Продукція > IDD

Conn IDC Connector SKT 10 POS Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

IDD-05-G

товар відсутній

IDD-06-G

CABLE ASSEMBLIES

товар відсутній

IDD-07-G

CONNECTORS Board to board connectors

товар відсутній

IDD-07-T

Samtec Inc.

Description: FEMALE CABLE BASE ASSEMBLY

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IDD-08-G

Board-To-Board Connector, IDD Series, 16 Contacts, Receptacle

товар відсутній

IDD-11-G

IDD-11-G^SAMTEC

товар відсутній

IDD-12250A-R11

Isolated DC/DC Converters - Chassis Mount 50W+60W DC/DC 12V input 12V/5V/5VSB output

товар відсутній

IDD-13-G

Slim Body Flat Ribbon IDC Cable

товар відсутній

IDD-241100-R10

Isolated DC/DC Converters 100 W DC/DC 24 V input; 12 V output with 100W total power.

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD-2412

TAMURA

02+ WCA4-2

на замовлення 193 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDD-25-G

Samtec Inc.

Description: FEMALE CABLE BASE ASSEMBLY

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IDD-25-G

Ribbon Cables / IDC Cables

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD-930160-KIT-R20

Isolated DC/DC Converters POWER(DC->DC),9-30V INPUT,60W,O/P 12V 5A(MAX),,,RoHS

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD-936160-R10

IDD-936160-R10

товар відсутній

IDD-936160-R20

Isolated DC/DC Converters - Chassis Mount 60W DC/DC 9 36V input 12V output

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	6376.01 грн
5+	6235.77 грн
10+	5378.94 грн
25+	4858 грн
50+	4616 грн
100+	4569.63 грн
250+	4490.66 грн

IDD-936160-R20

Module DC-DC 1-OUT 12V 5A 60W

товар відсутній

IDD-936260A-R10

COMPACT SIZE 60W DC/DC CONVERTER MODULE

товар відсутній

IDD-936260A-R11

Isolated DC/DC Converters 60W DC/DC 9 36V input 12V/5V/5VSB output

товар відсутній

IDD-9364120A-R11

Isolated DC/DC Converters 120W DC/DC 9 36V input 12V/5V/3.3V/-12V/5VSB output,RoHS

товар відсутній

IDD03E60

infineon

03+

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDD03E60

Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 3A

на замовлення 379 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD03E60#

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDD03E60BUMA1

Description: DIODE GEN PURP 600V 7.3A TO252-3

товар відсутній

IDD03SG60C

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 3A; PG-TO252-3; 38W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Power dissipation: 38W
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 9.7A
Max. off-state voltage: 600V
Leakage current: 0.23µA
Case: PG-TO252-3
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode

товар відсутній

IDD03SG60C

товар відсутній

IDD03SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 3400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD03SG60CXTMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD03SG60CXTMA1 - IDD03SG60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 59868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

234+	107.29 грн

Мінімальне замовлення: 234

IDD03SG60CXTMA1

Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 1 PHA

на замовлення 88718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IDD03SG60CXTMA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD03SG60CXTMA2

Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1707 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	90.22 грн
500+	68.3 грн
1000+	56.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

IDD03SG60CXTMA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V

товар відсутній

IDD03SG60CXTMA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V

на замовлення 1671 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.24 грн
10+	107.02 грн
100+	85.13 грн
500+	67.6 грн
1000+	57.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

IDD03SG60CXTMA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 11703 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.48 грн
10+	109.15 грн
100+	79.7 грн
500+	69.41 грн
1000+	61.95 грн
2500+	59.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

IDD03SG60CXTMA2

на замовлення 1707 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	134.92 грн
10+	109.72 грн
100+	90.22 грн
500+	68.3 грн
1000+	56.22 грн

Мінімальне замовлення: 7

IDD03SG60CXTMA2

Rectifier Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	55.03 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IDD03SG60CXTMA2

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDD04S60C

Schottky Diodes & Rectifiers 2ND GEN THINQ 600V SiC Schottky Diode

на замовлення 123 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD04S60C

Rectifier Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IDD04S60C

TO252 06+

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDD04S60C

Description: DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3

товар відсутній

IDD04S60C
Код товару: 51664

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

IDD04S60CBUMA1

Description: DIODE SIC 600V 5.6A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5.6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

товар відсутній

IDD04S60CBUMA1

Description: DIODE SIC 600V 5.6A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5.6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

товар відсутній

IDD04S60CBUMA1

Diode Schottky 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IDD04SG60C

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 4A; PG-TO252-3; 43W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.1V
Case: PG-TO252-3
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.3µA
Max. forward impulse current: 13.5A
Power dissipation: 43W
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IDD04SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD04SG60C

товар відсутній

IDD04SG60CHUMA1

Description: DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-3

товар відсутній

IDD04SG60CXTMA1

Description: DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3

товар відсутній

IDD04SG60CXTMA1

Diode Schottky 600V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товар відсутній

IDD04SG60CXTMA1

Diode Schottky 600V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товар відсутній

IDD04SG60CXTMA2

Description: INFINEON - IDD04SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 15188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	164.18 грн
10+	138.98 грн
100+	113.79 грн
500+	84.53 грн
1000+	68.34 грн
2000+	64.86 грн
5000+	61.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

IDD04SG60CXTMA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V

на замовлення 11854 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.56 грн
10+	140.6 грн
100+	111.96 грн
500+	88.91 грн
1000+	75.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDD04SG60CXTMA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 1186 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	187.65 грн
10+	156.64 грн
100+	110.85 грн
500+	96.36 грн
1000+	84.05 грн
2500+	79.7 грн
5000+	78.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDD04SG60CXTMA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	79.3 грн
5000+	73.49 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IDD04SG60CXTMA2

Rectifier Diode Schottky 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IDD04SG60CXTMA2

на замовлення 15188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	113.79 грн
500+	84.53 грн
1000+	68.34 грн
2000+	64.86 грн
5000+	61.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

IDD05G

товар відсутній

IDD05SG60C

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 5A; PG-TO252-3; 56W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Power dissipation: 56W
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 5A
Max. forward impulse current: 18A
Max. off-state voltage: 600V
Leakage current: 0.4µA
Case: PG-TO252-3
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode

товар відсутній

IDD05SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD05SG60C

товар відсутній

IDD05SG60C

Description: DIODE SIL CARB 600V 5A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V

товар відсутній

IDD05SG60CXTMA1

Description: DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO252-3

товар відсутній

IDD05SG60CXTMA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	104.72 грн
5000+	96.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IDD05SG60CXTMA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 7475 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.1 грн
10+	180.81 грн
100+	136.21 грн
250+	129.69 грн
500+	121.72 грн
1000+	104.33 грн
2500+	97.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDD05SG60CXTMA2

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD05SG60CXTMA2 - XDD05SG60 - SIC DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

181+	138.17 грн

Мінімальне замовлення: 181

IDD06E60

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні

Rectifier Diode Switching 600V 14.7A 70ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IDD06E60
Код товару: 63442

товар відсутній

IDD06E60

Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode

товар відсутній

IDD06E60BUMA1

Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 6A; TO252-3
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
Case: TO252-3

товар відсутній

IDD06E60BUMA1

товар відсутній

IDD06E60BUMA1

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні

Description: DIODE GP 600V 14.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 14.7A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

товар відсутній

IDD06E60BUMA1
Код товару: 122046

товар відсутній

IDD06E60XT

Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCHING EMCON DIODE 600V 6A

товар відсутній

IDD06SG60C

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 6A; PG-TO252-3; 71W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Power dissipation: 71W
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 23A
Max. off-state voltage: 600V
Leakage current: 0.5µA
Case: PG-TO252-3
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode

товар відсутній

IDD06SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD06SG60C

товар відсутній

IDD06SG60CHUMA1

Description: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IDD06SG60CXTMA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

товар відсутній

IDD06SG60CXTMA1

Rectifier Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товар відсутній

IDD06SG60CXTMA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

на замовлення 9975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	260.99 грн
10+	210.72 грн
100+	170.51 грн
500+	142.23 грн
1000+	121.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDD06SG60CXTMA2

Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IDD06SG60CXTMA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	126.9 грн
5000+	117.23 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IDD06SG60CXTMA2

3rd Generation thinQ SiC Schottky Diode

товар відсутній

IDD06SG60CXTMA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 4269 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	286.55 грн
10+	223.3 грн
100+	167.37 грн
250+	157.95 грн
500+	148.53 грн
1000+	127.52 грн
2500+	118.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDD06SG60CXTMA2

Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IDD06SG60CXTMA2

Description: INFINEON - IDD06SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, CoolSic 3G thinQ, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSic 3G thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	127.61 грн
500+	117.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

IDD06SG60CXTMA2

Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	317.55 грн
44+	285.17 грн
52+	239.21 грн
100+	218.58 грн
500+	181.87 грн
1000+	165.64 грн
2000+	161.16 грн
2500+	154 грн
5000+	149.52 грн

Мінімальне замовлення: 39

IDD06SG60CXTMA2

на замовлення 893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	174.75 грн
10+	143.86 грн
100+	127.61 грн
500+	117.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

IDD08SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товар відсутній

IDD08SG60C

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 8A; PG-TO252-3; 100W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Power dissipation: 100W
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 36A
Max. off-state voltage: 600V
Leakage current: 0.6µA
Case: PG-TO252-3
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode

товар відсутній

IDD08SG60CXTMA1

Diode Schottky 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товар відсутній

IDD08SG60CXTMA1

Description: DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO252-3

товар відсутній

IDD08SG60CXTMA2

Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	331.61 грн
10+	278.78 грн
100+	212.95 грн
500+	185.66 грн
1000+	147 грн

Мінімальне замовлення: 3

IDD08SG60CXTMA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V

товар відсутній

IDD08SG60CXTMA2

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDD08SG60CXTMA2

3rd Generation thinQ SiC Schottky Diode

товар відсутній

IDD08SG60CXTMA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 7395 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	343.19 грн
10+	284.13 грн
100+	199.97 грн
250+	189.1 грн
500+	178.24 грн
1000+	152.15 грн
2500+	146.36 грн

IDD08SG60CXTMA2

Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	212.95 грн
500+	185.66 грн
1000+	147 грн

Мінімальне замовлення: 100

IDD08SG60CXTMA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V

на замовлення 2350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	344.07 грн
10+	278.57 грн
100+	225.39 грн
500+	188.02 грн
1000+	160.99 грн

IDD09E60

infineon

03+

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDD09E60

Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 9A

на замовлення 2451 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD09E60BUMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD09E60BUMA1 - IDD09E60 - SILICON POWER DIODE
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 111 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IDD09E60BUMA1

Description: DIODE GP 600V 19.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 19.3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

товар відсутній

IDD09SG60C

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 9A; PG-TO252-3; 115W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Power dissipation: 115W
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 9A
Max. forward impulse current: 42A
Max. off-state voltage: 600V
Leakage current: 0.7µA
Case: PG-TO252-3
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode

товар відсутній

IDD09SG60C

товар відсутній

IDD09SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товар відсутній

IDD09SG60CXTMA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V

товар відсутній

IDD09SG60CXTMA2

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD09SG60CXTMA2 - IDD09SG60C 3 RD GENERATION THINQ! SIC S
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	275.53 грн

Мінімальне замовлення: 91

IDD09SG60CXTMA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 1671 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	388.83 грн
10+	335.78 грн
100+	253.59 грн
250+	241.99 грн
500+	228.23 грн
1000+	207.22 грн
2500+	194.17 грн

IDD09SG60CXTMA2

Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 61 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	353.56 грн
10+	308.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

IDD09SG60CXTMA2

товар відсутній

IDD09SG60CXTMA2

на замовлення 61 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IDD10-12D1U

Chinfa

DC-DC перетворювач; Кіл. вих. кан. = 2; Uвих1, В = 12; Uвих2, В = -12; Pвих, Вт = 10; Uвх (max), В = 18; Uвх (min), В = 9; Iвих1, А = 0,42; Iвих2, А = 0,42; Uізол., В = 1 500; ККД, % = 88; Uвих, % = 2; Габ. розм, мм = 50,8 x 25,4 x 10,2; Рів. пульс., мВ =

на замовлення 55 шт:

термін постачання 3-4 дні (днів)

1+	1235.05 грн
10+	1152.72 грн

IDD10SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 1579 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD10SG60C

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 10A; PG-TO252-3; 120W
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 44A
Leakage current: 0.8µA
Power dissipation: 120W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Case: PG-TO252-3
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A

товар відсутній

IDD10SG60C

товар відсутній

IDD10SG60CXTMA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V

товар відсутній

IDD10SG60CXTMA1

Diode Schottky 600V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товар відсутній

IDD10SG60CXTMA2

Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	414.52 грн
10+	347.87 грн
100+	266.59 грн
500+	232.45 грн
1000+	183.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDD10SG60CXTMA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V

на замовлення 333 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	384.04 грн
10+	310.64 грн
100+	251.35 грн

IDD10SG60CXTMA2

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDD10SG60CXTMA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 3005 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	429.41 грн
10+	354.95 грн
100+	249.96 грн
250+	236.2 грн
500+	222.43 грн
1000+	190.55 грн
2500+	178.96 грн

IDD10SG60CXTMA2

на замовлення 5314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	266.59 грн
500+	232.45 грн
1000+	183.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

IDD10SG60CXTMA2

товар відсутній

IDD10SG60CXTMA2

Diode Schottky 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IDD12SG60C

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 12A; PG-TO252-3; 125W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Power dissipation: 125W
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 12A
Max. forward impulse current: 51A
Max. off-state voltage: 600V
Leakage current: 1µA
Case: PG-TO252-3
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode

товар відсутній

IDD12SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 1533 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD12SG60C

товар відсутній

IDD12SG60CXTMA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V

товар відсутній

IDD12SG60CXTMA2

товар відсутній

IDD12SG60CXTMA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

товар відсутній

IDD15E60

на замовлення 958 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDD15E60BUMA1

Description: DIODE GP 600V 29.2A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 29.2A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

на замовлення 14802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	43.11 грн

Мінімальне замовлення: 544

IDD15E60BUMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD15E60BUMA1 - IDD15E60 - SILICON POWER DIODE
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 14802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

524+	46.98 грн

Мінімальне замовлення: 524

IDD15E60BUMA2

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD15E60BUMA2 - IDD15E60 - SILICON POWER DIODE
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 3289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

524+	46.98 грн

Мінімальне замовлення: 524

IDD15E60BUMA2

Description: DIODE GP 600V 29.2A TO252-3

товар відсутній

IDD15E60BUMA3

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD15E60BUMA3 - IDD15E60 FAST SWITCHING EMITTER CONTROL
tariffCode: 85423190
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 24974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	30.72 грн

Мінімальне замовлення: 800

IDD15E60XT

Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCHING EMCON DIODE 600V 15A

на замовлення 897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDDD04G65C6XTMA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 3256 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.95 грн
10+	108.32 грн
100+	80.42 грн
500+	72.09 грн
1000+	71.44 грн
1700+	65.35 грн
3400+	63.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

IDDD04G65C6XTMA1

IDDD04G65C6XTMA1 SMD Schottky diodes

товар відсутній

IDDD04G65C6XTMA1

Description: INFINEON - IDDD04G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 13 A, 6.9 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1634 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	96.72 грн
500+	67.4 грн
1000+	50.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

IDDD04G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 13A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1700+	66.29 грн

Мінімальне замовлення: 1700

IDDD04G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD04G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD04G65C6XTMA1

на замовлення 1634 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	140.61 грн
10+	117.04 грн
100+	96.72 грн
500+	67.4 грн
1000+	50.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

IDDD04G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	115.21 грн
10+	111.62 грн
25+	106.34 грн
100+	95.34 грн
250+	87.89 грн
500+	76.6 грн
1000+	72.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

IDDD04G65C6XTMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDDD04G65C6XTMA1 - IDDD04G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

308+	81.12 грн

Мінімальне замовлення: 308

IDDD04G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 13A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V

на замовлення 4425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.5 грн
10+	123.4 грн
100+	84.95 грн
500+	64.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDDD04G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	124.07 грн
103+	120.2 грн
108+	114.52 грн
116+	102.68 грн
250+	94.66 грн
500+	82.49 грн
1000+	77.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

IDDD06G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD06G65C6XTMA1

Description: INFINEON - IDDD06G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 18 A, 9.6 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	133.3 грн
500+	92.08 грн
1000+	67.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

IDDD06G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD06G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1700+	135.61 грн

Мінімальне замовлення: 1700

IDDD06G65C6XTMA1

на замовлення 1107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	200.76 грн
10+	167.43 грн
100+	133.3 грн
500+	92.08 грн
1000+	67.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

IDDD06G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 18A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 420 V

товар відсутній

IDDD06G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD06G65C6XTMA1

SiC Schottky Diodes Y

на замовлення 336 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.94 грн
10+	171.64 грн
100+	118.82 грн
500+	100.71 грн
1000+	84.77 грн
1700+	80.42 грн
3400+	78.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDDD06G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	107.6 грн
120+	102.68 грн
122+	101.01 грн
500+	94.38 грн

Мінімальне замовлення: 115

IDDD06G65C6XTMA1

IDDD06G65C6XTMA1 SMD Schottky diodes

товар відсутній

IDDD08G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 24A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V

товар відсутній

IDDD08G65C6XTMA1

SiC Schottky Diodes Y

на замовлення 2802 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	164.83 грн
10+	141.65 грн
100+	102.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

IDDD08G65C6XTMA1

Description: INFINEON - IDDD08G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 12.2 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IDDD08G65C6XTMA1

IDDD08G65C6XTMA1 SMD Schottky diodes

товар відсутній

IDDD08G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 24A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD08G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 24A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD08G65C6XTMA1

Description: INFINEON - IDDD08G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 12.2 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	302.35 грн
5+	301.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

IDDD08G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 24A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	155.97 грн
10+	125.96 грн
100+	101.87 грн
500+	93.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

IDDD08G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 24A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD10G65C6XTMA1

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; PG-HDSOP-10-1
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 105W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 10A
Leakage current: 1µA
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IDDD10G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	227.62 грн
10+	225.34 грн
25+	223.05 грн
50+	202.32 грн
100+	169.95 грн
250+	162.17 грн
500+	140.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

IDDD10G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD10G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 29A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V

товар відсутній

IDDD10G65C6XTMA1

Description: INFINEON - IDDD10G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 29 A, 14.7 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 29A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	147.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

IDDD10G65C6XTMA1

товар відсутній

IDDD10G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	242.67 грн
52+	240.21 грн
55+	217.89 грн
100+	183.02 грн
250+	174.65 грн
500+	151.19 грн

Мінімальне замовлення: 51

IDDD10G65C6XTMA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	257.81 грн
10+	219.14 грн
100+	165.92 грн
250+	163.74 грн
500+	149.98 грн
1000+	149.25 грн
1700+	131.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDDD10G65C6XTMA1

на замовлення 1249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	169.06 грн
10+	147.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

IDDD10G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 29A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V

на замовлення 1538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	280.58 грн
10+	227.02 грн
100+	183.7 грн
500+	153.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDDD12G65C6XTMA1

Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	277.16 грн
10+	243.02 грн
100+	177.19 грн
500+	144.15 грн
1000+	130.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

IDDD12G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 34A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V

на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	333.88 грн
10+	269.66 грн
100+	218.16 грн

IDDD12G65C6XTMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDDD12G65C6XTMA1 - IDDD12G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

116+	216.2 грн

Мінімальне замовлення: 116

IDDD12G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 3032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	276.69 грн
10+	264.97 грн
25+	260.71 грн
50+	250.15 грн
100+	218.31 грн
250+	201.36 грн
500+	187.15 грн
1000+	181.21 грн
3000+	176.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

IDDD12G65C6XTMA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 1621 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	286.55 грн
10+	248.3 грн
100+	186.21 грн
250+	158.67 грн
500+	157.22 грн
1000+	153.6 грн
1700+	151.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDDD12G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 34A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V

товар відсутній

IDDD12G65C6XTMA1

на замовлення 1167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	177.19 грн
500+	144.15 грн
1000+	130.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

IDDD12G65C6XTMA1

IDDD12G65C6XTMA1 SMD Schottky diodes

товар відсутній

IDDD12G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD12G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 3032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	297.97 грн
44+	280.77 грн
50+	269.4 грн
100+	235.1 грн
250+	216.85 грн
500+	201.54 грн
1000+	195.15 грн
3000+	189.68 грн

Мінімальне замовлення: 42

IDDD16G65C6XTMA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 941 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	382.07 грн
10+	326.62 грн
100+	241.99 грн
250+	239.82 грн
500+	226.05 грн
1700+	207.22 грн

IDDD16G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	394.16 грн
33+	373.92 грн
34+	370.23 грн
100+	319.01 грн
250+	292.45 грн
500+	257.93 грн

Мінімальне замовлення: 32

IDDD16G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	621.52 грн
26+	480.51 грн
50+	434.55 грн
100+	397.87 грн
200+	349.74 грн
500+	316.06 грн
1000+	299.05 грн

Мінімальне замовлення: 20

IDDD16G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 43A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V

на замовлення 4735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	442.82 грн
10+	357.74 грн
100+	289.41 грн
500+	241.42 грн

IDDD16G65C6XTMA1

IDDD16G65C6XTMA1 SMD Schottky diodes

товар відсутній

IDDD16G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD16G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	366 грн
10+	347.21 грн
25+	343.79 грн
100+	296.22 грн
250+	271.56 грн
500+	239.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDDD16G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD16G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 43A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V

на замовлення 3400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1700+	228.75 грн

Мінімальне замовлення: 1700

IDDD20G65C6

Infineon SIC DIODES

товар відсутній

IDDD20G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD20G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	415.21 грн
31+	400.55 грн
32+	396.29 грн
100+	359.54 грн
250+	328.66 грн
500+	300.84 грн
1000+	297.19 грн
1700+	293.54 грн

Мінімальне замовлення: 30

IDDD20G65C6XTMA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 148 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	507.17 грн
10+	433.27 грн
100+	321.69 грн
250+	319.52 грн
500+	292.71 грн
1000+	289.81 грн
1700+	263.01 грн

IDDD20G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	385.55 грн
10+	371.94 грн
25+	367.98 грн
100+	333.86 грн
250+	305.19 грн
500+	279.35 грн
1000+	275.96 грн
1700+	272.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDDD20G65C6XTMA1

Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2831 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	218.75 грн
250+	218.06 грн
500+	217.36 грн
1250+	216.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

IDDD20G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	415.83 грн
10+	400.08 грн
25+	398.64 грн
100+	357.26 грн
250+	320.33 грн
500+	293.96 грн
1000+	293.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDDD20G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 51A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V

на замовлення 1398 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	348.77 грн
10+	288.23 грн
100+	248.76 грн

IDDD20G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	447.82 грн
29+	429.3 грн
100+	384.74 грн
250+	344.98 грн
500+	316.57 грн
1000+	316.43 грн

Мінімальне замовлення: 28

IDDD20G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD20G65C6XTMA1

на замовлення 2821 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	366.56 грн
5+	341.37 грн
10+	315.36 грн
50+	263.4 грн
100+	210.39 грн
250+	204.82 грн
500+	199.25 грн
1250+	188.8 грн

Мінімальне замовлення: 3

IDDD20G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD20G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 51A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V

товар відсутній

IDDD20G65C6XTMA1

IDDD20G65C6XTMA1 SMD Schottky diodes

товар відсутній

IDDD371AA-M04

на замовлення 10193 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74ALS244ASJ

98 SOP

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74ALS32SJ

98+ SOP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74ALS32SJ

07+

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74LS05SJ

98 SOP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74LS05SJ

07+

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74LS132SJ

07+

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74LS132SJ

98 SOP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74LS139SJ

07+

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74LS139SJ

98 SOP

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74LS14SJ

98 SOP

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74LS157SJ

98 SOP

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74LS157SJ

07+

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74LS74ASJ

98+ SOP

на замовлення 632 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDV-6304140A-R10

140Watt DC to DC Power Supplies

товар відсутній

IDDV-6304140A-R10