Продукція > VISHAY > IRFR120PBF
IRFR120PBF

IRFR120PBF Vishay


sihfr120.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+16.4 грн
Мінімальне замовлення: 21
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR120PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm.

Інші пропозиції IRFR120PBF за ціною від 20.53 грн до 66.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
324+38.04 грн
391+ 31.44 грн
Мінімальне замовлення: 324
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+42.01 грн
18+ 35.18 грн
100+ 29.08 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : VISHAY IRFR120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+55.27 грн
12+ 32.53 грн
41+ 21.74 грн
112+ 20.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr120.pdf MOSFETs N-Chan 100V 7.7 Amp
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.16 грн
10+ 45.66 грн
100+ 34.27 грн
500+ 30.21 грн
1000+ 29.85 грн
3000+ 29.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 6044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.78 грн
75+ 45.2 грн
150+ 35.82 грн
525+ 28.49 грн
1050+ 28.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+64.21 грн
17+ 49.25 грн
100+ 40.88 грн
500+ 37.21 грн
1000+ 33.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : VISHAY IRFR120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.32 грн
10+ 40.54 грн
41+ 26.08 грн
112+ 24.63 грн
3000+ 23.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)