![IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2021/2/10/11/33/44/660564/vsh_/manual/sihd5n80ae.jpg)
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 15.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR320TRPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR320TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRFR320TRPBF за ціною від 29.7 грн до 89.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFR320TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR320TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR320TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR320TRPBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR320TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR320TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR320TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR320TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR320TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR320TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 18954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR320TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 9412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR320TRPBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
IRFR320TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR320TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR320TRPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
IRFR320TRPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |