Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (99816) > Сторінка 462 з 1664

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 166 332 457 458 459 460 461 462 463 464 465 466 467 498 664 830 996 1162 1328 1494 1660 1664  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
PTZTE258.2A PTZTE258.2A Rohm Semiconductor ptz_series_spec.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 1W PMDS
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RF073M2STR RF073M2STR Rohm Semiconductor RF073M2S.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU
на замовлення 7083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN739DT146 RN739DT146 Rohm Semiconductor rn739F_D.pdf Description: DIODE PIN HF SW 50V 50MA SOT-346
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STZ6.8TT146 STZ6.8TT146 Rohm Semiconductor stz6.8t.pdf Description: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD3
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR10 TDZTR10 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 10V 500MW TUMD2
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR11 TDZTR11 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 11V 500MW TUMD2
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR12 TDZTR12 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 12V 500MW TUMD2
на замовлення 5981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR13 TDZTR13 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 13V 500MW TUMD2
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR15 TDZTR15 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 15V 500MW TUMD2
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR16 TDZTR16 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 16V 500MW TUMD2
на замовлення 8541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR18 TDZTR18 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 18V 500MW TUMD2
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR20 TDZTR20 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 20V 500MW TUMD2
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR22 TDZTR22 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 22V 500MW TUMD2
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR24 TDZTR24 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 24V 500MW TUMD2
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR30 TDZTR30 Rohm Semiconductor tdz30.pdf Description: DIODE ZENER 30V 500MW TUMD2
на замовлення 5175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR5.6 TDZTR5.6 Rohm Semiconductor tdz5.6.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW TUMD2
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR6.2 TDZTR6.2 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR6.8 TDZTR6.8 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR7.5 TDZTR7.5 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR8.2 TDZTR8.2 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UDZTE-175.6B UDZTE-175.6B Rohm Semiconductor udz_series_datasheet.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UDZTE-178.2B UDZTE-178.2B Rohm Semiconductor udz_series_datasheet.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW UMD2
на замовлення 5675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UMH8NTR UMH8NTR Rohm Semiconductor imh8at108-e.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
VDZT2R11B VDZT2R11B Rohm Semiconductor vdz11b.pdf Description: DIODE ZENER 11V 100MW VMD2
на замовлення 12401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
VDZT2R12B VDZT2R12B Rohm Semiconductor vdz12b.pdf Description: DIODE ZENER 12V 100MW VMD2
на замовлення 15141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
VDZT2R18B VDZT2R18B Rohm Semiconductor vdz18b.pdf Description: DIODE ZENER 18V 100MW VMD2
на замовлення 7046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
VDZT2R20B VDZT2R20B Rohm Semiconductor vdz20b.pdf Description: DIODE ZENER 20V 100MW VMD2
на замовлення 7851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
VDZT2R33B VDZT2R33B Rohm Semiconductor vdz33b.pdf Description: DIODE ZENER 33V 100MW VMD2
на замовлення 15769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
VDZT2R3.6B VDZT2R3.6B Rohm Semiconductor vdz3.6b.pdf Description: DIODE ZENER 3.6V 100MW VMD2
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU94603KV-E2 BU94603KV-E2 Rohm Semiconductor BU94601KV_BU94603KV_BU94604BKV_Rev001_7-12-12.pdf Description: IC DECODER USB HOST AUDIO 64VQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 64-VQFP (10x10)
товар відсутній
2SCR513RTL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR513R&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
KTR03EZPF5004 KTR03EZPF5004 Rohm Semiconductor ktr.pdf Description: RES SMD 5M OHM 1% 1/10W 0603
товар відсутній
KTR03EZPF5104 KTR03EZPF5104 Rohm Semiconductor ktr-e.pdf Description: RES SMD 5.1M OHM 1% 1/10W 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, High Voltage
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 5.1 mOhms
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.67 грн
10000+ 1.45 грн
25000+ 1.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
KTR03EZPF7504 KTR03EZPF7504 Rohm Semiconductor ktr-e.pdf Description: RES SMD 7.5M OHM 1% 1/10W 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, High Voltage
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 7.5 MOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BM6103FV-CE2 BM6103FV-CE2 Rohm Semiconductor SiC_SCS_AECQ.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 20SSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-LSSOP (0.240", 6.10mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5 ~ 5.5V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Supplier Device Package: 20-SSOP-B
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
ESR10EZPF6200 ESR10EZPF6200 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES SMD 620 OHM 1% 0.4W 0805
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 620 Ohms
товар відсутній
SCS240KE2C SCS240KE2C Rohm Semiconductor TO-247SBD_taping-e.pdf Description: DIODE ARR SIC SCHOT 1200V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
товар відсутній
SCS240AE2C SCS240AE2C Rohm Semiconductor TO-247SBD_taping-e.pdf Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
товар відсутній
SCS208AJTLL SCS208AJTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS208AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.33 грн
10+ 257.71 грн
SCS206AJTLL SCS206AJTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS206AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 600 V
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.46 грн
10+ 206.17 грн
100+ 166.82 грн
500+ 139.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
SCS210AJTLL SCS210AJTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS210AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.55 грн
10+ 301.57 грн
100+ 243.94 грн
500+ 203.49 грн
SCS205KGC SCS205KGC Rohm Semiconductor scs205kg-e.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній
SCS220KGC SCS220KGC Rohm Semiconductor scs220kg-e.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220AC
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SCS230KE2C SCS230KE2C Rohm Semiconductor TO-247SBD_taping-e.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SCS220KE2C SCS220KE2C Rohm Semiconductor ?p_p_state=maximized&p_p_mode=view&saveLastPath=false&_com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet_mvcRenderCommandName=%2Flogin%2Flogin&p_p_id=com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet&p_p_lifecycle=0&_com_liferay_login_web_portlet_L Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SCS208AJTLL SCS208AJTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS208AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V
товар відсутній
SCS206AJTLL SCS206AJTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS206AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 600 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+131.85 грн
2000+ 119.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SCS210AJTLL SCS210AJTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS210AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+192.8 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SCS210KGC SCS210KGC Rohm Semiconductor scs210kg-e.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+605.96 грн
50+ 465.66 грн
100+ 416.63 грн
SCS215KGC SCS215KGC Rohm Semiconductor scs215kg-e.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 790pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
товар відсутній
SCS210KE2C SCS210KE2C Rohm Semiconductor scs210ke2-e.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
товар відсутній
DTC115TMT2L DTC115TMT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC115TM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товар відсутній
BU94603KV-E2 BU94603KV-E2 Rohm Semiconductor BU94601KV_BU94603KV_BU94604BKV_Rev001_7-12-12.pdf Description: IC DECODER USB HOST AUDIO 64VQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 64-VQFP (10x10)
товар відсутній
BU94603_EVK BU94603_EVK Rohm Semiconductor BU94603_EVB_Manual.pdf Description: BOARD EVAL FOR BU94603
товар відсутній
BD9G101G-TR BD9G101G-TR Rohm Semiconductor datasheet?p=BD9G101G&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC REG BUCK ADJ 500MA 6SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 42V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 6-SSOP
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 29.4V
Voltage - Input (Min): 6V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Part Status: Active
на замовлення 40731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.52 грн
10+ 97.3 грн
25+ 91.84 грн
100+ 73.44 грн
250+ 68.95 грн
500+ 60.33 грн
1000+ 49.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
BU26507GUL-E2 BU26507GUL-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU26507GUL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC LED DRV LIN I2C VCSP50L2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 25-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 6
Frequency: 1.2MHz
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output / Channel: 42.5mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: VCSP50L2
Dimming: I2C
Voltage - Supply (Min): 2.7V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.81 грн
10+ 99.5 грн
25+ 93.86 грн
100+ 75.05 грн
250+ 70.47 грн
500+ 61.66 грн
1000+ 50.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
BU1852GXW-E2 BU1852GXW-E2 Rohm Semiconductor bu1852guw-e.pdf Description: IC GPIO KEY ENCODER 8X12 35-UBGA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU1852GXW-E2 BU1852GXW-E2 Rohm Semiconductor bu1852guw-e.pdf Description: IC GPIO KEY ENCODER 8X12 35-UBGA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU1851GUW-E2 BU1851GUW-E2 Rohm Semiconductor bu1851guw-e.pdf Description: IC GPIO KEY ENCODER 8X8 35-VBGA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU1851GUW-E2 BU1851GUW-E2 Rohm Semiconductor bu1851guw-e.pdf Description: IC GPIO KEY ENCODER 8X8 35-VBGA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PTZTE258.2A ptz_series_spec.pdf
PTZTE258.2A
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 1W PMDS
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RF073M2STR RF073M2S.pdf
RF073M2STR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU
на замовлення 7083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN739DT146 rn739F_D.pdf
RN739DT146
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE PIN HF SW 50V 50MA SOT-346
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STZ6.8TT146 stz6.8t.pdf
STZ6.8TT146
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD3
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR10 tdz10.pdf
TDZTR10
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 10V 500MW TUMD2
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR11 tdz10.pdf
TDZTR11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 11V 500MW TUMD2
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR12 tdz10.pdf
TDZTR12
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 12V 500MW TUMD2
на замовлення 5981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR13 tdz10.pdf
TDZTR13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 13V 500MW TUMD2
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR15 tdz10.pdf
TDZTR15
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 15V 500MW TUMD2
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR16 tdz10.pdf
TDZTR16
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 16V 500MW TUMD2
на замовлення 8541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR18 tdz10.pdf
TDZTR18
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 18V 500MW TUMD2
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR20 tdz10.pdf
TDZTR20
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 20V 500MW TUMD2
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR22 tdz10.pdf
TDZTR22
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 22V 500MW TUMD2
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR24 tdz10.pdf
TDZTR24
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 24V 500MW TUMD2
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR30 tdz30.pdf
TDZTR30
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 30V 500MW TUMD2
на замовлення 5175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR5.6 tdz5.6.pdf
TDZTR5.6
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW TUMD2
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR6.2 tdz10.pdf
TDZTR6.2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR6.8 tdz10.pdf
TDZTR6.8
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR7.5 tdz10.pdf
TDZTR7.5
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDZTR8.2 tdz10.pdf
TDZTR8.2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UDZTE-175.6B udz_series_datasheet.pdf
UDZTE-175.6B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UDZTE-178.2B udz_series_datasheet.pdf
UDZTE-178.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW UMD2
на замовлення 5675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UMH8NTR imh8at108-e.pdf
UMH8NTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
VDZT2R11B vdz11b.pdf
VDZT2R11B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 11V 100MW VMD2
на замовлення 12401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
VDZT2R12B vdz12b.pdf
VDZT2R12B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 12V 100MW VMD2
на замовлення 15141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
VDZT2R18B vdz18b.pdf
VDZT2R18B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 18V 100MW VMD2
на замовлення 7046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
VDZT2R20B vdz20b.pdf
VDZT2R20B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 20V 100MW VMD2
на замовлення 7851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
VDZT2R33B vdz33b.pdf
VDZT2R33B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 33V 100MW VMD2
на замовлення 15769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
VDZT2R3.6B vdz3.6b.pdf
VDZT2R3.6B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.6V 100MW VMD2
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU94603KV-E2 BU94601KV_BU94603KV_BU94604BKV_Rev001_7-12-12.pdf
BU94603KV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC DECODER USB HOST AUDIO 64VQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 64-VQFP (10x10)
товар відсутній
2SCR513RTL datasheet?p=2SCR513R&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
KTR03EZPF5004 ktr.pdf
KTR03EZPF5004
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 5M OHM 1% 1/10W 0603
товар відсутній
KTR03EZPF5104 ktr-e.pdf
KTR03EZPF5104
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 5.1M OHM 1% 1/10W 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, High Voltage
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 5.1 mOhms
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+1.67 грн
10000+ 1.45 грн
25000+ 1.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
KTR03EZPF7504 ktr-e.pdf
KTR03EZPF7504
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 7.5M OHM 1% 1/10W 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, High Voltage
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 7.5 MOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BM6103FV-CE2 SiC_SCS_AECQ.pdf
BM6103FV-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 20SSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-LSSOP (0.240", 6.10mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5 ~ 5.5V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Supplier Device Package: 20-SSOP-B
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
ESR10EZPF6200 esr-e.pdf
ESR10EZPF6200
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 620 OHM 1% 0.4W 0805
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 620 Ohms
товар відсутній
SCS240KE2C TO-247SBD_taping-e.pdf
SCS240KE2C
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC SCHOT 1200V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
товар відсутній
SCS240AE2C TO-247SBD_taping-e.pdf
SCS240AE2C
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
товар відсутній
SCS208AJTLL datasheet?p=SCS208AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS208AJTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+319.33 грн
10+ 257.71 грн
SCS206AJTLL datasheet?p=SCS206AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS206AJTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 600 V
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+255.46 грн
10+ 206.17 грн
100+ 166.82 грн
500+ 139.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
SCS210AJTLL datasheet?p=SCS210AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS210AJTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+372.55 грн
10+ 301.57 грн
100+ 243.94 грн
500+ 203.49 грн
SCS205KGC scs205kg-e.pdf
SCS205KGC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній
SCS220KGC scs220kg-e.pdf
SCS220KGC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220AC
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SCS230KE2C TO-247SBD_taping-e.pdf
SCS230KE2C
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SCS220KE2C ?p_p_state=maximized&p_p_mode=view&saveLastPath=false&_com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet_mvcRenderCommandName=%2Flogin%2Flogin&p_p_id=com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet&p_p_lifecycle=0&_com_liferay_login_web_portlet_L
SCS220KE2C
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SCS208AJTLL datasheet?p=SCS208AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS208AJTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V
товар відсутній
SCS206AJTLL datasheet?p=SCS206AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS206AJTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 600 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+131.85 грн
2000+ 119.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SCS210AJTLL datasheet?p=SCS210AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS210AJTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+192.8 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SCS210KGC scs210kg-e.pdf
SCS210KGC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+605.96 грн
50+ 465.66 грн
100+ 416.63 грн
SCS215KGC scs215kg-e.pdf
SCS215KGC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 790pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
товар відсутній
SCS210KE2C scs210ke2-e.pdf
SCS210KE2C
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
товар відсутній
DTC115TMT2L datasheet?p=DTC115TM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC115TMT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товар відсутній
BU94603KV-E2 BU94601KV_BU94603KV_BU94604BKV_Rev001_7-12-12.pdf
BU94603KV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC DECODER USB HOST AUDIO 64VQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 64-VQFP (10x10)
товар відсутній
BU94603_EVK BU94603_EVB_Manual.pdf
BU94603_EVK
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: BOARD EVAL FOR BU94603
товар відсутній
BD9G101G-TR datasheet?p=BD9G101G&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD9G101G-TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG BUCK ADJ 500MA 6SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 42V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 6-SSOP
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 29.4V
Voltage - Input (Min): 6V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Part Status: Active
на замовлення 40731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.52 грн
10+ 97.3 грн
25+ 91.84 грн
100+ 73.44 грн
250+ 68.95 грн
500+ 60.33 грн
1000+ 49.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
BU26507GUL-E2 datasheet?p=BU26507GUL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU26507GUL-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC LED DRV LIN I2C VCSP50L2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 25-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 6
Frequency: 1.2MHz
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output / Channel: 42.5mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: VCSP50L2
Dimming: I2C
Voltage - Supply (Min): 2.7V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.81 грн
10+ 99.5 грн
25+ 93.86 грн
100+ 75.05 грн
250+ 70.47 грн
500+ 61.66 грн
1000+ 50.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
BU1852GXW-E2 bu1852guw-e.pdf
BU1852GXW-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC GPIO KEY ENCODER 8X12 35-UBGA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU1852GXW-E2 bu1852guw-e.pdf
BU1852GXW-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC GPIO KEY ENCODER 8X12 35-UBGA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU1851GUW-E2 bu1851guw-e.pdf
BU1851GUW-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC GPIO KEY ENCODER 8X8 35-VBGA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BU1851GUW-E2 bu1851guw-e.pdf
BU1851GUW-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC GPIO KEY ENCODER 8X8 35-VBGA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 166 332 457 458 459 460 461 462 463 464 465 466 467 498 664 830 996 1162 1328 1494 1660 1664  [ Наступна Сторінка >> ]