![IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/571/Mfg_448%3B-PPG-HDSOP-10-1%3B-%3B-10.jpg)
IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies
![Infineon-IDDD16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f8711b50e0c](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE SIL CARB 650V 43A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1700+ | 221.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 43A HDSOP-10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 43A, Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V.
Інші пропозиції IDDD16G65C6XTMA1 за ціною від 201.02 грн до 609.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IDDD16G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IDDD16G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IDDD16G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IDDD16G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 43A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V |
на замовлення 4735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IDDD16G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IDDD16G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IDDD16G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
IDDD16G65C6XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товар відсутній |