на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2337ES-T1_GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQ2337ES-T1_GE3 за ціною від 14.6 грн до 67.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ2337ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQ2337ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 17997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQ2337ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.3A; 1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -1.3A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Gate charge: 11.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 4199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQ2337ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.3A; 1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -1.3A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Gate charge: 11.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4199 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQ2337ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET P-Channel 80V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 258830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |