Продукція > VISHAY > SQ2315ES-T1_GE3
SQ2315ES-T1_GE3

SQ2315ES-T1_GE3 Vishay

sq2315es.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2315ES-T1_GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ2315ES-T1_GE3 за ціною від 10.97 грн до 40.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ2315ES-T1_GE3 SQ2315ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2315es.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.61 грн
6000+ 12.44 грн
9000+ 11.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ2315ES-T1_GE3 SQ2315ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2315es.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 0.67W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.67W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+30.97 грн
50+ 21.14 грн
51+ 16.82 грн
138+ 15.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
SQ2315ES-T1_GE3 SQ2315ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3006545.pdf Description: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 12925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+32.75 грн
50+ 27.48 грн
100+ 22.14 грн
500+ 13.23 грн
1500+ 11.94 грн
Мінімальне замовлення: 24
SQ2315ES-T1_GE3 SQ2315ES-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq2315es.pdf MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 101931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+35.19 грн
11+ 29.05 грн
100+ 19.39 грн
500+ 16.01 грн
1000+ 12.7 грн
3000+ 11.46 грн
9000+ 10.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
SQ2315ES-T1_GE3 SQ2315ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2315es.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 0.67W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.67W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.16 грн
50+ 26.34 грн
51+ 20.19 грн
138+ 19.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQ2315ES-T1_GE3 SQ2315ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2315es.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.31 грн
10+ 33.28 грн
100+ 23.1 грн
500+ 16.93 грн
1000+ 13.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQ2315ES-T1-GE3 SQ2315ES-T1-GE3 Виробник : Vishay sq2315es.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній