Продукція > VISHAY > SQ2319ADS-T1_GE3
SQ2319ADS-T1_GE3

SQ2319ADS-T1_GE3 Vishay

sq2319ads.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2319ADS-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQ2319ADS-T1_GE3 за ціною від 14.8 грн до 61.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2319ads.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.52 грн
6000+ 15.99 грн
9000+ 14.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2319ads.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+20.13 грн
6000+ 19.93 грн
9000+ 19 грн
15000+ 17.79 грн
24000+ 16.31 грн
30000+ 15.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2614538.pdf Description: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+28.49 грн
500+ 22.14 грн
1000+ 15.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2319ads.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+32.73 грн
21000+ 29.91 грн
42000+ 27.82 грн
63000+ 25.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2319ads.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
339+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 339
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2319ads.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.29 грн
10+ 38.53 грн
100+ 26.65 грн
500+ 20.89 грн
1000+ 17.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq2319ads.pdf MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 61330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.44 грн
10+ 42.14 грн
100+ 25.4 грн
500+ 21.26 грн
1000+ 18.08 грн
3000+ 16.15 грн
6000+ 15.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : VISHAY SQ2319ADS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -2A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+51.1 грн
15+ 24.59 грн
25+ 21.64 грн
44+ 19.03 грн
120+ 17.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2614538.pdf Description: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+54.43 грн
18+ 45.37 грн
100+ 28.49 грн
500+ 22.14 грн
1000+ 15.46 грн
Мінімальне замовлення: 15
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : VISHAY SQ2319ADS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -2A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.32 грн
9+ 30.64 грн
25+ 25.97 грн
44+ 22.84 грн
120+ 21.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq2319ads.pdf SQ2319ADS-T1_GE3 P-CH 40V 4,6A 75mOhm SOT-23
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2319ads.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2319ads.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2319ads.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній