IRFR320PBF Vishay
![irfr320-datasheet.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 128330
Виробник: VishayКорпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 400 V
Idd,A: 3,1 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/20
Монтаж: THT
у наявності 871 шт:
825 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 25 грн |
10+ | 22.5 грн |
100+ | 19.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFR320PBF за ціною від 16.72 грн до 115.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFR320PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 9431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR320PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 9408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR320PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 9431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR320PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR320PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1269 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR320PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR320PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 12885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR320PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm |
на замовлення 2899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR320PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 2813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR320PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
З цим товаром купують
MB10S Код товару: 123173 |
![]() |
Виробник: SEP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: SOIC-4
Uзвор, V: 800 V
I пр, A: 1 A
Тип діодного моста: Однофазний
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, А: 35 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: SOIC-4
Uзвор, V: 800 V
I пр, A: 1 A
Тип діодного моста: Однофазний
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, А: 35 A
у наявності: 1424 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 3 грн |
10+ | 2.1 грн |
100+ | 1.5 грн |
1000+ | 1.1 грн |
2,2uF 16V X7R 10% 0805 3k/reel (CL21B225KOFNNNG-Samsung) Код товару: 66993 |
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 2,2 µF
Номін.напруга: 16 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 2,2 µF
Номін.напруга: 16 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 5837 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 1.6 грн |
100+ | 1.4 грн |
1000+ | 1 грн |
ES2D Код товару: 34233 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
у наявності: 904 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 9 грн |
10+ | 8 грн |
100+ | 7.2 грн |
100nF 200V X7R 10% 1206 (CC1206KKX7RABB104 -Yageo) Код товару: 130578 |
![]() |
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 200 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 200 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 2043 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 2 грн |
100+ | 1.7 грн |
1000+ | 1.5 грн |