Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTLJF3117PT1G
NTLJF3117PT1G

NTLJF3117PT1G ON Semiconductor

ntljf3117p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTLJF3117PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NTLJF3117PT1G за ціною від 9.48 грн до 40.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTLJF3117PT1G NTLJF3117PT1G Виробник : onsemi ntljf3117p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.65 грн
6000+ 10.64 грн
9000+ 9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJF3117PT1G NTLJF3117PT1G Виробник : ONSEMI NTLJF3117P-D.PDF Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+21.26 грн
500+ 12.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTLJF3117PT1G NTLJF3117PT1G Виробник : onsemi ntljf3117p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 10 V
на замовлення 15280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.68 грн
11+ 28.46 грн
100+ 19.77 грн
500+ 14.49 грн
1000+ 11.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTLJF3117PT1G NTLJF3117PT1G Виробник : onsemi NTLJF3117P_D-2318970.pdf MOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
на замовлення 20230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+37.08 грн
11+ 31.34 грн
100+ 18.96 грн
500+ 14.77 грн
1000+ 12.06 грн
3000+ 10.17 грн
9000+ 9.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTLJF3117PT1G NTLJF3117PT1G Виробник : ONSEMI NTLJF3117P-D.PDF Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+40.89 грн
23+ 34.09 грн
100+ 21.26 грн
500+ 12.56 грн
Мінімальне замовлення: 20
NTLJF3117PT1G Виробник : ON ntljf3117p-d.pdf 09+ SOP8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF3117PT1G Виробник : ON ntljf3117p-d.pdf QFN
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF3117PT1G Виробник : ON ntljf3117p-d.pdf WDFN-6
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF3117PT1G Виробник : ON Semiconductor ntljf3117p-d.pdf
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJF3117PT1G NTLJF3117PT1G Виробник : ON Semiconductor ntljf3117p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTLJF3117PT1G NTLJF3117PT1G Виробник : ON Semiconductor ntljf3117p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній