Продукція > VISHAY > IRFR110PBF
IRFR110PBF

IRFR110PBF Vishay


sihfr110.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 23
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR110PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції IRFR110PBF за ціною від 19.09 грн до 76.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR110PBF IRFR110PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr110.pdf MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.76 грн
10+ 49.77 грн
100+ 33.73 грн
500+ 32.41 грн
1000+ 30.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR110PBF IRFR110PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+64.03 грн
16+ 51.36 грн
100+ 37.37 грн
500+ 33.76 грн
1000+ 29.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRFR110PBF IRFR110PBF Виробник : VISHAY IRFR110PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; DPAK,TO252
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 0.54Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+64.11 грн
14+ 27.73 грн
25+ 24.9 грн
42+ 20.19 грн
114+ 19.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFR110PBF IRFR110PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 3447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.09 грн
75+ 51.68 грн
150+ 40.95 грн
525+ 32.58 грн
1050+ 26.54 грн
2025+ 24.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR110PBF IRFR110PBF Виробник : VISHAY IRFR110PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; DPAK,TO252
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 0.54Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 483 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.93 грн
8+ 34.56 грн
25+ 29.88 грн
42+ 24.23 грн
114+ 22.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR110PBF Виробник : IR sihfr110.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET D-PAK Udss=100V; Id=4,3A; Rds=0,54 Ohm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.55 грн
10+ 52.21 грн
100+ 47.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR110PBF IRFR110PBF
Код товару: 85835
sihfr110.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFR110PBF IRFR110PBF Виробник : Vishay sihfr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
IRFR110PBF IRFR110PBF Виробник : Vishay sihfr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній