![NTLJS7D2P02P8ZTAG NTLJS7D2P02P8ZTAG](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4955/488;-483AV;-6.jpg)
NTLJS7D2P02P8ZTAG onsemi
![ntljs7d2p02p8z-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 25.98 грн |
6000+ | 23.83 грн |
9000+ | 22.73 грн |
30000+ | 21.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTLJS7D2P02P8ZTAG onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V.
Інші пропозиції NTLJS7D2P02P8ZTAG за ціною від 21.12 грн до 62.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTLJS7D2P02P8ZTAG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V |
на замовлення 276899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTLJS7D2P02P8ZTAG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 4766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NTLJS7D2P02P8ZTAG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |