IDDD04G65C6XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 13A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1700+ | 65.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDDD04G65C6XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDDD04G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 13 A, 6.9 nC, HDSOP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: HDSOP, Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 10-polig, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IDDD04G65C6XTMA1 за ціною від 55.95 грн до 137.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDDD04G65C6XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDDD04G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 13 A, 6.9 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDDD04G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDDD04G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 3256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDDD04G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDDD04G65C6XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDDD04G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 13 A, 6.9 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDDD04G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 13A HDSOP-10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 13A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V |
на замовлення 4935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDDD04G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IDDD04G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IDDD04G65C6XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDDD04G65C6XTMA1 SMD Schottky diodes |
товар відсутній |