SCS210KE2C Rohm Semiconductor
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 641.03 грн |
25+ | 611.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS210KE2C Rohm Semiconductor
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; 170W; TO247-3, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 5A x2, Max. load current: 52A, Power dissipation: 170W, Semiconductor structure: common cathode; double, Case: TO247-3, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 160A, Max. forward voltage: 1.6V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SCS210KE2C
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SCS210KE2C | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; 170W; TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 5A x2 Max. load current: 52A Power dissipation: 170W Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 160A Max. forward voltage: 1.6V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
SCS210KE2C | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V |
товар відсутній |
||
SCS210KE2C | Виробник : ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers DIODE: 10A 1200V |
товар відсутній |
||
SCS210KE2C | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; 170W; TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 5A x2 Max. load current: 52A Power dissipation: 170W Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 160A Max. forward voltage: 1.6V |
товар відсутній |