![IRFR110PBF IRFR110PBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2021/2/10/11/33/44/660564/vsh_/manual/sihd5n80ae.jpg)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 14.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR110PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRFR110PBF за ціною від 19.09 грн до 76.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFR110PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 4145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR110PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR110PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; DPAK,TO252 Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A On-state resistance: 0.54Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 |
на замовлення 483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR110PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
на замовлення 3447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR110PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; DPAK,TO252 Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A On-state resistance: 0.54Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 483 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRFR110PBF | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 48 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRFR110PBF Код товару: 85835 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR110PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IRFR110PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |