грн
6000+	14.56 грн
12000+	14.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ2362ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

220+	53.15 грн

Мінімальне замовлення: 220

SQ2362ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V

товар відсутній

SQ2364EES-T1 GE3

Vishay 60V N-CHANNEL (D-S)

товар відсутній

SQ2364EES-T1"GE3

Description: VISHAY - SQ2364EES-T1"GE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9938

товар відсутній

SQ2364EES-T1-BE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C

товар відсутній

SQ2364EES-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.11 грн
10+	35.5 грн
100+	24.7 грн
500+	18.1 грн
1000+	14.71 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2364EES-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2364EES-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 8572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.11 грн
10+	39.11 грн
100+	25.37 грн
500+	19.93 грн
1000+	15.48 грн
3000+	12.82 грн
9000+	11.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2364EES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

443+	26.33 грн
469+	24.84 грн
471+	24.74 грн
540+	20.8 грн
1000+	18.38 грн
2000+	17.56 грн

Мінімальне замовлення: 443

SQ2364EES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 24703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.11 грн
10+	35.5 грн
100+	24.7 грн
500+	18.1 грн
1000+	14.71 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2364EES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 7863 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.97 грн
500+	19.58 грн
1000+	16.29 грн
5000+	14.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ2364EES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

289+	40.31 грн
292+	39.88 грн
415+	28.1 грн
419+	26.82 грн
540+	19.27 грн
1000+	16.01 грн
3000+	12.39 грн

Мінімальне замовлення: 289

SQ2364EES-T1_GE3

MOSFET 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id

на замовлення 155639 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.11 грн
10+	38.73 грн
100+	23.58 грн
500+	18.4 грн
1000+	14.68 грн
3000+	12.69 грн
9000+	11.82 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2364EES-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 245mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 1664 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	59.61 грн
13+	28.09 грн
25+	24.77 грн
38+	21.52 грн
103+	20.34 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2364EES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	44.76 грн
16+	37.87 грн
25+	37.43 грн
50+	35.71 грн
100+	23.29 грн
250+	22.13 грн
500+	17.18 грн
1000+	14.87 грн
3000+	11.5 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQ2364EES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.55 грн
6000+	13.3 грн
9000+	12.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2364EES-T1_GE3

на замовлення 7863 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	51.79 грн
18+	42.33 грн
100+	26.97 грн
500+	19.58 грн
1000+	16.29 грн
5000+	14.43 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ2364EES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2364EES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2364EES-T1_GE3

на замовлення 1664 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	71.54 грн
8+	35.01 грн
25+	29.73 грн
38+	25.82 грн
103+	24.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ2389ES-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive

товар відсутній

SQ2389ES-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 545251 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.58 грн
10+	40.64 грн
100+	24.44 грн
500+	20.46 грн
1000+	17.4 грн
3000+	15.48 грн
6000+	14.61 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2389ES-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive

товар відсутній

SQ2389ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 99248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.55 грн
10+	37.09 грн
100+	25.65 грн
500+	20.11 грн
1000+	17.12 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2389ES-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 96000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.87 грн
6000+	15.39 грн
9000+	14.25 грн
30000+	13.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2389ES-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ2389ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.1 A, 0.094 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 4.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.3
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.094
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товар відсутній

SQ2389ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2389ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.64 грн
6000+	15.18 грн
9000+	14.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2389ES-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 169mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16A
Mounting: SMD
Case: SOT23

на замовлення 2958 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.34 грн
10+	49.96 грн
25+	44.01 грн
45+	18.13 грн
123+	17.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ2389ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2389ES-T1_GE3

на замовлення 2958 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	76.01 грн
10+	62.26 грн
25+	52.81 грн
45+	21.75 грн
123+	20.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ2389ES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2389ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20059 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.83 грн
10+	36.53 грн
100+	25.3 грн
500+	19.83 грн
1000+	16.88 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2389ES-T1_GE3

MOSFET -40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 21099 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.58 грн
10+	40.64 грн
100+	24.44 грн
500+	20.46 грн
1000+	16.94 грн
3000+	15.28 грн
6000+	14.48 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2389ES-T1_GE3 (A9xxx)

MOSFET P-CHAN 40V SO23 SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 TSQ2389es
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 4 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	53.22 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQ2398ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.25 грн
6000+	13.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2398ES-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 100V (D-S)

на замовлення 20110 шт:

термін постачання 735-744 дні (днів)

7+	45.88 грн
10+	39.72 грн
100+	26.57 грн
500+	20.99 грн
1000+	18.07 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ2398ES-T1_BE3

SQ2398ES-T1_BE3

товар відсутній

SQ2398ES-T1_BE3

SQ2398ES-T1_BE3

товар відсутній

SQ2398ES-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8545 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.52 грн
10+	33.49 грн
100+	23.19 грн
500+	18.18 грн
1000+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2398ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 221646 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.52 грн
10+	33.49 грн
100+	23.19 грн
500+	18.18 грн
1000+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ2398ES-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

SQ2398ES-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 219000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.25 грн
6000+	13.91 грн
9000+	12.88 грн
30000+	11.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ2398ES-T1_GE3

SQ2398ES-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SQ2398ES-T1_GE3

MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 113466 шт:

термін постачання 584-593 дні (днів)

7+	45.88 грн
10+	39.72 грн
100+	26.57 грн
500+	20.99 грн
1000+	17.47 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ24-12S500

на замовлення 52 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ24-5D500

на замовлення 51 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ2403PFTNF

Antennas Omni,Squint,fixed,TN CF

товар відсутній

SQ2403PFTNF

Description: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC FEM

товар відсутній

SQ2403PG12NF

Antennas Omni,Squint,12in,NF

товар відсутній

SQ2403PG12NF

Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

товар відсутній

SQ2403PG12RTN

Antennas Omni,Squint,12in,RTN M

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQ2403PG12RTN

Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

товар відсутній

SQ2403PG36RSM

Antennas Omni,Squint,36in,RSM AM

товар відсутній

SQ2403PG36RSM

Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

товар відсутній

SQ2403PG36RTN

Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

товар відсутній

SQ2403PG36RTN

Antennas Omni,Squint,36in,RTN M

товар відсутній

SQ2403PG48RBN

Antennas Omni,Squint,48in,RBN CM

товар відсутній

SQ2403PG48RBN

TE Connectivity Laird

Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
Packaging: Bulk
Features: Cable - 1.2m
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Gain: 3.5dBi
Termination: RP-BNC
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Panel
Height (Max): 0.866" (22.00mm)
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Frequency (Center/Band): 2.4GHz

товар відсутній

SQ2403PTNF

Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE APPL

товар відсутній

SQ2403PTRASMF

Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE APPL

товар відсутній

SQ2403PV117SMM

Antennas Omni,Squint,117in,SM AM

товар відсутній

SQ2403PV117SMM

Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE SMA MALE

товар відсутній

SQ2403PV12NF

Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE N FEMALE

товар відсутній

SQ2403PV12NF

Antennas Omni,Squint,12in,NF

товар відсутній

SQ2403PV144RSM

Antennas Omni,Squint,144in,RS MAM

товар відсутній

SQ2403PV144RSM

Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

товар відсутній

SQ2403PV36RTN

Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE RP TNC

товар відсутній

SQ2403PV36RTN

Antennas Omni,Squint,36in,RTN M

товар відсутній

SQ2403PV96RSM

Antennas Omni,Squint,96in,RSM AM

товар відсутній

SQ2403PV96RSM

Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE RP SMA

товар відсутній

SQ2403PVNF

Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE N FEMALE

товар відсутній

SQ2405DD12NF

Description: ANT BIDIR CEILING MNT N FEMALE

товар відсутній

SQ2405DD36RTN

Description: ANT BIDIR CEILING MNT RP TNC

товар відсутній

SQ2405DDN36RSM

Description: ANT BIDIR CEILING MNT RP SMA

товар відсутній

SQ24493P12SMM

Description: ANT SQUINT OMNI DUAL WIDE BAND

товар відсутній

SQ2449PV36RSM

Laird

Antennas Omni,Squint,36in,RSM AM

товар відсутній

SQ2449PV36RSM

Description: ANT SQUINT OMNI 36" CBL N FEMALE

товар відсутній

SQ2449PV72RSM

Laird

Antennas Omni,Squint,72in,RSM AM

товар відсутній

SQ2449PV72RSM

Description: ANT SQUINT OMNI 72" CBL N FEMALE

товар відсутній

SQ24D25

Teledyne Relays

Solid State Relays - Industrial Mount 25A 230VAC Zero Cross

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	21393.76 грн
10+	19681.04 грн
25+	16502.16 грн
36+	16258.38 грн
108+	15736.27 грн

SQ24D25-12

Teledyne Relays

Solid State Relays - Industrial Mount 25A 230VAC Zero Cross

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	17468.55 грн
10+	16144.19 грн
25+	13101.83 грн
50+	12633.52 грн
100+	12447.53 грн
250+	12048.98 грн
500+	12048.31 грн

SQ24S03150-NS00

Description: DC/DC CONVERT 15V 3.3A

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24S03150-PS00

Power-One

Description: DC/DC CONVERTER 15V 50W

товар відсутній

SQ24S03150-PS00

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 15V 3.3A 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24S03150-PS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 15V 3.3A 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24S03150-PS00G

Description: DC DC CONVERTER 15V

товар відсутній

SQ24S04120-NS00

Description: DC DC CONVERTER 12V 48W

товар відсутній

SQ24S04120-NS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24S04120-NS00G

Isolated DC/DC Converters - SMD DC/DC Converter

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	6793.37 грн
5+	6642.85 грн
10+	5730.55 грн
25+	5369.86 грн
48+	5369.2 грн
96+	4716.9 грн
288+	4715.57 грн

SQ24S04120-NS00G

Description: DC DC CONVERTER 12V 48W

товар відсутній

SQ24S04120-PS00

Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter

товар відсутній

SQ24S04120-PS00

Description: DC DC CONVERTER 12V 48W

товар відсутній

SQ24S04120-PS00

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24S04120-PS00G

Description: DC DC CONVERTER 12V 48W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Package / Case: 8-SMD Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV

товар відсутній

SQ24S04120-PS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24S04120-PS00G

Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQ24S04120-PS0S

Description: DC DC CONVERTER 12V 48W

товар відсутній

SQ24S05080-NS00

Description: DC DC CONVERTER 8V 42W

товар відсутній

SQ24S05080-PS00

Description: DC DC CONVERTER 8V 42W

товар відсутній

SQ24S05080-PS00G

Isolated DC/DC Converters POWER SUPPLY;SQ24S05080-PS00G;DC-DC;36-75V;8.0V;5A;SM;

товар відсутній

SQ24S05080-PS00G

Description: DC DC CONVERTER 8V 42W

товар відсутній

SQ24S08060-NS00

Description: DC DC CONVERTER 6V 48W

товар відсутній

SQ24S08060-NS00G

Description: DC DC CONVERTER 6V 48W

товар відсутній

SQ24S08060-NS00G

Isolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY;SQ24S08060-NS00G;DC-DC;18-36V;6.0V;8A;SM;

на замовлення 132 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	6866.21 грн
5+	6713.89 грн
10+	5791.67 грн
25+	5417.69 грн

SQ24S08060-NS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 6V 8A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24S08060-PS00

Description: DC DC CONVERTER 6V 48W

товар відсутній

SQ24S08060-PS00G

Isolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY;SQ24S08060-PS00G;DC-DC;NA;24V;6V;8.3A;SMT;;

товар відсутній

SQ24S08060-PS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 6V 8A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24S08060-PS00G

Description: DC DC CONVERTER 6V 48W

товар відсутній

SQ24S10050-NS00

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

товар відсутній

SQ24S10050-NS00G

Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter

товар відсутній

SQ24S10050-NS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24S10050-NS0S

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

товар відсутній

SQ24S10050-PS00

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

товар відсутній

SQ24S10050-PS00G

Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24S10050-PS00G

Isolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY;SSQE48T07050-PABNG;DC-DC;18-36V;5.0V;10A;SM;

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	6736.02 грн
5+	6131.04 грн
10+	5173.24 грн
25+	5112.13 грн
48+	4732.17 грн
96+	4730.18 грн
288+	4727.52 грн

SQ24S10050-PS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24S10050-PS0S

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

товар відсутній

SQ24S10050-PSN0

Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24S15033-NS00

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

товар відсутній

SQ24S15033-NS00G

Isolated DC/DC Converters - SMD DC/DC Converter

товар відсутній

SQ24S15033-NS00G

Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24S15033-NS0S

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

товар відсутній

SQ24S15033-PS00

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24S15033-PS00G

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6718.43 грн

SQ24S15033-PS00G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24S15033-PS00G

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W

товар відсутній

SQ24S15033-PS00G

Isolated DC/DC Converters POWER SUPPLY;SQ24S15033-PS00G;DC-DC;;18-36V;3.3V;15A;SM;;

товар відсутній

SQ24S15033-PS0S

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W

товар відсутній

SQ24S15033-PS0S

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4745.29 грн
15+	4387.15 грн
25+	4210.29 грн
60+	3793.77 грн

SQ24S15033-PSN0

Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T03150-NBA0

Description: DC/DC CONVERT 15V 3.3A

товар відсутній

SQ24T03150-NBA0G

Description: DC/DC CONVERTER 15V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T03150-NEC0

Description: DC/DC CONVERT 15V 3.3A

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T03150-NEC0G

Description: DC DC CONVERTER 15V 50W

товар відсутній

SQ24T03150-NEC0G

Isolated DC/DC Converters

товар відсутній

SQ24T03150-NEC0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 15V 3.3A 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24T03150-PAA0

Description: DC/DC CONVERT 15V 3.3A

товар відсутній

SQ24T03150-PCA0

Description: DC/DC CONVERTER 15V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T04120-NAC0

Description: DC/DC CONVERT 12V 4A

товар відсутній

SQ24T04120-NAC0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24T04120-NBA0

Description: DC/DC CONVERT 12V 4A

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T04120-NBA0G

Description: DC DC CONVERTER 12V 48W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Package / Case: 8-DIP Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV

товар відсутній

SQ24T04120-NBA0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24T04120-NBA0G

Isolated DC/DC Converters - Through Hole DC/DC Converter

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	6996.41 грн
5+	6841.46 грн
10+	5901.27 грн
25+	5520.65 грн
48+	5360.56 грн
288+	4964 грн

SQ24T04120-NBB0

Description: DC/DC CONVERT 12V 4A

товар відсутній

SQ24T04120-NBC0

Description: DC/DC CONVERT 12V 4A

товар відсутній

SQ24T04120-NBC0G

Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T04120-NDB0

Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T04120-NEAS

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24T04120-PAC0G

Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T04120-PAC0G

Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter

товар відсутній

SQ24T04120-PAC0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24T04120-PBA0G

Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T04120-PCB0

Description: DC/DC CONVERT 12V 4A

товар відсутній

SQ24T04120-PDA0

Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T04120-PDB0

Description: DC/DC CONVERT 12V 4A

товар відсутній

SQ24T05080-NBA0

Description: DC DC CONVERTER 8V 42W

товар відсутній

SQ24T05080-NBA0G

Description: DC DC CONVERTER 8V 42W

товар відсутній

SQ24T05080-PBA0G

Isolated DC/DC Converters /DC DC POWER SUPPLY/

товар відсутній

SQ24T05080-PBA0G

Description: DC DC CONVERTER 8V 42W

товар відсутній

SQ24T08060-NAA0G

Description: DC/DC CONVERTER 6V 48W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T08060-NBA0G

Description: DC/DC CONVERT 6V 8A

товар відсутній

SQ24T08060-NEC0G

Description: DC/DC CONVERTER 6V 48W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T08060-PAA0G

Isolated DC/DC Converters POWER SUPPLY

товар відсутній

SQ24T08060-PBA0

Description: DC/DC CONVERT 6V 8A

товар відсутній

SQ24T08060-PCA0

Description: DC/DC CONVERTER 6V 48W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T10050-NAA0

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

товар відсутній

SQ24T10050-NAB0

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

товар відсутній

SQ24T10050-NAC0G

Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T10050-NBA0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24T10050-NBA0G

Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter

на замовлення 144 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	6484.93 грн
48+	6391.52 грн
96+	4837.13 грн
288+	4454.51 грн

SQ24T10050-NBA0G

Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T10050-NBB0

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

товар відсутній

SQ24T10050-NBC0

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

товар відсутній

SQ24T10050-NBC0G

Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T10050-NEC0

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3989.15 грн

SQ24T10050-NEC0

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T10050-NEC0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24T10050-NEC0G

Isolated DC/DC Converters

товар відсутній

SQ24T10050-PAA0

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

товар відсутній

SQ24T10050-PAALG

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W

товар відсутній

SQ24T10050-PBA0

Description: DC/DC CONVERT 5V 10A

товар відсутній

SQ24T10050-PDB0

Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T10050-PDB0G

Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T15012-NBB0G

Isolated DC/DC Converters POWER SUPPLY

товар відсутній

SQ24T15012-NBB0G

Description: DC DC CONVERTER 1.2V 18W

товар відсутній

SQ24T15015-PCA0

Description: DC/DC CONVERTER 1.5V 23W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T15015-PCA0G

Isolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DCTHT

товар відсутній

SQ24T15020-NEC0

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	7426.3 грн
4+	7129.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQ24T15020-NEC0

Description: DC/DC CONVERT 2V 15A

товар відсутній

SQ24T15020-NEC0

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	5237.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ24T15020-NEC0

Description: DC DC CONVERTER 2V 30W

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T15020-NEC0

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4863.56 грн

SQ24T15020-NEC0G

Description: DC DC CONVERTER 2V 30W

товар відсутній

SQ24T15020-NEC0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 30W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24T15020-NEC0G

Isolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC CONVERTER

товар відсутній

SQ24T15025-NBB0G

Isolated DC/DC Converters POWER SUPPLY

товар відсутній

SQ24T15025-NBB0G

Description: DC DC CONVERTER 2.5V 38W

товар відсутній

SQ24T15033-NAB0

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T15033-NAB0

POWERO

07+NOP

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ24T15033-NAB0G

Isolated DC/DC Converters

товар відсутній

SQ24T15033-NBA0

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

товар відсутній

SQ24T15033-NBA0G

Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T15033-NBB0

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T15033-NBB0

Isolated DC/DC Converters 18-36Vin 15A 3.3Vout

товар відсутній

SQ24T15033-NBB0G

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 18-36Vin 15A 3.3Vout 50W

на замовлення 144 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	6109.85 грн
5+	5996.59 грн
10+	5192.51 грн
25+	5013.16 грн
48+	4923.48 грн
96+	4665.75 грн

SQ24T15033-NBB0G

Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T15033-NBC0

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

товар відсутній

SQ24T15033-NEC0

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T15033-NEC0

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2983.78 грн

SQ24T15033-NEC0G

Isolated DC/DC Converters

товар відсутній

SQ24T15033-NEC0G

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick

товар відсутній

SQ24T15033-PBB0

Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A

товар відсутній

SQ24T15033-PCA0

Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ24T15033-PDC0