Продукція > INFINEON > IDD08SG60CXTMA2
IDD08SG60CXTMA2

IDD08SG60CXTMA2 INFINEON


INFNS19786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+211.42 грн
500+ 184.33 грн
1000+ 145.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDD08SG60CXTMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 12nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IDD08SG60CXTMA2 за ціною від 145.31 грн до 341.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IDD08SG60CXTMA2 IDD08SG60CXTMA2 Виробник : INFINEON INFNS19786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+329.23 грн
10+ 276.78 грн
100+ 211.42 грн
500+ 184.33 грн
1000+ 145.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
IDD08SG60CXTMA2 IDD08SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDD08SG60C_DS_v02_04_en-1131190.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 7395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+340.72 грн
10+ 282.09 грн
100+ 198.54 грн
250+ 187.75 грн
500+ 176.96 грн
1000+ 151.06 грн
2500+ 145.31 грн
IDD08SG60CXTMA2 IDD08SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies IDD08SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd414af01a96 Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+341.6 грн
10+ 276.57 грн
100+ 223.77 грн
500+ 186.67 грн
1000+ 159.84 грн
IDD08SG60CXTMA2 Виробник : Infineon IDD08SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd414af01a96
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IDD08SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies idd08sg60c_rev2.4.pdf 3rd Generation thinQ SiC Schottky Diode
товар відсутній
IDD08SG60CXTMA2 IDD08SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies IDD08SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd414af01a96 Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V
товар відсутній