Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ2364EES-T1_GE3
SQ2364EES-T1_GE3

SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq2364ees.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.91 грн
6000+ 13.63 грн
9000+ 12.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQ2364EES-T1_GE3 за ціною від 11.82 грн до 74.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
443+27.06 грн
469+ 25.53 грн
471+ 25.42 грн
540+ 21.38 грн
1000+ 18.89 грн
2000+ 18.04 грн
Мінімальне замовлення: 443
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2611857.pdf Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+28.03 грн
500+ 20.34 грн
1000+ 16.92 грн
5000+ 15 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
289+41.43 грн
292+ 40.99 грн
415+ 28.88 грн
419+ 27.56 грн
540+ 19.81 грн
1000+ 16.46 грн
3000+ 12.73 грн
Мінімальне замовлення: 289
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2364ees.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.05 грн
10+ 36.38 грн
100+ 25.3 грн
500+ 18.54 грн
1000+ 15.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+46.01 грн
16+ 38.93 грн
25+ 38.47 грн
50+ 36.7 грн
100+ 23.94 грн
250+ 22.75 грн
500+ 17.66 грн
1000+ 15.28 грн
3000+ 11.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq2364ees.pdf MOSFET 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id
на замовлення 36706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.91 грн
10+ 40.24 грн
100+ 24.5 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 15.53 грн
3000+ 13.18 грн
9000+ 12.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2611857.pdf Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+53.81 грн
18+ 43.97 грн
100+ 28.03 грн
500+ 20.34 грн
1000+ 16.92 грн
5000+ 15 грн
Мінімальне замовлення: 15
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2364ees.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 245mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+61.93 грн
13+ 29.19 грн
25+ 25.74 грн
38+ 22.29 грн
104+ 21.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2364ees.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 245mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.32 грн
8+ 36.37 грн
25+ 30.88 грн
38+ 26.74 грн
104+ 25.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQ2364EES-T1 GE3 Виробник : Vishay Vishay 60V N-CHANNEL (D-S)
товар відсутній