Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (326308) > Сторінка 735 з 5439

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 543 730 731 732 733 734 735 736 737 738 739 740 1086 1629 2172 2715 3258 3801 4344 4887 5430 5439  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFPF50PBF IRFPF50PBF VISHAY IRFPF50PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.2A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 446 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+283.72 грн
5+ 241.84 грн
6+ 191.52 грн
15+ 180.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFPG30PBF IRFPG30PBF VISHAY IRFPG30.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.14 грн
5+ 155 грн
10+ 108.8 грн
27+ 102.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFPG40PBF IRFPG40PBF VISHAY IRFPG40.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 747 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+242.08 грн
5+ 209.16 грн
7+ 162.75 грн
18+ 153.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFPG50PBF IRFPG50PBF VISHAY IRFPG50PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 501 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+420.26 грн
7+ 160.6 грн
19+ 146.56 грн
IRFR010PBF VISHAY sihfr010.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 8.2A; Idm: 33A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFR014PBF IRFR014PBF VISHAY IRFR014PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.88 грн
7+ 41.46 грн
25+ 36.06 грн
34+ 31.01 грн
93+ 29.32 грн
300+ 28.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR014TRLPBF VISHAY sihfr014.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR014TRPBF IRFR014TRPBF VISHAY IRFR014PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR014TRRPBF VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR020TRPBF VISHAY sihfr020.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR024PBF IRFR024PBF VISHAY IRFR024PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 956 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+74.56 грн
7+ 42.39 грн
25+ 38.12 грн
31+ 34.8 грн
75+ 32.73 грн
300+ 31.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR024TRLPBF VISHAY sihfr024.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR024TRPBF VISHAY sihfr024.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR110PBF IRFR110PBF VISHAY IRFR110PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 0.54Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.66 грн
42+ 26.52 грн
114+ 24.1 грн
1050+ 23.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR110TRLPBF VISHAY sihfr110.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 17A
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 0.54Ω
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR110TRLPBF-BE3 VISHAY sihfr110.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 17A
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 0.54Ω
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR110TRPBF IRFR110TRPBF VISHAY IRFR110PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 17A
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 0.54Ω
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR120PBF IRFR120PBF VISHAY IRFR120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Gate charge: 16nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.85 грн
10+ 40.24 грн
41+ 25.99 грн
112+ 24.55 грн
3000+ 23.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR120TRLPBF VISHAY sihfr120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.7A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 7.7A
Gate charge: 16nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF VISHAY IRFR120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Gate charge: 16nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR120TRRPBF VISHAY sihfr120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.7A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 7.7A
Gate charge: 16nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR1N60APBF IRFR1N60APBF VISHAY IRFR1N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; 36W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.78 грн
6+ 48.74 грн
25+ 41 грн
27+ 39.56 грн
74+ 37.76 грн
300+ 35.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR1N60ATRLPBF VISHAY sihfr1n6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR1N60ATRPBF VISHAY sihfr1n6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR210PBF IRFR210PBF VISHAY IRFR210.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.7A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 552 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.5 грн
7+ 42.58 грн
25+ 36.87 грн
37+ 28.41 грн
102+ 26.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR210TRLPBF VISHAY sihfr210.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR210TRPBF VISHAY sihfr210.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFR214PBF VISHAY sihfr214.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.2A; Idm: 8.8A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFR214TRPBF VISHAY sihfr214.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.2A; Idm: 8.8A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR220PBF IRFR220PBF VISHAY irfr220_IRFU220.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 19A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.66 грн
10+ 56.02 грн
39+ 27.15 грн
107+ 25.72 грн
1050+ 24.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR220TRPBF IRFR220TRPBF VISHAY irfr220_IRFU220.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR220TRRPBF VISHAY sihfr220.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR224PBF IRFR224PBF VISHAY IRFR224.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.4A; 42W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of package: tube
Power dissipation: 42W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1723 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+75.53 грн
7+ 45.75 грн
25+ 38.66 грн
32+ 32.37 грн
88+ 30.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR224TRLPBF VISHAY sihfr224.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3.8A; Idm: 15A; 42W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3.8A
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR224TRPBF VISHAY sihfr224.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3.8A; Idm: 15A; 42W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3.8A
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR310PBF IRFR310PBF VISHAY irfr310.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.91 грн
7+ 43.51 грн
25+ 36.69 грн
33+ 32.19 грн
90+ 30.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR310TRLPBF VISHAY sihfr310.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR310TRPBF VISHAY sihfr310.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR320PBF IRFR320PBF VISHAY IRFR320PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+75.53 грн
8+ 39.96 грн
25+ 33.81 грн
34+ 30.84 грн
94+ 29.13 грн
300+ 28.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR320TRLPBF IRFR320TRLPBF VISHAY IRFU320PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.34 грн
7+ 46.5 грн
25+ 40.82 грн
32+ 34.17 грн
86+ 31.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF VISHAY IRFU320PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR320TRRPBF VISHAY sihfr320.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.1A; Idm: 12A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR420APBF IRFR420APBF VISHAY IRFR420A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.39 грн
10+ 62.93 грн
28+ 38.3 грн
76+ 36.24 грн
10050+ 35.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR420ATRLPBF VISHAY sihfr420.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR420ATRPBF IRFR420ATRPBF VISHAY IRFR420A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR420PBF IRFR420PBF VISHAY IRFR420PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.28 грн
7+ 44.26 грн
25+ 39.74 грн
31+ 34.18 грн
75+ 33.99 грн
85+ 32.31 грн
300+ 31.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR420PBF-BE3 VISHAY sihfr420.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFR420TRLPBF VISHAY sihfr420.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR420TRPBF IRFR420TRPBF VISHAY IRFR420PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+99.74 грн
10+ 54.06 грн
37+ 28.59 грн
102+ 26.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR420TRRPBF VISHAY sihfr420.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR430APBF IRFR430APBF VISHAY IRFR430A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; 110W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of package: tube
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 1.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.51 грн
25+ 41.37 грн
34+ 31.47 грн
92+ 29.67 грн
1500+ 29.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFR430ATRLPBF VISHAY sihfr430.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
On-state resistance: 1.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR430ATRPBF VISHAY sihfr430.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
On-state resistance: 1.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR9010PBF VISHAY sihfr901.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -5.3A; Idm: -21A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFR9010TRLPBF VISHAY sihfr901.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -5.3A; Idm: -21A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR9010TRPBF VISHAY sihfr901.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -5.3A; Idm: -21A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR9014PBF IRFR9014PBF VISHAY IRFx9014.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
On-state resistance: 0.5Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.66 грн
10+ 52.1 грн
36+ 29.4 грн
98+ 27.78 грн
1050+ 27.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR9014TRLPBF VISHAY sihfr901.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.1A; Idm: -20A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR9014TRPBF IRFR9014TRPBF VISHAY IRFx9014.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR9014TRPBF-BE3 VISHAY sihfr901.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.1A; Idm: -20A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFPF50PBF IRFPF50PBF.pdf
IRFPF50PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.2A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 446 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+283.72 грн
5+ 241.84 грн
6+ 191.52 грн
15+ 180.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFPG30PBF IRFPG30.pdf
IRFPG30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.14 грн
5+ 155 грн
10+ 108.8 грн
27+ 102.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFPG40PBF IRFPG40.pdf
IRFPG40PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 747 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+242.08 грн
5+ 209.16 грн
7+ 162.75 грн
18+ 153.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFPG50PBF IRFPG50PBF.pdf
IRFPG50PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 501 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+420.26 грн
7+ 160.6 грн
19+ 146.56 грн
IRFR010PBF sihfr010.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 8.2A; Idm: 33A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFR014PBF IRFR014PBF.pdf
IRFR014PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.88 грн
7+ 41.46 грн
25+ 36.06 грн
34+ 31.01 грн
93+ 29.32 грн
300+ 28.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR014TRLPBF sihfr014.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR014TRPBF IRFR014PBF.pdf
IRFR014TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR014TRRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR020TRPBF sihfr020.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR024PBF IRFR024PBF.pdf
IRFR024PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 956 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.56 грн
7+ 42.39 грн
25+ 38.12 грн
31+ 34.8 грн
75+ 32.73 грн
300+ 31.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR024TRLPBF sihfr024.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR024TRPBF sihfr024.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR110PBF IRFR110PBF.pdf
IRFR110PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 0.54Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.66 грн
42+ 26.52 грн
114+ 24.1 грн
1050+ 23.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR110TRLPBF sihfr110.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 17A
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 0.54Ω
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR110TRLPBF-BE3 sihfr110.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 17A
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 0.54Ω
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR110TRPBF IRFR110PBF.pdf
IRFR110TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 17A
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 0.54Ω
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR120PBF IRFR120.pdf
IRFR120PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Gate charge: 16nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.85 грн
10+ 40.24 грн
41+ 25.99 грн
112+ 24.55 грн
3000+ 23.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR120TRLPBF sihfr120.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.7A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 7.7A
Gate charge: 16nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR120TRPBF IRFR120.pdf
IRFR120TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Gate charge: 16nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR120TRRPBF sihfr120.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.7A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 7.7A
Gate charge: 16nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR1N60APBF IRFR1N60A.pdf
IRFR1N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; 36W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.78 грн
6+ 48.74 грн
25+ 41 грн
27+ 39.56 грн
74+ 37.76 грн
300+ 35.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR1N60ATRLPBF sihfr1n6.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR1N60ATRPBF sihfr1n6.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR210PBF IRFR210.pdf
IRFR210PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.7A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 552 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.5 грн
7+ 42.58 грн
25+ 36.87 грн
37+ 28.41 грн
102+ 26.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR210TRLPBF sihfr210.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR210TRPBF sihfr210.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFR214PBF sihfr214.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.2A; Idm: 8.8A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFR214TRPBF sihfr214.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.2A; Idm: 8.8A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR220PBF description irfr220_IRFU220.pdf
IRFR220PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 19A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.66 грн
10+ 56.02 грн
39+ 27.15 грн
107+ 25.72 грн
1050+ 24.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR220TRPBF irfr220_IRFU220.pdf
IRFR220TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR220TRRPBF sihfr220.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR224PBF IRFR224.pdf
IRFR224PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.4A; 42W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of package: tube
Power dissipation: 42W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1723 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.53 грн
7+ 45.75 грн
25+ 38.66 грн
32+ 32.37 грн
88+ 30.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR224TRLPBF sihfr224.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3.8A; Idm: 15A; 42W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3.8A
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR224TRPBF sihfr224.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3.8A; Idm: 15A; 42W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3.8A
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR310PBF irfr310.pdf
IRFR310PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.91 грн
7+ 43.51 грн
25+ 36.69 грн
33+ 32.19 грн
90+ 30.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR310TRLPBF sihfr310.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR310TRPBF description sihfr310.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR320PBF IRFR320PBF.pdf
IRFR320PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.53 грн
8+ 39.96 грн
25+ 33.81 грн
34+ 30.84 грн
94+ 29.13 грн
300+ 28.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR320TRLPBF IRFU320PBF.pdf
IRFR320TRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.34 грн
7+ 46.5 грн
25+ 40.82 грн
32+ 34.17 грн
86+ 31.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR320TRPBF IRFU320PBF.pdf
IRFR320TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR320TRRPBF sihfr320.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.1A; Idm: 12A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR420APBF IRFR420A.pdf
IRFR420APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.39 грн
10+ 62.93 грн
28+ 38.3 грн
76+ 36.24 грн
10050+ 35.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR420ATRLPBF sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR420ATRPBF IRFR420A.pdf
IRFR420ATRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR420PBF IRFR420PBF.pdf
IRFR420PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.28 грн
7+ 44.26 грн
25+ 39.74 грн
31+ 34.18 грн
75+ 33.99 грн
85+ 32.31 грн
300+ 31.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR420PBF-BE3 sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFR420TRLPBF sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR420TRPBF IRFR420PBF.pdf
IRFR420TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.74 грн
10+ 54.06 грн
37+ 28.59 грн
102+ 26.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR420TRRPBF sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR430APBF IRFR430A.pdf
IRFR430APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; 110W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of package: tube
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 1.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.51 грн
25+ 41.37 грн
34+ 31.47 грн
92+ 29.67 грн
1500+ 29.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFR430ATRLPBF sihfr430.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
On-state resistance: 1.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR430ATRPBF sihfr430.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
On-state resistance: 1.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR9010PBF sihfr901.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -5.3A; Idm: -21A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFR9010TRLPBF sihfr901.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -5.3A; Idm: -21A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR9010TRPBF sihfr901.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -5.3A; Idm: -21A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR9014PBF IRFx9014.pdf
IRFR9014PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
On-state resistance: 0.5Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.66 грн
10+ 52.1 грн
36+ 29.4 грн
98+ 27.78 грн
1050+ 27.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR9014TRLPBF sihfr901.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.1A; Idm: -20A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR9014TRPBF IRFx9014.pdf
IRFR9014TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR9014TRPBF-BE3 sihfr901.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.1A; Idm: -20A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 543 730 731 732 733 734 735 736 737 738 739 740 1086 1629 2172 2715 3258 3801 4344 4887 5430 5439  [ Наступна Сторінка >> ]