BC848CWT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.15 грн |
6000+ | 1.87 грн |
9000+ | 1.76 грн |
15000+ | 1.54 грн |
21000+ | 1.47 грн |
30000+ | 1.41 грн |
75000+ | 1.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC848CWT1G onsemi
Description: ONSEMI - BC848CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BC848CWT1G за ціною від 1.38 грн до 17.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC848CWT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC848CWT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 25727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC848CWT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC848CWT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC848CWT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 124618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC848CWT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC848CWT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN |
на замовлення 77633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC848CWT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 25727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC848CWT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC70; SOT323 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
BC848CWT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
BC848CWT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
BC848CWT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
BC848CWT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848CWT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
BC848CWT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
BC848CWT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
BC848CWT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC70; SOT323 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
товару немає в наявності |