BC848CDW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC848CDW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC848CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BC848CDW1T1G за ціною від 1.54 грн до 14.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC848CDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC848CDW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2NPN 30V 0.1A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC848CDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 380 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 16755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC848CDW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2NPN 30V 0.1A SC88/SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 91833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC848CDW1T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V Dual NPN |
на замовлення 14940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC848CDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 380 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 16755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC848CDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
BC848CDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| BC848CDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1174 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
BC848CDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |