Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (99816) > Сторінка 462 з 1664
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PTZTE258.2A | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
RF073M2STR | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
RN739DT146 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
STZ6.8TT146 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TDZTR10 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TDZTR11 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TDZTR12 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TDZTR13 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TDZTR15 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TDZTR16 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TDZTR18 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TDZTR20 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TDZTR22 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TDZTR24 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TDZTR30 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TDZTR5.6 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TDZTR6.2 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TDZTR6.8 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TDZTR7.5 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TDZTR8.2 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
UDZTE-175.6B | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
UDZTE-178.2B | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
UMH8NTR | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
VDZT2R11B | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
VDZT2R12B | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
VDZT2R18B | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
VDZT2R20B | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
VDZT2R33B | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
VDZT2R3.6B | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
BU94603KV-E2 | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 64-LQFP Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 64-VQFP (10x10) |
товар відсутній |
|||||||||||||||
2SCR513RTL | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
KTR03EZPF5004 | Rohm Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
KTR03EZPF5104 | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±1% Features: Automotive AEC-Q200, High Voltage Package / Case: 0603 (1608 Metric) Temperature Coefficient: ±100ppm/°C Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Composition: Thick Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Ratings: AEC-Q200 Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0603 Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm) Part Status: Active Resistance: 5.1 mOhms |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KTR03EZPF7504 | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±1% Features: Automotive AEC-Q200, High Voltage Package / Case: 0603 (1608 Metric) Temperature Coefficient: ±100ppm/°C Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Composition: Thick Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Ratings: AEC-Q200 Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0603 Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm) Part Status: Active Resistance: 7.5 MOhms |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BM6103FV-CE2 | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 20-LSSOP (0.240", 6.10mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5 ~ 5.5V Input Type: Inverting, Non-Inverting Supplier Device Package: 20-SSOP-B Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
ESR10EZPF6200 | Rohm Semiconductor |
![]() Power (Watts): 0.4W, 2/5W Tolerance: ±1% Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±100ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thick Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Ratings: AEC-Q200 Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 620 Ohms |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
SCS240KE2C | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC) Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
SCS240AE2C | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC) Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
SCS208AJTLL | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SCS206AJTLL | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 600 V |
на замовлення 2862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SCS210AJTLL | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V |
на замовлення 1259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SCS205KGC | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
SCS220KGC | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
SCS230KE2C | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
SCS220KE2C | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
SCS208AJTLL | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
SCS206AJTLL | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 600 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SCS210AJTLL | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SCS210KGC | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200 Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SCS215KGC | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 790pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
SCS210KE2C | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
DTC115TMT2L | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
BU94603KV-E2 | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 64-LQFP Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 64-VQFP (10x10) |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
BU94603_EVK | Rohm Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
BD9G101G-TR | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Output Type: Adjustable Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Function: Step-Down Current - Output: 500mA Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Output Configuration: Positive Frequency - Switching: 1.5MHz Voltage - Input (Max): 42V Topology: Buck Supplier Device Package: 6-SSOP Synchronous Rectifier: No Voltage - Output (Max): 29.4V Voltage - Input (Min): 6V Voltage - Output (Min/Fixed): 1V Part Status: Active |
на замовлення 40731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BU26507GUL-E2 | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 25-UFBGA Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 6 Frequency: 1.2MHz Type: Linear Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Current - Output / Channel: 42.5mA Internal Switch(s): Yes Supplier Device Package: VCSP50L2 Dimming: I2C Voltage - Supply (Min): 2.7V Voltage - Supply (Max): 5.5V |
на замовлення 2730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BU1852GXW-E2 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
BU1852GXW-E2 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
BU1851GUW-E2 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
BU1851GUW-E2 | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
PTZTE258.2A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 8.2V 1W PMDS
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RF073M2STR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU
Description: DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU
на замовлення 7083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN739DT146 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE PIN HF SW 50V 50MA SOT-346
Description: DIODE PIN HF SW 50V 50MA SOT-346
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)STZ6.8TT146 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD3
Description: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD3
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TDZTR10 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 10V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 10V 500MW TUMD2
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TDZTR11 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 11V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 11V 500MW TUMD2
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TDZTR12 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 12V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 12V 500MW TUMD2
на замовлення 5981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TDZTR13 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 13V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 13V 500MW TUMD2
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TDZTR15 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 15V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 15V 500MW TUMD2
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TDZTR16 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 16V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 16V 500MW TUMD2
на замовлення 8541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TDZTR18 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 18V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 18V 500MW TUMD2
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TDZTR20 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 20V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 20V 500MW TUMD2
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TDZTR22 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 22V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 22V 500MW TUMD2
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TDZTR24 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 24V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 24V 500MW TUMD2
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TDZTR30 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 30V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 30V 500MW TUMD2
на замовлення 5175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TDZTR5.6 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW TUMD2
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TDZTR6.2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TDZTR6.8 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TDZTR7.5 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TDZTR8.2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)UDZTE-175.6B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)UDZTE-178.2B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW UMD2
Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW UMD2
на замовлення 5675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)UMH8NTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)VDZT2R11B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 11V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 11V 100MW VMD2
на замовлення 12401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)VDZT2R12B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 12V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 12V 100MW VMD2
на замовлення 15141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)VDZT2R18B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 18V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 18V 100MW VMD2
на замовлення 7046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)VDZT2R20B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 20V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 20V 100MW VMD2
на замовлення 7851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)VDZT2R33B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 33V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 33V 100MW VMD2
на замовлення 15769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)VDZT2R3.6B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.6V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 3.6V 100MW VMD2
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BU94603KV-E2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC DECODER USB HOST AUDIO 64VQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 64-VQFP (10x10)
Description: IC DECODER USB HOST AUDIO 64VQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 64-VQFP (10x10)
товар відсутній
2SCR513RTL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
KTR03EZPF5104 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 5.1M OHM 1% 1/10W 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, High Voltage
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 5.1 mOhms
Description: RES SMD 5.1M OHM 1% 1/10W 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, High Voltage
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 5.1 mOhms
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 1.67 грн |
10000+ | 1.45 грн |
25000+ | 1.28 грн |
KTR03EZPF7504 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 7.5M OHM 1% 1/10W 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, High Voltage
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 7.5 MOhms
Description: RES SMD 7.5M OHM 1% 1/10W 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, High Voltage
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 7.5 MOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 1.38 грн |
BM6103FV-CE2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 20SSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-LSSOP (0.240", 6.10mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5 ~ 5.5V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Supplier Device Package: 20-SSOP-B
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 20SSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-LSSOP (0.240", 6.10mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5 ~ 5.5V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Supplier Device Package: 20-SSOP-B
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
ESR10EZPF6200 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 620 OHM 1% 0.4W 0805
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 620 Ohms
Description: RES SMD 620 OHM 1% 0.4W 0805
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 620 Ohms
товар відсутній
SCS240KE2C |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC SCHOT 1200V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
Description: DIODE ARR SIC SCHOT 1200V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
товар відсутній
SCS240AE2C |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
товар відсутній
SCS208AJTLL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 319.33 грн |
10+ | 257.71 грн |
SCS206AJTLL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 600 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 600 V
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 255.46 грн |
10+ | 206.17 грн |
100+ | 166.82 грн |
500+ | 139.16 грн |
SCS210AJTLL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 372.55 грн |
10+ | 301.57 грн |
100+ | 243.94 грн |
500+ | 203.49 грн |
SCS205KGC |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній
SCS220KGC |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220AC
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220AC
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)SCS230KE2C |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)SCS220KE2C |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)SCS208AJTLL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V
товар відсутній
SCS206AJTLL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 600 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 600 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 131.85 грн |
2000+ | 119.55 грн |
SCS210AJTLL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 192.8 грн |
SCS210KGC |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 605.96 грн |
50+ | 465.66 грн |
100+ | 416.63 грн |
SCS215KGC |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 790pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 790pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
товар відсутній
SCS210KE2C |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
товар відсутній
DTC115TMT2L |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товар відсутній
BU94603KV-E2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC DECODER USB HOST AUDIO 64VQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 64-VQFP (10x10)
Description: IC DECODER USB HOST AUDIO 64VQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 64-VQFP (10x10)
товар відсутній
BD9G101G-TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG BUCK ADJ 500MA 6SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 42V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 6-SSOP
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 29.4V
Voltage - Input (Min): 6V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Part Status: Active
Description: IC REG BUCK ADJ 500MA 6SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 42V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 6-SSOP
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 29.4V
Voltage - Input (Min): 6V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Part Status: Active
на замовлення 40731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 112.52 грн |
10+ | 97.3 грн |
25+ | 91.84 грн |
100+ | 73.44 грн |
250+ | 68.95 грн |
500+ | 60.33 грн |
1000+ | 49.17 грн |
BU26507GUL-E2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC LED DRV LIN I2C VCSP50L2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 25-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 6
Frequency: 1.2MHz
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output / Channel: 42.5mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: VCSP50L2
Dimming: I2C
Voltage - Supply (Min): 2.7V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Description: IC LED DRV LIN I2C VCSP50L2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 25-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 6
Frequency: 1.2MHz
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output / Channel: 42.5mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: VCSP50L2
Dimming: I2C
Voltage - Supply (Min): 2.7V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 114.81 грн |
10+ | 99.5 грн |
25+ | 93.86 грн |
100+ | 75.05 грн |
250+ | 70.47 грн |
500+ | 61.66 грн |
1000+ | 50.26 грн |
BU1852GXW-E2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC GPIO KEY ENCODER 8X12 35-UBGA
Description: IC GPIO KEY ENCODER 8X12 35-UBGA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BU1852GXW-E2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC GPIO KEY ENCODER 8X12 35-UBGA
Description: IC GPIO KEY ENCODER 8X12 35-UBGA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BU1851GUW-E2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC GPIO KEY ENCODER 8X8 35-VBGA
Description: IC GPIO KEY ENCODER 8X8 35-VBGA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BU1851GUW-E2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC GPIO KEY ENCODER 8X8 35-VBGA
Description: IC GPIO KEY ENCODER 8X8 35-VBGA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)