Продукція > NTL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTL-ANA-2-X-3MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY TRIGGER POWER C
Packaging: Case
Accessory Type: Cable
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3120.78 грн
NTL-ANA-2-X-5MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY TRIGGER POWER C
Packaging: Case
Accessory Type: Cable
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3671.24 грн
NTL-GIGE-7-1-3-3MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY CAMERA CABLE, 3
Packaging: Case
Accessory Type: Cable
товару немає в наявності
NTL-GIGE-7-1-3-5MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY CAMERA CABLE, 5
Packaging: Case
Accessory Type: Cable
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2937.3 грн
NTL-T-CCB-84901-1003-03MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY TRIGGER POWER C
Packaging: Case
Accessory Type: Cable
товару немає в наявності
NTL-T-CCB-84901-2001-03MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY TRIGGER POWER C
Packaging: Case
Accessory Type: Cable
Part Status: Active
товару немає в наявності
NTL-U3-1-2-3MNEW TRYDescription: U3 HIGH FLEXIBILITY CAMERA CABLE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5333.35 грн
NTL02B5N6TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.0056uH 0.1nH 500MHz 10Q-Factor 0.2A 1Ohm DCR 0201 T/R
товару немає в наявності
NTL04B1N8TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.0018uH 0.1nH 300MHz 13Q-Factor 1A 0.14Ohm DCR 0402 T/R
товару немає в наявності
NTL04B3N0TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.003uH 0.1nH 300MHz 13Q-Factor 0.71A 0.24Ohm DCR 0402 T/R
товару немає в наявності
NTL04C1N5TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.0015uH 0.2nH 300MHz 13Q-Factor 1.2A 0.1Ohm DCR 0402 T/R
товару немає в наявності
NTL04C3N9TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.0039uH 0.2nH 300MHz 13Q-Factor 0.62A 0.3Ohm DCR 0402 T/R
товару немає в наявності
NTL04C4N3TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.0043uH 0.2nH 300MHz 13Q-Factor 0.55A 0.46Ohm DCR 0402 T/R
товару немає в наявності
NTL04C8N2TRF
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTL1NeutrikAudio Transformers / Signal Transformers TRANSFRMER LINE PCB VERT 1:1 RATIO
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5415.12 грн
10+ 5062.71 грн
50+ 4401.65 грн
100+ 3835.3 грн
250+ 3787.75 грн
500+ 3748 грн
NTL1NEUTRIKDescription: NEUTRIK - NTL1 - Audio-Übertrager, 1:1, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85043180
rohsCompliant: YES
Sekundärer DC-Widerstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Transformatormontage: Durchsteckmontage
Impedanz, sekundärseitig: 10kohm
Primärer DC-Widerstand: -
usEccn: EAR99
Leistung, Sekundärwicklung: -
Frequenz, min.: -
Impedanz, primärseitig: 10kohm
Isolationsspannung: -
Transformatoranschlüsse: Leiterplattenstift
euEccn: NLR
Windungsverhältnis: 1:1
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenz, max.: -
Anwendungen Transformator: Professionell - Anpassungsübertrager
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5363.69 грн
5+ 5099.37 грн
10+ 4939.34 грн
NTL10-005LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 20mm, 5ohm 10A, +/-15% box
товару немає в наявності
NTL10-005MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 20mm, 5ohm 10A, +/-20% box
товару немає в наявності
NTL10-005MYAGEODescription: YAGEO - NTL10-005M - Thermistor, ICL, NTC, 5 Ohm, Produktreihe NT, 20mm, 10A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 10A
euEccn: NLR
Widerstand (25°C): 5ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 20mm
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.85 грн
50+ 81.21 грн
250+ 66.64 грн
500+ 48.28 грн
1500+ 43.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTL10-005MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 20mm, 5ohm 10A, +/-20% box
товару немає в наявності
NTL10-006LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 20mm, 6ohm 10A, +/-15% box
товару немає в наявності
NTL10-006LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 20mm, 6ohm 10A, +/-15% box
товару немає в наявності
NTL10-006MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 20mm, 6ohm 10A, +/-20% box
товару немає в наявності
NTL10-006MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 20mm, 6ohm 10A, +/-20% box
товару немає в наявності
NTL12-001LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 1ohm 12A, +/-15% box
товару немає в наявності
NTL12-001MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 1ohm 12A, +/-20% box
товару немає в наявності
NTL12-001MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 1ohm 12A, +/-20% box
товару немає в наявності
NTL12-002LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 2ohm 12A, +/-15% box
товару немає в наявності
NTL12-002MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 2ohm 12A, +/-20% box
товару немає в наявності
NTL12-002MYAGEODescription: YAGEO - NTL12-002M - Thermistor, ICL, NTC, 2 Ohm, Produktreihe NT, 20mm, 12A
tariffCode: 85334010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 12A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 20mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTL12-002MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 2ohm 12A, +/-20% box
товару немає в наявності
NTL12-0R7LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 0.7ohm 12A, +/-15% box
товару немає в наявності
NTL12-0R7LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 0.7ohm 12A, +/-15% box
товару немає в наявності
NTL12-0R7MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 0.7ohm 12A, +/-20% box
товару немає в наявності
NTL12-0R7MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 0.7ohm 12A, +/-20% box
товару немає в наявності
NTL12-2R5LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 2.5ohm 12A, +/-15% box
товару немає в наявності
NTL12-2R5LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 2.5ohm 12A, +/-15% box
товару немає в наявності
NTL12-2R5MYAGEODescription: YAGEO - NTL12-2R5M - Thermistor, ICL, NTC, 2.5 Ohm, Produktreihe NT, 20mm, 12A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 12A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 2.5ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 20mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.05 грн
50+ 76.83 грн
250+ 66.96 грн
500+ 45.91 грн
1500+ 40.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTL12-2R5MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 2.5ohm 12A, +/-20% box
товару немає в наявності
NTL4502NT1onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16PIN
товару немає в наявності
NTL4502NT1
на замовлення 898 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTL4502NT1onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16PIN
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+116.49 грн
Мінімальне замовлення: 181
NTL4502NT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTL4502NT1 - NTL4502NT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTL4532T-S3R6BTDK00+
на замовлення 510 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTL5152
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLD7900ZR2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLGD3402PT1G
на замовлення 557 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLGD3501NT1G
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLGD3502NT1GON Semiconductor
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLGD3502NT1GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLGD3502NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLGD3502NT1G - MOSFET, N, 20V, DFN6 3X3MM
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLGD3502NT2GON SemiconductorMOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3 60M
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLGD3502NT2G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLGD3502NT2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLGF3402PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 740
NTLGF3402PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN
товару немає в наявності
NTLGF3402PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLGF3402PT1G - NTLGF3402PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLGF3402PT2GON SemiconductorMOSFET PFET 3X3 20V 2.7A 140MOHM
товару немає в наявності
NTLGF3402PT2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
760+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 760
NTLGF3402PT2G
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLGF3402PT2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN
товару немає в наявності
NTLGF3402PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLGF3501NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLGF3501NT2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLGF3501NT2GON SemiconductorMOSFET NFET 3X3 20V 3.0A 9MOHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLGF3501NT2G
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJ3115
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJD2104PTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
NTLJD2104PTAG
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJD2104PTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 16318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 1158
NTLJD2104PTBGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
NTLJD2104PTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJD2104PTBG - NTLJD2104PTBG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 300
NTLJD2104PTBGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 1158
NTLJD2105LTBGON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
товару немає в наявності
NTLJD2105LTBGONQFN
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJD3115P
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJD3115PT1GonsemiMOSFETs PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
на замовлення 6222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.63 грн
10+ 38.03 грн
100+ 24.41 грн
500+ 21.5 грн
1000+ 18.45 грн
3000+ 15.83 грн
6000+ 15.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTLJD3115PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLJD3115PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 110002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.6 грн
10+ 39.33 грн
100+ 27.23 грн
500+ 21.35 грн
1000+ 18.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTLJD3115PT1GON Semiconductor
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJD3115PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.91 грн
6000+ 16.34 грн
9000+ 15.13 грн
30000+ 14.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJD3115PTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
NTLJD3115PTAG
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJD3115PTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 4073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+13.6 грн
Мінімальне замовлення: 1567
NTLJD3119Consemionsemi COMP WDFN6 20V 4.6A 65MOH
товару немає в наявності
NTLJD3119CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLJD3119CTAG
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJD3119CTAGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
NTLJD3119CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLJD3119CTAGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.22 грн
6000+ 21.32 грн
15000+ 20.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJD3119CTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJD3119CTBG - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.95 грн
15+ 53.42 грн
100+ 36.62 грн
500+ 28.46 грн
1000+ 23.2 грн
5000+ 20.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLJD3119CTBGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 29693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.35 грн
10+ 49.16 грн
100+ 34.03 грн
500+ 26.68 грн
1000+ 22.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+41.71 грн
16+ 38.43 грн
100+ 29.75 грн
500+ 25.17 грн
1000+ 19.97 грн
3000+ 18.34 грн
Мінімальне замовлення: 15
NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLJD3119CTBGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.38 грн
6000+ 20.42 грн
9000+ 18.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJD3119CTBGonsemiMOSFETs COMP 2X2 20V 3.8A 100mOhm
на замовлення 90269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.35 грн
10+ 49.62 грн
100+ 32.5 грн
500+ 27.18 грн
1000+ 23.14 грн
3000+ 19.73 грн
6000+ 19.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.65 грн
6000+ 21.72 грн
15000+ 21.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJD3119CTBGONSEMINTLJD3119CTBG Multi channel transistors
товару немає в наявності
NTLJD3181PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
NTLJD3181PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 1211
NTLJD3181PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
товару немає в наявності
NTLJD3182FZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
товару немає в наявності
NTLJD3182FZTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJD3182FZTAG - NTLJD3182FZTAG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJD3182FZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
товару немає в наявності
NTLJD3183CZTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJD3183CZTAG - NTLJD3183CZTAG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJD3183CZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
товару немає в наявності
NTLJD3183CZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
товару немає в наявності
NTLJD4116NT1GonsemiMOSFETs NFET 2X2 30V 4.6A 70MOHM
на замовлення 7845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.33 грн
10+ 45.13 грн
100+ 28.74 грн
500+ 24.77 грн
1000+ 21.86 грн
3000+ 20.3 грн
6000+ 19.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTLJD4116NT1G
на замовлення 28750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJD4116NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 9124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.35 грн
10+ 48.42 грн
100+ 33.53 грн
500+ 26.29 грн
1000+ 22.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTLJD4116NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.05 грн
6000+ 20.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJD4116NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLJD4150PTBGON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
товару немає в наявності
NTLJD4150PTBG
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF3117P
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF3117Ponsemionsemi PFET WDFN6 20V 4.1A 100MO
товару немає в наявності
NTLJF3117PT1GON09+ SOP8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF3117PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 10 V
на замовлення 12150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.69 грн
12+ 26.39 грн
100+ 17.94 грн
500+ 13.21 грн
1000+ 12.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTLJF3117PT1GONWDFN-6
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF3117PT1GonsemiMOSFETs PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
на замовлення 16994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.76 грн
11+ 31.1 грн
100+ 19.09 грн
500+ 15.05 грн
1000+ 12.28 грн
3000+ 10.08 грн
9000+ 9.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTLJF3117PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.74 грн
500+ 15.75 грн
1000+ 10.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTLJF3117PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLJF3117PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLJF3117PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.58 грн
6000+ 10.31 грн
9000+ 9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJF3117PT1GONQFN
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF3117PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.72 грн
23+ 34.87 грн
100+ 21.74 грн
500+ 15.75 грн
1000+ 10.03 грн
Мінімальне замовлення: 20
NTLJF3117PT1GON Semiconductor
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF3117PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1603+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 1603
NTLJF3117PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
товару немає в наявності
NTLJF3118NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 10 V
товару немає в наявності
NTLJF3118NTAG
на замовлення 3236 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF3118NTBGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN
товару немає в наявності
NTLJF3118NTBGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN
товару немає в наявності
NTLJF4156NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.1 грн
18+ 44.58 грн
100+ 27.55 грн
500+ 20.33 грн
1000+ 12.9 грн
Мінімальне замовлення: 13
NTLJF4156NT1GON Semiconductor
на замовлення 354 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF4156NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLJF4156NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLJF4156NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
на замовлення 12053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.83 грн
10+ 38.3 грн
100+ 26.67 грн
500+ 19.54 грн
1000+ 15.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTLJF4156NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.55 грн
500+ 20.33 грн
1000+ 12.9 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTLJF4156NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLJF4156NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.71 грн
6000+ 14.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJF4156NT1GonsemiMOSFETs NFET 2X2 30V 4A 70MOHM
на замовлення 7391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.22 грн
10+ 41.14 грн
100+ 24.41 грн
500+ 19.38 грн
1000+ 16.04 грн
3000+ 13.34 грн
9000+ 12.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTLJF4156NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLJF4156NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
товару немає в наявності
NTLJF4156NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLJF4156NTAGonsemiMOSFETs NFET 2X2 30V 4A 70MOHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.39 грн
10+ 35.67 грн
100+ 21.58 грн
500+ 16.82 грн
1000+ 13.7 грн
3000+ 10.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTLJF4156NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
товару немає в наявності
NTLJF4156NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLJS053N12MCLTAGonsemiMOSFET PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.35 грн
10+ 53.87 грн
100+ 31.94 грн
500+ 26.76 грн
1000+ 22.78 грн
3000+ 18.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTLJS1102PTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLJS1102PTAGON Semiconductor
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJS1102PTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
товару немає в наявності
NTLJS17D0P03P8ZTAGON Semiconductor
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJS17D0P03P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
товару немає в наявності
NTLJS17D0P03P8ZTAGonsemiMOSFETs PT8 30V WDFN POWER CLIP
на замовлення 13530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.07 грн
10+ 64.4 грн
100+ 43.58 грн
500+ 35.27 грн
1000+ 30.09 грн
3000+ 27.25 грн
6000+ 26.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTLJS17D0P03P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
товару немає в наявності
NTLJS2103PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 1025
NTLJS2103PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
товару немає в наявності
NTLJS2103PTBGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-Pin WDFN T/R
товару немає в наявності
NTLJS2103PTBGonsemiMOSFETs PFET WDFN6 12V 5.9A 0.025
на замовлення 40825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.78 грн
10+ 39.83 грн
100+ 23.78 грн
500+ 18.88 грн
1000+ 17.25 грн
3000+ 14.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTLJS2103PTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.51 грн
10+ 35.49 грн
100+ 24.32 грн
500+ 18.08 грн
1000+ 16.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTLJS2103PTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
товару немає в наявності
NTLJS2103PTBGON Semiconductor
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJS3113PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+11.66 грн
250+ 11.24 грн
500+ 10.39 грн
Мінімальне замовлення: 52
NTLJS3113PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS3113PT1G - MOSFET, P CHANNEL, -20V, -5.8A, WDFN-6
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJS3113PT1GONWDFN-6
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJS3113PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
на замовлення 44238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLJS3113PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLJS3113PT1GON SemiconductorMOSFET PFET 2X2 20V 9.5A 42MOHM
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLJS3113PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLJS3113PTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
товару немає в наявності
NTLJS3113PTAGON SemiconductorMOSFET PFET 20V 9.5A 42MOHM 2X2
товару немає в наявності
NTLJS3180PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 16 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 1480
NTLJS3180PZTBGonsemiDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1603+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 1603
NTLJS3A18PZTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS3A18PZTWG - NTLJS3A18PZTWG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+28.5 грн
Мінімальне замовлення: 6000
NTLJS3A18PZTWGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLJS3A18PZTXGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
на замовлення 25707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLJS3D0N02P8ZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLJS3D0N02P8ZTAGonsemiMOSFET PT8 20V WDFN POWER CLIP
на замовлення 6132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.92 грн
10+ 51.75 грн
100+ 35.06 грн
500+ 29.74 грн
1000+ 24.2 грн
3000+ 22.71 грн
6000+ 22.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTLJS3D0N02P8ZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
на замовлення 3134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLJS3D0N02P8ZTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 20.2A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLJS3D9N03CTAGON SemiconductorDescription: MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, W
товару немає в наявності
NTLJS3D9N03CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS3D9N03CTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
NTLJS3D9N03CTAGON Semiconductor30 V Single N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
NTLJS4114NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS4114NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.8 A, 0.0203 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0203ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJS4114NT1GON Semiconductor
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJS4114NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin T/R
товару немає в наявності
NTLJS4114NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.66 грн
10+ 57.07 грн
100+ 37.79 грн
500+ 27.7 грн
1000+ 25.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTLJS4114NT1GonsemiMOSFETs NFET 2X2 30V 7.8A 33mOhm
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.62 грн
10+ 62.44 грн
100+ 37.05 грн
500+ 30.94 грн
1000+ 26.33 грн
3000+ 23.92 грн
6000+ 22.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTLJS4114NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
NTLJS4114NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJS4114NTAGonsemiMOSFETs NFET WDFN6 30V 7.8A
на замовлення 4816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.27 грн
10+ 42.93 грн
100+ 25.83 грн
500+ 21.58 грн
1000+ 18.38 грн
3000+ 14.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTLJS4114NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin WDFN T/R
товару немає в наявності
NTLJS4114NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.93 грн
10+ 43.77 грн
100+ 28.6 грн
500+ 20.73 грн
1000+ 18.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTLJS4114NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin WDFN T/R
товару немає в наявності
NTLJS4149PTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-WDFN
товару немає в наявності
NTLJS4149PTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN
на замовлення 308000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLJS4159NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 1567
NTLJS4159NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 15 V
товару немає в наявності
NTLJS4159NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS4159NT1G - NTLJS4159NT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJS4D7N03HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.6A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 15 V
товару немає в наявності
NTLJS4D9N03HTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS4D9N03HTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
NTLJS4D9N03HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
товару немає в наявності
NTLJS4D9N03HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
товару немає в наявності
NTLJS4D9N03HTAGonsemiMOSFET T8 30V
товару немає в наявності
NTLJS5D0N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V
на замовлення 15290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.86 грн
10+ 45.17 грн
100+ 31.23 грн
500+ 23.43 грн
1000+ 21.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTLJS5D0N03CTAGON Semiconductor30 V Single N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
NTLJS5D0N03CTAGON Semiconductor30 V Single N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
NTLJS5D0N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJS5D0N03CTAGonsemiMOSFET T6 30V POWER CLIP 2
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.09 грн
10+ 93.86 грн
100+ 65.01 грн
250+ 62.24 грн
500+ 54.44 грн
1000+ 46.7 грн
3000+ 44.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTLJS5D0N03CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS5D0N03CTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
NTLJS7D2P02P8ZTAGonsemiMOSFET PT8 20V WDFN POWER CLIP
на замовлення 4766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.92 грн
10+ 51.75 грн
100+ 34.99 грн
500+ 29.67 грн
1000+ 23.21 грн
3000+ 21.58 грн
6000+ 21.5 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTLJS7D2P02P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V
на замовлення 276899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.72 грн
10+ 50.42 грн
100+ 39.2 грн
500+ 31.18 грн
1000+ 25.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTLJS7D2P02P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.46 грн
6000+ 24.27 грн
9000+ 23.15 грн
30000+ 21.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJS7D2P02P8ZTAGON Semiconductor20 V Single P Channel MOSFET
товару немає в наявності
NTLK3FIT
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLLD4901NFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A/13A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLLD4901NFTWGON SemiconductorMOSFET NFET WDFN8 30V 9A 20MOHM
на замовлення 3327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLLD4901NFTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 810mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 6.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
товару немає в наявності
NTLLD4951NFTWGON SemiconductorMOSFET NFET WDFN8 30V 9A 20MOHM
товару немає в наявності
NTLLD4951NFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
товару немає в наявності
NTLLD4951NFTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+81.73 грн
Мінімальне замовлення: 268
NTLMS4504NR2ONSEMIDescription: ONSEMI - NTLMS4504NR2 - NTLMS4504NR2, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 19640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTLMS4504NR2onsemiDescription: TRANS MOSFET N-CH 24V 28A 3PIN S
Packaging: Bulk
на замовлення 18570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 452
NTLTD7900DR2
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLTD7900NR2Z
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLTD7900ZONMicro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLTD7900ZON07+ Micro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLTD7900ZR2ONMICRO-8
на замовлення 9300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLTD7900ZR2ON05+ QFN8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLTD7900ZR2ON Semicondu2002
на замовлення 310000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLTD7900ZR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLTD7900ZR2G - MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 6A, MSOP
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 297816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1240+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 1240
NTLTD7900ZR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
товару немає в наявності
NTLTD7900ZR2G
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLTD7900ZR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
товару немає в наявності
NTLTS3107PR2GRochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLTS3107PR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLTS3107PR2G - NTLTS3107PR2G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLUD3191PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
товару немає в наявності
NTLUD3191PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
на замовлення 99480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 1665
NTLUD3191PZTBGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
товару немає в наявності
NTLUD3191PZTBGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 1665
NTLUD3A260PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
товару немає в наявності
NTLUD3A260PZTAGonsemiMOSFET POWER MOSFET 20V 2A 200 M
товару немає в наявності
NTLUD3A260PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.39 грн
10+ 31.05 грн
100+ 21.59 грн
500+ 15.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTLUD3A260PZTBGonsemiEncoders 3.3Vin IP65 Encoder
товару немає в наявності
NTLUD3A260PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6
товару немає в наявності
NTLUD3A50PZonsemi PFET UDFN6 20V 5.6A 50MOH
товару немає в наявності
NTLUD3A50PZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLUD3A50PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
товару немає в наявності
NTLUD3A50PZTAGonsemiMOSFET PFET UDFN6 20V 5.6A 50MOH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUD3A50PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.2 грн
10+ 57.81 грн
100+ 38.35 грн
500+ 28.12 грн
1000+ 25.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTLUD3A50PZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLUD3A50PZTAGON Semiconductor
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLUD3A50PZTBGON SemiconductorMOSFET Dual P-Channel Cool Power MOSFET -20V -5.6A 50m
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUD3A50PZTBGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
товару немає в наявності
NTLUD3A50PZTBGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLUD3A50PZTBGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLUD4C26NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUD4C26NTAGONSEMINTLUD4C26NTAG Multi channel transistors
товару немає в наявності
NTLUD4C26NTAGonsemiMOSFET NFET UDFN6 30V 8.7A
на замовлення 78725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUD4C26NTBGON SemiconductorMOSFET NFET UDFN6 30V 8.7A 21MOH
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUF4189NZTAGON SemiconductorMOSFET NFET WDFN6 30V 1.5A 200mOhm
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUF4189NZTAGON Semiconductor
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLUF4189NZTAGRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUF4189NZTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUF4189NZTBG - NTLUF4189NZTBG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 302750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLUF4189NZTBGRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 454750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUS020N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLUS020N03CTAGonsemiMOSFETs T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.63 грн
10+ 38.12 грн
100+ 22.99 грн
500+ 19.23 грн
1000+ 16.32 грн
3000+ 13.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTLUS020N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
на замовлення 55335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.02 грн
10+ 40 грн
100+ 26.06 грн
500+ 18.82 грн
1000+ 17.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTLUS020N03CTAGON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLUS020N03CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLUS029N06T6TAGonsemiMOSFET 60V 29 MOHM T6 1.6 X1.6 U
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.65 грн
10+ 47.42 грн
100+ 28.53 грн
500+ 23.85 грн
1000+ 20.3 грн
3000+ 18.1 грн
6000+ 17.1 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTLUS029N06T6TAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 3.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.7 грн
6000+ 17.97 грн
9000+ 16.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLUS029N06T6TAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 3.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 30 V
на замовлення 17970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.44 грн
10+ 43.25 грн
100+ 29.95 грн
500+ 23.48 грн
1000+ 19.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTLUS030N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.99 грн
10+ 35.63 грн
100+ 24.79 грн
500+ 18.16 грн
1000+ 14.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTLUS030N03CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLUS030N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
NTLUS030N03CTAGonsemiMOSFETs T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.95 грн
10+ 39.75 грн
100+ 25.19 грн
500+ 24.56 грн
6000+ 12.7 грн
9000+ 11.99 грн
24000+ 11.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTLUS3192PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
товару немає в наявності
NTLUS3192PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 1268
NTLUS3192PZTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS3192PZTBG - NTLUS3192PZTBG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLUS3192PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 1268
NTLUS3A18PZCTAGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
товару немає в наявності
NTLUS3A18PZCTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
товару немає в наявності
NTLUS3A18PZCTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLUS3A18PZCTBGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
товару немає в наявності
NTLUS3A18PZCTBGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLUS3A18PZCTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
товару немає в наявності
NTLUS3A18PZCTCGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLUS3A18PZCTCGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
товару немає в наявності
NTLUS3A18PZCTCGON SemiconductorMOSFET PFET UDFN 20V 8.2A 18MOHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS3A18PZCTCGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
товару немає в наявності
NTLUS3A18PZTAGON SemiconductorMOSFET T4S PCH 20/8V IN 2X2 UDFN
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS3A18PZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8.2A 6-Pin UDFN T/R
товару немає в наявності
NTLUS3A18PZTAGON Semiconductor
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLUS3A18PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.83 грн
10+ 39.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTLUS3A18PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
NTLUS3A18PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
товару немає в наявності
NTLUS3A18PZTBGON SemiconductorMOSFET T4S PCH 20/8V IN 2X2 UDFN
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS3A18PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUS3A18PZTCGON SemiconductorMOSFET PFET UDFN 20V 8.2A 18MOHM
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS3A18PZTCGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
товару немає в наявності
NTLUS3A18PZTCGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUS3A18PZTCGON Semiconductor
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLUS3A39PZCTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+24.9 грн
Мінімальне замовлення: 902
NTLUS3A39PZCTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.2A UDFN6
товару немає в наявності
NTLUS3A39PZCTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.2A UDFN6
товару немає в наявності
NTLUS3A39PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 15 V
товару немає в наявності
NTLUS3A39PZTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS3A39PZTAG - NTLUS3A39PZTAG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 160793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+32.4 грн
Мінімальне замовлення: 250
NTLUS3A39PZTAGON Semiconductor
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLUS3A39PZTAGON SemiconductorMOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS3A39PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 15 V
на замовлення 190793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
784+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 784
NTLUS3A39PZTBGON SemiconductorMOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6
товару немає в наявності
NTLUS3A39PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
товару немає в наявності
NTLUS3A40PZCTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
товару немає в наявності
NTLUS3A40PZCTAGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
товару немає в наявності
NTLUS3A40PZCTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
NTLUS3A40PZCTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
товару немає в наявності
NTLUS3A40PZTAGON Semiconductor
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLUS3A40PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.09 грн
10+ 44.5 грн
100+ 30.78 грн
500+ 23.06 грн
1000+ 21.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTLUS3A40PZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.4A 6-Pin UDFN T/R
товару немає в наявності
NTLUS3A40PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
NTLUS3A40PZTAGonsemiMOSFET T4 20/8 PCH 2X2 8 CHANNEL
на замовлення 3321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.81 грн
10+ 59.25 грн
100+ 39.53 грн
500+ 31.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTLUS3A40PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUS3A40PZTBGON SemiconductorIGBT Transistors T4 20/8 PCH UDFN SING
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS3A40PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUS3A40PZTBGON Semiconductor
на замовлення 973 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLUS3A90PZCTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UDFN6
товару немає в наявності
NTLUS3A90PZCTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UDFN6
товару немає в наявності
NTLUS3A90PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.99 грн
10+ 36.3 грн
100+ 25.12 грн
500+ 19.7 грн
1000+ 16.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTLUS3A90PZTAGON SemiconductorMOSFET POWER MOSFET 20V 3A 60 MO
на замовлення 3669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS3A90PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
NTLUS3A90PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6UDFN
товару немає в наявності
NTLUS3A90PZTBGON SemiconductorIGBT Transistors POWER MOSFET 20V 3A 60 MO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS3A90PZTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS3A90PZTBG - MOSFET, P-CH, 20V, 4A, UDFN
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 300
NTLUS3C18PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 6 V
товару немає в наявності
NTLUS3C18PZTAGON SemiconductorMOSFET PFET UDFN 12V 7A 24MOHM
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS3C18PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 683
NTLUS3C18PZTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS3C18PZTBG - MOSFET, P-CH, 12V, 7A, UDFN
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 250
NTLUS3C18PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 6 V
товару немає в наявності
NTLUS3C18PZTBGON SemiconductorMOSFET PFET UDFN 12V 7A 24MOHM
товару немає в наявності
NTLUS4195PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 1268
NTLUS4195PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
товару немає в наявності
NTLUS4195PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SGL 6UDFN
товару немає в наявності
NTLUS4930NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS4930NTAG - NTLUS4930NTAG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLUS4930NTAGON Semiconductor
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLUS4930NTAGON SemiconductorMOSFET NFET UDFN6 30V 6.3A 26.3M
товару немає в наявності
NTLUS4930NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A UDFN6
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUS4930NTBGON SemiconductorMOSFET NFET UDFN6 30V 6.3A 26.3M
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS4930NTBGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A UDFN6
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUS4C12NTAGON SemiconductorMOSFET COMP UDFN6 30V 10.7A 9MOH
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS4C12NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
товару немає в наявності
NTLUS4C12NTBGON SemiconductorMOSFET COMP UDFN6 30V 10.7A 9MOH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTLUS4C12NTBGonsemiDescription: NTLUS4C12N - SINGLE N-CHANNEL CO
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTLUS4C16NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS4C16NTAG - MOSFET, N-CH, 30V, 9.4A, UDFN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1530+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 1530
NTLUS4C16NTAGON SemiconductorMOSFET 30V 9.4A 11.4mOhm SNGL N-CHAN PWR MSFT
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)