IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 51A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 336.98 грн |
| 10+ | 278.18 грн |
| 100+ | 240.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: HDSOP, Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 10-polig, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IDDD20G65C6XTMA1 за ціною від 252.98 грн до 487.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 1730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 1730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDDD20G65C6XTMA1 SMD Schottky diodes |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
|
|
IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A HDSOP-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 51A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V |
товар відсутній |