![FDH047AN08A0 FDH047AN08A0](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/c0e23eaae048d5c72370d3c4210863f264b1172d/to-247.jpg)
FDH047AN08A0 ON Semiconductor
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 415.47 грн |
10+ | 364.08 грн |
25+ | 359.54 грн |
100+ | 336.47 грн |
250+ | 248.58 грн |
450+ | 212.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDH047AN08A0 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 75V 15A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDH047AN08A0 за ціною від 217.44 грн до 469.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDH047AN08A0 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V |
на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDH047AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDH047AN08A0 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDH047AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDH047AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDH047AN08A0 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 138nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDH047AN08A0 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 138nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |