SQ2301ES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.1 грн |
| 6000+ | 11.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2301ES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQ2301ES-T1_GE3 за ціною від 9.73 грн до 38.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ2301ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Gate charge: 8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2301ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Gate charge: 8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2301ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2301ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 23957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SQ2301ES-T1-GE3 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
SQ2301ES-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT SQ2301ES-T1_GE3 |
товар відсутній |