Продукція > FGH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FGH.LM.368.XLCT
Код товару: 196533		Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Роз'єми колоподібні (силові, мікрофонні)
товару немає в наявності
FGH051-020.OMEGADescription: OMEGA - FGH051-020. - HEATING TAPE, 105W, 120VAC, 1/2" X 2
tariffCode: 0
productTraceability: No
Stromverbrauch: 105W
rohsCompliant: YES
Drahtverbindung Oberflächenheizung: 2-Prong Molded Separable Plug
euEccn: NLR
Oberflächenheizung: Standard Insulated Heating Tape
Versorgungsspannung: 120VAC
hazardous: false
Wattdichte: 8.6W/in²
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Betriebstemperatur, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 482°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: OMEGALUX FGH Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
FGH0H104ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0H104ZF - Superkondensator, EDLC, 0.1 F, 5.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 5.08 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 5.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5.08mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 Stunden bei 70°C
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 100ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 0.1F
Spannung (DC): 5.5V
Produktpalette: FGH Series
productTraceability: No
Produktdurchmesser: 11mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.79 грн
10+ 169.58 грн
50+ 157.64 грн
100+ 121.98 грн
500+ 90.08 грн
1000+ 78.48 грн
2000+ 73.7 грн
4000+ 73.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGH0H104ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 5.5V 0.1F -20/+80% LS=5.08mm
на замовлення 5744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.84 грн
10+ 176.29 грн
50+ 140.52 грн
100+ 117.1 грн
500+ 93.68 грн
1000+ 81.62 грн
2000+ 75.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0H104ZFKEMETDescription: CAP 100MF -20% +80% 5.5V T/H
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.433" Dia (11.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.200" (5.08mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 100Ohm @ 1kHz
Lifetime @ Temp.: 1000 Hrs @ 70°C
Height - Seated (Max): 0.217" (5.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 100 mF
Voltage - Rated: 5.5 V
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.5 грн
10+ 160.06 грн
50+ 147.03 грн
100+ 114.4 грн
500+ 91.98 грн
2000+ 77.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0H104ZFKEMETHigh Energy Storage Electric Double Layer- Supercaps
товару немає в наявності
FGH0H105ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 5.5V 1F -20/+80% LS=7.62mm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+423.94 грн
10+ 376.26 грн
90+ 243.43 грн
270+ 242.01 грн
1080+ 210.08 грн
FGH0H105ZFKEMETDescription: CAP 1F -20% +80% 5.5V T/H
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.846" Dia (21.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.300" (7.62mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 35Ohm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.374" (9.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 1 F
Voltage - Rated: 5.5 V
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.68 грн
90+ 246.68 грн
FGH0H105ZFKEMETCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; THT; 1F; 5.5VDC; -20÷80%; Body dim: Ø21.5x9.5mm
Type of capacitor: supercapacitor
Mounting: THT
Capacitance: 1F
Operating voltage: 5.5V DC
Tolerance: -20...80%
Body dimensions: Ø21.5x9.5mm
Terminal pitch: 7.62mm
ESR value: 35Ω
Spatial orientation: horizontal
Operating temperature: -25...70°C
Trade name: EDLC
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+367.82 грн
5+ 205.52 грн
12+ 194.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0H105ZFKEMETCap Supercap 1F 5.5V -20% to 80% (21.5 X 9.5mm) Radial Aluminum Cylindrical Can 7.62mm 35 Ohm 70C Bulk
товару немає в наявності
FGH0H105ZFKEMETCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; THT; 1F; 5.5VDC; -20÷80%; Body dim: Ø21.5x9.5mm
Type of capacitor: supercapacitor
Mounting: THT
Capacitance: 1F
Operating voltage: 5.5V DC
Tolerance: -20...80%
Body dimensions: Ø21.5x9.5mm
Terminal pitch: 7.62mm
ESR value: 35Ω
Spatial orientation: horizontal
Operating temperature: -25...70°C
Trade name: EDLC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+441.39 грн
5+ 256.11 грн
12+ 233.32 грн
FGH0H105ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0H105ZF - Superkondensator, EDLC, 1 F, 5.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 7.62 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 9.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 7.62mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 Stunden bei 70°C
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 35ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 1F
Spannung (DC): 5.5V
Produktpalette: FGH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 21.5mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+450.62 грн
10+ 367.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0H224ZFKemetCap Supercap 0.22F 5.5V -20% to 80% ( 11 X 7mm ) Radial Aluminum Cylindrical Can 5.08mm 100 Ohm 70°C Box
товару немає в наявності
FGH0H224ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0H224ZF - Superkondensator, EDLC, 0.22 F, 5.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 5.08 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 7mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5.08mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 Stunden bei 70°C
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 100ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 0.22F
Spannung (DC): 5.5V
Produktpalette: FG Supercapacitors Series
productTraceability: No
Produktdurchmesser: 11mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.63 грн
10+ 192.67 грн
50+ 178.34 грн
100+ 136.77 грн
500+ 101.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH0H224ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 5.5V 0.22F -20/+80% LS=5.08mm
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.71 грн
10+ 190.17 грн
50+ 152.59 грн
100+ 126.33 грн
500+ 101.49 грн
1600+ 88.71 грн
3200+ 85.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0H224ZFKEMETDescription: CAP 220MF -20% +80% 5.5V T/H
Packaging: Bulk
Tolerance: -20%, +80%
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.433" Dia (11.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.200" (5.08mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 100Ohm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.217" (5.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 220 mF
Voltage - Rated: 5.5 V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.92 грн
10+ 173.51 грн
100+ 132.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0H224ZFKEMETHighly Reliable Against Liquid Leakage Supercapacitors
товару немає в наявності
FGH0H474ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0H474ZF - Superkondensator, EDLC, 0.47 F, 5.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 5.08 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 8.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: 0
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 Stunden bei 70°C
Betriebstemperatur, min.: 0
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 65ohm
Produktlänge: 0
euEccn: NLR
Kapazität: 0.47F
Spannung (DC): 5.5V
Produktpalette: FG Supercapacitors Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 16.5mm
Kondensatoranschlüsse: 0
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produktbreite: 0
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.35 грн
10+ 264.32 грн
50+ 240.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH0H474ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 5.5V 0.47F -20/+80% LS=5.08mm
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+317.95 грн
10+ 270.15 грн
50+ 212.91 грн
100+ 175.3 грн
250+ 169.62 грн
600+ 153.3 грн
1200+ 141.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0H474ZFKEMETDescription: CAP 470MF -20% +80% 5.5V T/H
Packaging: Bulk
Tolerance: -20%, +80%
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.650" Dia (16.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.200" (5.08mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 65Ohm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.315" (8.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 470 mF
Voltage - Rated: 5.5 V
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.52 грн
10+ 234.06 грн
50+ 212.32 грн
100+ 164.51 грн
600+ 143.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0H474ZFKEMETHighly Reliable Against Liquid Leakage Supercapacitors
товару немає в наявності
FGH0V474ZFKEMETDescription: CAP 470MF -20% +80% 3.5V T/H
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.512" Dia (13.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.200" (5.08mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 25Ohm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.295" (7.50mm)
Capacitance: 470 mF
Voltage - Rated: 3.5 V
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.94 грн
10+ 166.56 грн
50+ 150.5 грн
100+ 121.52 грн
800+ 90.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0V474ZFKEMETCap Supercap 0.47F 3.5V -20% to 80% (13 X 7.5mm) Radial Aluminum Cylindrical Can 5.08mm 25 Ohm 70C Bulk
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+89.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
FGH0V474ZFKEMETFGH0V474ZF Supercapacitors
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+220.69 грн
10+ 108.23 грн
27+ 102.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0V474ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0V474ZF - Superkondensator, EDLC, 0.47 F, 3.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 5.08 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 7.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5.08mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 0
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 25ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 0.47F
Spannung (DC): 3.5V
Produktpalette: FG Supercapacitors Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 13mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.85 грн
10+ 183.12 грн
50+ 174.36 грн
100+ 115.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGH0V474ZFKemetCap Supercap 0.47F 3.5V -20% to 80% (13 X 7.5mm) Radial Aluminum Cylindrical Can 5.08mm 25 Ohm 70°C Bulk
товару немає в наявності
FGH0V474ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 3.5V 0.47F -20/80% LS=5.08mm
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.45 грн
10+ 189.35 грн
50+ 159.69 грн
100+ 135.56 грн
500+ 115.68 грн
800+ 113.55 грн
2400+ 94.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH100MAAM2QuectelWiFi Development Tools - 802.11 FGH100M Development Board (for debugging)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3917.27 грн
10+ 3600.13 грн
25+ 2640.14 грн
250+ 2511.68 грн
500+ 2509.55 грн
750+ 2508.84 грн
1000+ 2508.13 грн
FGH100MAAM2QuectelDescription: Linear IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
FGH100MAAM2Quectel Wireless SoultionsFGH100MAAM2
товару немає в наявності
FGH100MAAMDQuectelWiFi Modules - 802.11 Wi-Fi HaLow, IEEE 802.11ah, 850-950 MHz, 21 dBm (Morse Micro MM6108)
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2881.44 грн
10+ 2256.71 грн
25+ 1814.74 грн
50+ 1721.06 грн
100+ 1635.89 грн
250+ 1298.78 грн
500+ 1287.42 грн
FGH100MAAMDQuectelDescription: Linear IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
FGH100MAAMDQuectel Wireless SoultionsWiFi Hallo IEEE 802.11ah module, 850-950MHz, LGA
товару немає в наявності
FGH100MABMDQuectelDescription: WI-FI HALOW, IEEE 802.11AH, 8509
Packaging: Cut Tape (CT)
Utilized IC / Part: MM6108
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2673.97 грн
10+ 2043.61 грн
25+ 1889.02 грн
100+ 1597.68 грн
FGH100MABMDQuectelWiFi Modules - 802.11 Wi-Fi HaLow, IEEE 802.11ah, 850-950 MHz, 21 dBm (Morse Micro MM6108), US version only
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2999.02 грн
10+ 2347.31 грн
25+ 1887.84 грн
50+ 1833.9 грн
100+ 1701.89 грн
250+ 1603.95 грн
500+ 1576.99 грн
FGH100MABMDQuectelDescription: WI-FI HALOW, IEEE 802.11AH, 8509
Packaging: Tape & Reel (TR)
Utilized IC / Part: MM6108
товару немає в наявності
FGH100MABMDQuectel Wireless SoultionsWiFi Hallo IEEE 802.11ah module, 850-950MHz, LGA
товару немає в наявності
FGH102-080LSEOMEGADescription: OMEGA - FGH102-080LSE - HEIZBAND, 420W, 8.6W/IN2, 240V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
FGH12040WD-F155ON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH12040WD-F155
Код товару: 167483		Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
FGH12040WD-F155ON Semiconductor
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH12040WD-F155ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH12040WD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH12040WD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH12040WD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+233.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH15T120SMDonsemiIGBT Transistors FS2TIGBT TO247 15A 1200V
товару немає в наявності
FGH15T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+260.14 грн
10+ 245.17 грн
25+ 227.65 грн
50+ 209.72 грн
100+ 182.3 грн
1000+ 168.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH15T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH15T120SMD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 1200V, 15A, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 808-817 дні (днів)
1+495.97 грн
10+ 439.92 грн
100+ 316.53 грн
250+ 312.98 грн
FGH15T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+281.08 грн
46+ 264.91 грн
50+ 245.98 грн
52+ 226.6 грн
100+ 196.98 грн
1000+ 181.95 грн
Мінімальне замовлення: 44
FGH15T120SMD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/490ns
Switching Energy: 1.15mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 34Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
товару немає в наявності
FGH15T120SMD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH15T120SMD-F155 - IGBT, 30 A, 1.8 V, 333 W, 1.2 kV, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.31 грн
10+ 175.95 грн
100+ 168.78 грн
500+ 155.99 грн
1000+ 143.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGH20N60SFDonsemionsemi FSPIGBT TO247 20A 600V
товару немає в наявності
FGH20N60SFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/90ns
Switching Energy: 370µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 165 W
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.08 грн
30+ 156.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH20N60SFDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH20N60SFDTU - IGBT, Universal, 40 A, 2.2 V, 165 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
FGH20N60SFDTUON-SemicoductorSingle IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+170.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGH20N60SFDTUonsemi / FairchildIGBTs 600V 20A Field Stop
товару немає в наявності
FGH20N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH20N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH20N60SFDTU Транзистор
Код товару: 191499		Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
FGH20N60SFDTU-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-Ch 20A 600V FS IGBT
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH20N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+136.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
FGH20N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH20N60SFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/90ns
Switching Energy: 430µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
FGH20N60UFDonsemiIGBT Transistors FSPIGBT TO247 20A 600V
товару немає в наявності
FGH20N60UFDTUON Semiconductor
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH20N60UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/87ns
Switching Energy: 380µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 165 W
товару немає в наявності
FGH20N60UFDTUON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V 20A Field Stop
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH20N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+157.95 грн
10+ 139.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGH20N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH20N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH20N6S2Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH20N6S2DONSEMIDescription: ONSEMI - FGH20N6S2D - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
439+66.48 грн
Мінімальне замовлення: 439
FGH20N6S2DFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 7.7ns/87ns
Switching Energy: 25µJ (on), 58µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 9624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 365
FGH25N120FTDSON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH25N120FTDSonsemiDescription: IGBT 1200V 50A 313W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 535 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/151ns
Switching Energy: 1.42mJ (on), 1.16mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 169 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 313 W
товару немає в наявності
FGH25N120FTDSON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH25N120FTDSONSEMIDescription: ONSEMI - FGH25N120FTDS - IGBT, 1200V, 25A, FIELD STOP TRENCH
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
FGH25N120FTDSON Semiconductor
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH25N120FTDS; Field Stop Trench IGBT; 25A 1200V 313W; Корпус: TO-247; Fairchild
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+335.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH25N120FTDS_Tonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
FGH25T120SMDonsemiIGBT Transistors FS2TIGBT TO247 25A 1200V
товару немає в наявності
FGH25T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH25T120SMD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 1200V, 25A Field Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
FGH25T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH25T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH25T120SMD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/490ns
Switching Energy: 1.74mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 428 W
товару немає в наявності
FGH30N120FTDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 339000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AB Rail
товару немає в наявності
FGH30N120FTDTUonsemiDescription: IGBT 1200V 60A 339W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 730 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 208 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 339 W
товару немає в наявності
FGH30N60LSDTUON Semiconductor
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH30N60LSDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH30N60LSDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH30N60LSDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors PDD
товару немає в наявності
FGH30N60LSDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH30N60LSDTUonsemiDescription: IGBT 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
товару немає в наявності
FGH30N6S2onsemi / FairchildIGBT Transistors Sgl N-Ch 600V SMPS
товару немає в наявності
FGH30N6S2Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/40ns
Switching Energy: 55µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 7945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+72.75 грн
Мінімальне замовлення: 293
FGH30N6S2DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товару немає в наявності
FGH30N6S2DonsemiDescription: IGBT 600V 45A 167W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/40ns
Switching Energy: 55µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
FGH30S130Ponsemi / FairchildIGBTs 1300V 30A FS SA Trench IGBT
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+621.83 грн
10+ 542.75 грн
25+ 310.85 грн
100+ 261.88 грн
450+ 261.17 грн
FGH30S130P
Код товару: 104327		FairchildТранзистори > IGBT
Vces: 1300 V
Vce: 1,75 V
Ic 25: 60 A
Ic 100: 30 A
Pd 25: 500 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 39/620
товару немає в наявності
1+149 грн
FGH30S130PONSEMIDescription: ONSEMI - FGH30S130P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 500 W, 1.3 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+572.43 грн
5+ 488.04 грн
10+ 402.85 грн
50+ 327.5 грн
100+ 226.56 грн
250+ 225.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH30S130PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+522.33 грн
30+ 320.79 грн
120+ 272.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH30S130PONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.3kV; 30A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.3kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 372.3nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+593.29 грн
3+ 377.72 грн
8+ 344.21 грн
120+ 332.68 грн
FGH30S130PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH30S130PonsemiDescription: IGBT 1300V 60A 500W TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+485.2 грн
30+ 287.11 грн
120+ 245.81 грн
FGH30S130PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+562.64 грн
36+ 345.54 грн
120+ 293.49 грн
Мінімальне замовлення: 22
FGH30S130PONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.3kV; 30A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.3kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 372.3nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+494.41 грн
3+ 303.11 грн
FGH30S150PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1500V 60A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH30S150PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1500V 60A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH30S150PonsemiDescription: IGBT 1500V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/492ns
Switching Energy: 1.16mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 369 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
FGH30S150Ponsemi / FairchildIGBT Transistors SA2TIGBT TO247 30A 1500V
товару немає в наявності
FGH30S150PONSEMIDescription: ONSEMI - FGH30S150P - IGBT, 30 A, 1.85 V, 500 W, 1.5 kV, TO-247, 3 Pin(s)
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
FGH30T65UPDT-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors FS1TIGBT TO247 30A 650V
товару немає в наявності
FGH30T65UPDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+448.85 грн
31+ 403.12 грн
32+ 380.83 грн
50+ 347.97 грн
Мінімальне замовлення: 28
FGH30T65UPDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+416.79 грн
10+ 374.33 грн
25+ 353.62 грн
50+ 323.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH30T65UPDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH30T65UPDT-F155onsemiDescription: IGBT 650V 60A 250W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/139ns
Switching Energy: 760µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
FGH30T65UPDT_F155Fairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/139ns
Switching Energy: 760µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
FGH40N120
Код товару: 179924		Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
FGH40N120ANonsemiIGBT Transistors NPTPIGBT TO247 40A 1200V
товару немає в наявності
FGH40N120ANTUonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 64A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/110ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 417 W
товару немає в наявності
FGH40N120ANTU
Код товару: 165183		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
FGH40N120ANTUonsemi / FairchildIGBT Transistors 1200V NPT
товару немає в наявності
FGH40N120ANTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N120ANTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N120ANTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N60SFonsemiIGBTs FSPIGBT TO247 40A 600V
товару немає в наявності
FGH40N60SFDFAIRCHIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH40N60SFDonsemiIGBTs FSPIGBT TO247 40A 600V
товару немає в наявності
FGH40N60SFDFAIRCHIL..QFN16
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH40N60SFD
Код товару: 201597		ChinaТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
у наявності 4 шт:
4 шт - склад
очікується 100 шт:
100 шт - очікується
1+135 грн
10+ 124 грн
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Код товару: 79400		FAIRТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
у наявності 204 шт:
186 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+165 грн
10+ 152 грн
100+ 139 грн
FGH40N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N60SFDTU
Код товару: 49007		IRТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/115
товару немає в наявності
FGH40N60SFDTUonsemi / FairchildIGBTs 600V 40A Field Stop
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+466.99 грн
10+ 328.1 грн
30+ 205.11 грн
270+ 174.59 грн
FGH40N60SFDTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+485.34 грн
3+ 402.59 грн
4+ 280.34 грн
11+ 265.26 грн
90+ 260.82 грн
FGH40N60SFDTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+404.45 грн
3+ 323.07 грн
4+ 233.61 грн
11+ 221.05 грн
90+ 217.35 грн
FGH40N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+536.93 грн
50+ 342.83 грн
100+ 314.35 грн
450+ 264.47 грн
Мінімальне замовлення: 23
FGH40N60SFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.79 грн
30+ 221.81 грн
120+ 188.36 грн
510+ 160.86 грн
FGH40N60SFDTUON-SemicoductorIGBT 600V 80A 290W   FGH40N60SFDTU TFGH40N60sfdtu
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
FGH40N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N60SFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/138ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 121 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
FGH40N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+159.27 грн
10+ 149.08 грн
25+ 138.56 грн
100+ 124.48 грн
122+ 112.46 грн
250+ 104.26 грн
450+ 100.83 грн
900+ 100.55 грн
2700+ 100.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGH40N60SFTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40N60SFTU - IGBT, Universal, 80 A, 2.3 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 13230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+360.66 грн
10+ 291.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH40N60SFTUFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
на замовлення 13230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+174.06 грн
Мінімальне замовлення: 122
FGH40N60SFTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-CH / 40A 600V FS Planar
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+357.7 грн
10+ 317.49 грн
100+ 226.4 грн
450+ 203.69 грн
FGH40N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N60SFTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.44 грн
FGH40N60SMDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+390.12 грн
10+ 224.52 грн
100+ 192.67 грн
500+ 156.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH40N60SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.26 грн
30+ 194.19 грн
120+ 164.23 грн
510+ 136.95 грн
FGH40N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+386.93 грн
3+ 317.89 грн
4+ 273.54 грн
9+ 258.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+231.94 грн
10+ 213.6 грн
25+ 201.66 грн
50+ 185.07 грн
100+ 163.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH40N60SMDON-SemicoductorIGBT 600V 80A 349W   FGH40N60SMD TFGH40N60smd
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
FGH40N60SMDonsemi / FairchildIGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
на замовлення 17162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+356.04 грн
10+ 312.59 грн
30+ 178.85 грн
120+ 163.23 грн
FGH40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+251.5 грн
53+ 231.62 грн
56+ 218.67 грн
59+ 200.68 грн
100+ 177.56 грн
Мінімальне замовлення: 49
FGH40N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+464.32 грн
3+ 396.14 грн
4+ 328.24 грн
9+ 310.5 грн
FGH40N60SMD
Код товару: 63296		FAIR/ONТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 349 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/92
у наявності 57 шт:
27 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+205 грн
10+ 186 грн
FGH40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH40N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+286.31 грн
Мінімальне замовлення: 210
FGH40N60SMD-F085onsemiDescription: IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 920µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
FGH40N60SMD-F085ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGH40N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N60SMD-F085ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGH40N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+264.03 грн
Мінімальне замовлення: 210
FGH40N60SMD-F085onsemi / FairchildIGBTs 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+606.92 грн
25+ 377.07 грн
100+ 297.37 грн
250+ 288.14 грн
450+ 259.76 грн
900+ 224.98 грн
FGH40N60SMDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+422 грн
10+ 363.94 грн
30+ 309.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60SMDFonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
товару немає в наявності
FGH40N60SMDFONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
FGH40N60SMDFonsemi / FairchildIGBTs 600V/40A Field Stop IGBT ver. 2
товару немає в наявності
FGH40N60SMDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N60SMDFONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40N60SMDF - IGBT, Universal, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 3099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+530.24 грн
10+ 382.95 грн
100+ 309.7 грн
500+ 270.58 грн
1000+ 221.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60SMDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+474.81 грн
Мінімальне замовлення: 26
FGH40N60SMDF-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V, 40A FIELD STOP IGBT
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH40N60SMDF-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N60SMDF-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N60SMDF-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 122 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
FGH40N60UFonsemiIGBTs FSPIGBT TO247 40A 600V
товару немає в наявності
FGH40N60UFDonsemiIGBTs FSPIGBT TO247 40A 600V
товару немає в наявності
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+376.17 грн
25+ 235.52 грн
100+ 199.66 грн
450+ 171.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60UFDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40N60UFDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+394.1 грн
10+ 280.25 грн
100+ 212.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+372.86 грн
53+ 233.45 грн
100+ 197.91 грн
Мінімальне замовлення: 33
FGH40N60UFDTU
Код товару: 61781		FairchildТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/112
товару немає в наявності
1+92.5 грн
FGH40N60UFDTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+370.69 грн
4+ 273.62 грн
11+ 248.4 грн
120+ 243.96 грн
FGH40N60UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.56 грн
30+ 195.64 грн
120+ 165.5 грн
510+ 138.2 грн
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+346.22 грн
25+ 216.78 грн
100+ 183.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+407.89 грн
48+ 255.39 грн
100+ 216.51 грн
450+ 186.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60UFDTUonsemi / FairchildIGBTs 600V 40A Field Stop
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+359.35 грн
30+ 280.76 грн
120+ 209.37 грн
510+ 185.24 грн
1020+ 165.36 грн
FGH40N60UFDTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.91 грн
4+ 219.57 грн
11+ 207 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N60UFDTUON-SemicoductorIGBT 600V 80A 290W   FGH40N60UFDTU TFGH40N60ufdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+241.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGH40N60UFTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
FGH40N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N60UFTUON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V 40A Field Stop
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH40N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N65UFDonsemiIGBT Transistors FSPIGBT TO247 40A 650V
товару немає в наявності
FGH40N65UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N65UFDTUON-SemicoductorIGBT 650V 80A 290W   FGH40N65UFDTU TFGH40N65ufdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+472.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N65UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N65UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
FGH40N65UFDTUonsemi / FairchildIGBTs N-ch / 40A 650V
товару немає в наявності
FGH40N65UFDTU
Код товару: 160734		Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
FGH40N65UFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+384.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N65UFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N65UFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/126ns
Switching Energy: 1.28mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
FGH40N65UFDTU-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-ch / 40A 650V IGBT
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH40N65UFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40N6S2onsemiDescription: IGBT 600V 75A 290W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/35ns
Switching Energy: 115µJ (on), 195µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
FGH40N6S2DonsemiDescription: IGBT 600V 75A 290W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/35ns
Switching Energy: 115µJ (on), 195µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
FGH40N6S2Donsemi / FairchildMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Comp 600V N-Ch
товару немає в наявності
FGH40T100SMDonsemiDescription: IGBT 1000V 80A 333W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/285ns
Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 265 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 333 W
товару немає в наявності
FGH40T100SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1000V 80A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T100SMDonsemi / FairchildIGBT Transistors 1000V 40A Field Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
FGH40T100SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1000V 80A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T100SMD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors FS1TIGBT TO247 40A 1000V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+536.54 грн
10+ 478.28 грн
100+ 343.5 грн
FGH40T100SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1000V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T100SMD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1000V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/285ns
Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 398 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+553.53 грн
10+ 362.47 грн
100+ 265.76 грн
FGH40T100SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1000V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T120SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+857.94 грн
2+ 570.26 грн
6+ 518.98 грн
FGH40T120SMDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+606.5 грн
30+ 364.32 грн
120+ 314.25 грн
510+ 291.21 грн
FGH40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+585.65 грн
10+ 513.36 грн
25+ 428.44 грн
100+ 384.88 грн
250+ 310.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T120SMDON-SemicoductorSingle IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+481.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.87 грн
FGH40T120SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+714.95 грн
2+ 457.62 грн
6+ 432.48 грн
FGH40T120SMD
Код товару: 104369		Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
FGH40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+634.21 грн
22+ 555.93 грн
27+ 463.96 грн
100+ 416.79 грн
250+ 336.03 грн
Мінімальне замовлення: 20
FGH40T120SMDonsemi / FairchildIGBTs 1200V 40A FS2 Trench IGBT
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+665.71 грн
10+ 573.77 грн
30+ 355.57 грн
120+ 315.82 грн
FGH40T120SMDON-SemicoductorSingle IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+481.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T120SMD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1217.32 грн
2+ 782.16 грн
4+ 740.02 грн
10+ 739.29 грн
FGH40T120SMD-F155
Код товару: 154761		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
FGH40T120SMD-F155onsemi / FairchildIGBTs 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+665.71 грн
30+ 408.9 грн
1020+ 346.34 грн
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T120SMD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+708.58 грн
5+ 616.22 грн
10+ 523.87 грн
50+ 405.87 грн
100+ 337.8 грн
250+ 300.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T120SMD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+606.5 грн
30+ 364.37 грн
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T120SMD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1460.78 грн
2+ 974.7 грн
4+ 888.03 грн
10+ 887.14 грн
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+356.87 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T120SMDL4onsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/464ns
Switching Energy: 2.24mJ (on), 1.02mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
товару немає в наявності
FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T120SMDL4ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors FS2 TIGBT excellent swtching performance
товару немає в наявності
FGH40T120SQDNL4ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGH40T120SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T120SQDNL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40T120SQDNL4 - IGBT, 160 A, 1.78 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+723.7 грн
5+ 622.59 грн
10+ 521.48 грн
50+ 465.01 грн
100+ 410.82 грн
250+ 362.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T120SQDNL4onsemiIGBTs IGBT 1200V 40A UFS
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+466.99 грн
10+ 370.54 грн
30+ 316.53 грн
FGH40T120SQDNL4ON Semiconductor
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH40T120SQDNL4ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGH40T120SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T120SQDNL4onsemiDescription: IGBT 1200V 40A UFS FOR SO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 221 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.32 грн
30+ 311.36 грн
FGH40T65SHonsemiON Semiconductor FS3TIGBT TO247 40A 650V
товару немає в наявності
FGH40T65SHFairchild SemiconductorDescription: IGBT 80A, 650V, N CHANNEL, TO 24
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
FGH40T65SH-F155onsemiDescription: IGBT 650V 80A 268W TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
товару немає в наявності
FGH40T65SH-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+329.38 грн
100+ 306.84 грн
Мінімальне замовлення: 66
FGH40T65SH-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH40T65SHDonsemiIGBTs FS3TIGBT TO247 40A 650V
товару немає в наявності
FGH40T65SHDFairchild SemiconductorDescription: IGBT 80A, 650V, N CHANNEL, TO 24
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
FGH40T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T65SHD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGH40T65SHD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.26 грн
10+ 210.25 грн
450+ 151.18 грн
1350+ 121.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SHD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGH40T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T65SHD-F155onsemi / FairchildIGBTs IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.63 грн
10+ 240.77 грн
25+ 208.66 грн
450+ 149.75 грн
900+ 120.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SHDF-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGH40T65SHDF-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T65SHDF-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T65SHDF-F155onsemi / FairchildIGBTs 650V FS Gen3 Trench IGBT
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.14 грн
10+ 275.87 грн
25+ 195.17 грн
100+ 167.49 грн
250+ 156.85 грн
450+ 134.14 грн
900+ 132.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SHDF-F155
Код товару: 190128		Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
FGH40T65SHDF-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGH40T65SHDF-F155onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Switching Energy: 1.22mJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.95 грн
30+ 196.77 грн
120+ 168.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SPDonsemiIGBT Transistors FS3TIGBT TO247 40A 650V
товару немає в наявності
FGH40T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH40T65SPD-F085onsemiDescription: IGBT NPT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/35ns
Switching Energy: 1.16mJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 267 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
FGH40T65SPD-F085onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V 40A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.43 грн
10+ 331.37 грн
25+ 272.53 грн
100+ 236.33 грн
FGH40T65SPD-F085ON Semiconductor
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH40T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 24
FGH40T65SPD-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40T65SPD-F085 - IGBT, 80 A, 267 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 267W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH40T65SPD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH40T65SPD-F155onsemiDescription: IGBT 650V 80A 267W TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/37ns
Switching Energy: 1.16mJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 267 W
товару немає в наявності
FGH40T65SPD-F155TE ConnectivityTE Connectivity
товару немає в наявності
FGH40T65SPD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T65SPD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors FS3TIGBT TO247 40A 650V
товару немає в наявності
FGH40T65SQDonsemionsemi 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
товару немає в наявності
FGH40T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGH40T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-
товару немає в наявності
FGH40T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGH40T65SQD-F155ON Semiconductor
на замовлення 322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH40T65SQD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40T65SQD-F155 - FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V-80A, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+182.32 грн
Мінімальне замовлення: 180
FGH40T65SQD-F155ON SemiconductorIGBT, Field Stop, Trench 650 V, 40 A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+92.62 грн
10+ 88.1 грн
25+ 85.27 грн
50+ 81.32 грн
100+ 73.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
FGH40T65SQD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns
Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
на замовлення 3427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.84 грн
30+ 209.86 грн
120+ 179.87 грн
510+ 150.05 грн
1020+ 128.48 грн
2010+ 120.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SQD-F155onsemiIGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.19 грн
10+ 276.68 грн
25+ 208.66 грн
100+ 162.52 грн
250+ 156.85 грн
450+ 146.91 грн
900+ 128.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SQD_F155onsemiDescription: 650V FS4 TRENCH IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns
Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
товару немає в наявності
FGH40T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T65UPDON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 650 V 80 A 268 W
на замовлення 4529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH40T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T65UPDonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/144ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 177 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
товару немає в наявності
FGH40T65UQDF-F155ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 650V FS4 Trench IGBT
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH40T65UQDF-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T65UQDF-F155onsemiDescription: FS4TIGBT TO247 40A 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/271ns
Switching Energy: 989µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 231 W
товару немає в наявності
FGH40T65UQDF-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T70SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH40T70SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+168.45 грн
Мінімальне замовлення: 73
FGH40T70SHD-F155onsemiDescription: 650V FS GEN3 TRENCH IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/66ns
Switching Energy: 1.15mJ (on), 271µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
товару немає в наявності
FGH40T70SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+156.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGH40T70SHD-F155ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH4L40T120LQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGH4L40T120LQDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH4L40T120LQD - IGBT, 80 A, 1.55 V, 306 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+621.8 грн
5+ 548.55 грн
10+ 474.51 грн
50+ 432.48 грн
100+ 391.71 грн
250+ 341.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH4L40T120LQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+356.55 грн
Мінімальне замовлення: 35
FGH4L40T120LQDonsemiIGBTs 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT AND FAST FRD
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+568.01 грн
10+ 395.84 грн
30+ 343.5 грн
120+ 337.82 грн
270+ 297.37 грн
FGH4L40T120LQDON SemiconductorFGH4L40T120LQD
товару немає в наявності
FGH4L40T120LQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGH4L40T120LQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+331.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH4L40T120LQDonsemiDescription: 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/218ns
Switching Energy: 1.04mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 227 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+561.2 грн
10+ 385.76 грн
FGH4L50T65MQDC50onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/181ns
Switching Energy: 240µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+804.57 грн
10+ 542.93 грн
25+ 483.29 грн
100+ 390.94 грн
250+ 360.62 грн
FGH4L50T65MQDC50ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 246W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH4L50T65MQDC50ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH4L50T65MQDC50 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 246 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Field Stop IV Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+801.73 грн
5+ 707.78 грн
10+ 613.83 грн
50+ 538.94 грн
100+ 468.82 грн
250+ 410.82 грн
FGH4L50T65MQDC50ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 246W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH4L50T65MQDC50onsemiIGBTs 650V 50A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+814.75 грн
10+ 610.5 грн
30+ 472.67 грн
120+ 407.38 грн
270+ 375.44 грн
510+ 355.57 грн
1020+ 352.73 грн
FGH4L50T65SQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+301.57 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGH4L50T65SQDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH4L50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+410.82 грн
10+ 314.48 грн
100+ 212.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH4L50T65SQDonsemiIGBTs FS4 T TO247 50A 650V 4L
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+383.36 грн
10+ 339.53 грн
30+ 278.92 грн
120+ 229.95 грн
270+ 205.82 грн
510+ 188.78 грн
1020+ 156.85 грн
FGH4L50T65SQDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/162ns
Switching Energy: 660µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
товару немає в наявності
FGH4L75T65MQDC50onsemiIGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+858.64 грн
10+ 639.88 грн
30+ 496.09 грн
120+ 428.67 грн
270+ 396.02 грн
510+ 395.31 грн
1020+ 374.02 грн
FGH4L75T65MQDC50onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 110A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/187ns
Switching Energy: 720µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 146 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+832.98 грн
10+ 564 грн
30+ 492.14 грн
120+ 400.53 грн
270+ 373.9 грн
FGH50N3onsemiDescription: IGBT PT 300V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/135ns
Switching Energy: 130µJ (on), 92µJ (off)
Test Condition: 180V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
товару немає в наявності
FGH50N3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 300V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH50N3ONSEMIFGH50N3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
FGH50N3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 300V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH50N3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 300V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH50N3onsemi / FairchildIGBT Transistors 300V PT N-Channel
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+772.52 грн
10+ 688.85 грн
100+ 482.61 грн
250+ 432.22 грн
FGH50N6S2onsemiDescription: IGBT 600V 75A 463W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
товару немає в наявності
FGH50N6S2Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+394.15 грн
Мінімальне замовлення: 54
FGH50N6S2Donsemi / FairchildIGBT Transistors Comp 600V N-Ch
товару немає в наявності
FGH50N6S2DFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+754.11 грн
Мінімальне замовлення: 29
FGH50N6S2DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH50N6S2DFSCTO-247 08+
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH50N6S2DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH50N6S2DonsemiDescription: IGBT 600V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
товару немає в наявності
FGH50N6S2D_NLON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Stealth™ Diode
товару немає в наявності
FGH50T65SQDonsemiON Semiconductor FS4TIGBT TO247 50A 650V
товару немає в наявності
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH50T65SQD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/105ns
Switching Energy: 180µJ (on), 45µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 7291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.21 грн
30+ 186.13 грн
120+ 157.21 грн
510+ 130.1 грн
FGH50T65SQD-F155onsemi / FairchildIGBTs 650V FS4 Trench IGBT
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+337.82 грн
10+ 324.84 грн
30+ 230.66 грн
120+ 196.59 грн
270+ 190.91 грн
510+ 168.2 грн
1020+ 155.43 грн
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH50T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 99nC
Collector-emitter voltage: 650V
Kind of package: tube
Collector current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+471 грн
3+ 409.04 грн
4+ 303.4 грн
10+ 286.55 грн
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH50T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 99nC
Collector-emitter voltage: 650V
Kind of package: tube
Collector current: 50A
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+392.5 грн
3+ 328.24 грн
4+ 252.84 грн
10+ 238.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH50T65SQD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH50T65SQD-F155 - IGBT, 650 V, 50A FIELD STOP 4 TRENCH
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
FGH50T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH50T65UPDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGH50T65UPDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGH50T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH50T65UPDonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/160ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 340 W
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.33 грн
30+ 270.28 грн
120+ 230.95 грн
FGH50T65UPDonsemi / FairchildIGBTs 650 V 100 A 240 W
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+401.58 грн
10+ 277.5 грн
30+ 240.59 грн
120+ 220.72 грн
FGH60N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH60N60SFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
товару немає в наявності
FGH60N60SFDTU
Код товару: 71883		FAIR/ONТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
у наявності 17 шт:
1 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+228 грн
10+ 211 грн
FGH60N60SFDTUonsemi / FairchildIGBTs N-Ch/ 60A 600V FS
товару немає в наявності
FGH60N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH60N60SFDTUFGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
FGH60N60SFDTU
Код товару: 204981		КитайТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
у наявності 80 шт:
80 шт - склад
1+165 грн
10+ 154 грн
FGH60N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH60N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH60N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH60N60SFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/134ns
Switching Energy: 1.97mJ (on), 570µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+242.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH60N60SFTUON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-CH / 600V 60A/ FS
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH60N60SFTUfairchild2011+
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH60N60SFTUFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
на замовлення 6350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+260.39 грн
Мінімальне замовлення: 81
FGH60N60SFTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60N60SFTU - IGBT,N CH,600V,120A,TO247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+300.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH60N60SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+432.23 грн
30+ 253.97 грн
120+ 216.59 грн
510+ 189.33 грн
FGH60N60SMDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60N60SMD - IGBT, Universal, 120 A, 1.9 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+531.83 грн
10+ 384.54 грн
100+ 292.98 грн
500+ 235.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+402.43 грн
10+ 394.67 грн
30+ 268.46 грн
120+ 225.67 грн
270+ 206.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+502.12 грн
50+ 293.25 грн
100+ 289.03 грн
Мінімальне замовлення: 25
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60N60SMDON-SemicoductorIGBT 600V 120A 600   FGH60N60SMD TFGH60N60smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+331.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60N60SMD
Код товару: 60291		FAIR/ONТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 300 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/115
у наявності 50 шт:
25 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+255 грн
10+ 239 грн
FGH60N60SMDonsemi / FairchildIGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
на замовлення 6444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+491 грн
10+ 457.06 грн
30+ 334.28 грн
120+ 286.72 грн
270+ 269.69 грн
510+ 254.08 грн
1020+ 225.69 грн
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+425.03 грн
43+ 289.12 грн
120+ 243.03 грн
270+ 222.78 грн
Мінімальне замовлення: 29
FGH60N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+505.4 грн
3+ 410.88 грн
8+ 373.49 грн
30+ 360.18 грн
FGH60N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+421.17 грн
FGH60N60SMD-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT Gen 2
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH60N60SMD-F085onsemiDescription: IGBT 600V 120A 600W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/116ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 390µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 280 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
FGH60N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+361.07 грн
10+ 344.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH60N60UFDonsemiIGBT Transistors FSPIGBT TO247 60A 600V
товару немає в наявності
FGH60N60UFDTUfairchild2011+
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH60N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH60N60UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/130ns
Switching Energy: 1.81mJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 298 W
товару немає в наявності
FGH60N60UFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-Ch/ 60A 600V FS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+624.31 грн
10+ 556.63 грн
120+ 400.28 грн
270+ 388.92 грн
510+ 349.18 грн
1020+ 292.4 грн
FGH60N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+244.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH60N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH60N60UFDTU-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-Ch/ 60A 600V FS IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH60N60UFDTU-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60N60UFDTU-F085 - IGBT, 600V, 60A, 1.8V, TO-247 FIELD STOP
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
FGH60N60UFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH60N60UFDTU-F085onsemiDescription: IGBT 600V 120A 298W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/138ns
Switching Energy: 2.47mJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 298 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
FGH60N60UFDTU_F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH60N60UFDTU_F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH60N6S2onsemiDescription: IGBT 600V 75A 625W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/70ns
Switching Energy: 400µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Power - Max: 625 W
товару немає в наявності
FGH60T65
Код товару: 130492		Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
FGH60T65SHDonsemiIGBTs FS3TIGBT TO247 60A 650V
товару немає в наявності
FGH60T65SHD-F155onsemi / FairchildIGBTs 650 V, 60 A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+386.68 грн
10+ 362.38 грн
30+ 262.59 грн
120+ 224.98 грн
270+ 221.43 грн
510+ 200.14 грн
1020+ 177.43 грн
FGH60T65SHD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60T65SHD-F155 - IGBT, 650 V, 60 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
FGH60T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH60T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH60T65SHD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGH60T65SHD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGH60T65SHD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/87ns
Switching Energy: 1.69mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.53 грн
30+ 208.13 грн
120+ 176.41 грн
510+ 148.97 грн
FGH60T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGH60T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGH60T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH60T65SQD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/102ns
Switching Energy: 227µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.81 грн
30+ 215.92 грн
120+ 183.36 грн
510+ 156.52 грн
FGH60T65SQD-F155
Код товару: 166613		Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
FGH60T65SQD-F155onsemiIGBTs 650V 60A FS4 TRENCH
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+417.31 грн
10+ 353.4 грн
30+ 283.89 грн
120+ 242.01 грн
270+ 229.24 грн
510+ 215.75 грн
1020+ 173.88 грн
FGH60T65SQD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60T65SQD-F155 - IGBT, 120 A, 1.6 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+445.85 грн
10+ 320.05 грн
100+ 242.83 грн
500+ 190 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH60T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75N60SFTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/138ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 452 W
товару немає в наявності
FGH75N60SFTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-CH/75A 600V FS Planar
товару немає в наявності
FGH75N60UFonsemionsemi FSPIGBT TO247 75A 600V
товару немає в наявності
FGH75N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 452000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 452000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75N60UFTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-CH / 600V 75A FS Planar
товару немає в наявності
FGH75N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 452000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75N60UFTUonsemiDescription: IGBT 600V 150A 452W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/128ns
Switching Energy: 3.05mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 452 W
товару немає в наявності
FGH75N60UFTUON Semiconductor
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH75T65SHDonsemiIGBTs FS3TIGBT TO247 75A 650V
товару немає в наявності
FGH75T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75T65SHD-F155
Код товару: 172511		Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
FGH75T65SHD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43.4 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/80ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 52166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+446.05 грн
30+ 262.72 грн
120+ 224.29 грн
510+ 197.19 грн
FGH75T65SHD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGH75T65SHD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SHD-F155 - IGBT, 650 V, 75 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
FGH75T65SHD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGH75T65SHD-F155onsemi / FairchildIGBTs 650 V, 75 A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+512.53 грн
10+ 504.39 грн
30+ 347.76 грн
120+ 298.08 грн
270+ 297.37 грн
510+ 264.72 грн
1020+ 227.82 грн
FGH75T65SHDTonsemiIGBT Transistors FS3TIGBT TO247 75A 650V
товару немає в наявності
FGH75T65SHDT-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SHDT-F155 - IGBT, 150 A, 1.6 V, 455 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+512.72 грн
10+ 369.42 грн
100+ 281.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH75T65SHDT-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGH75T65SHDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75T65SHDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75T65SHDT-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/86ns
Switching Energy: 3mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.08 грн
30+ 249.8 грн
120+ 212.91 грн
FGH75T65SHDT-F155onsemi / FairchildIGBTs 650V FS3 Trench IGBT
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.9 грн
10+ 427.67 грн
30+ 327.18 грн
120+ 268.98 грн
270+ 245.56 грн
510+ 220.72 грн
1020+ 201.56 грн
FGH75T65SHDT-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGH75T65SHDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75T65SHDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75T65SHDTL4onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/189ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.56mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+444.51 грн
30+ 261.46 грн
120+ 223.19 грн
FGH75T65SHDTL4onsemi / FairchildIGBTs FS3 TIGBT Excellent switching performan
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+510.05 грн
10+ 457.87 грн
30+ 344.92 грн
120+ 296.66 грн
270+ 287.43 грн
510+ 241.3 грн
1020+ 212.2 грн
FGH75T65SHDTL4ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGH75T65SHDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SHDTL4 - IGBT, FS-Trench, 150 A, 1.6 V, 455 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+539.79 грн
10+ 388.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH75T65SHDTL4ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGH75T65SHDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75T65SHDTLN4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+145.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
FGH75T65SHDTLN4onsemiDescription: FS3 T TO247 75A 650V 4WL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/189ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.56mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 455 W
товару немає в наявності
FGH75T65SHDTLN4onsemiIGBT Transistors FS3 T TO247 75A 65
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.57 грн
10+ 417.88 грн
100+ 358.41 грн
250+ 337.11 грн
450+ 276.08 грн
900+ 271.11 грн
FGH75T65SHDTLN4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SHDTLN4 - IGBT, 650V, 150A, 175DEG C, 455W, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH75T65SHDTLN4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH75T65SHDTLN4onsemiDescription: FS3 T TO247 75A 650V 4WL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/189ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.56mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+336.19 грн
Мінімальне замовлення: 63
FGH75T65SHDTLN4TE ConnectivityTE Connectivity
товару немає в наявності
FGH75T65SHDTLN4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75T65SHDT_F155
Код товару: 171976		Транзистори > Польові N-канальні
у наявності 1 шт:
1 шт - склад
1+190 грн
FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+531.74 грн
24+ 522.73 грн
30+ 395.92 грн
100+ 324.94 грн
120+ 296.64 грн
250+ 283.49 грн
Мінімальне замовлення: 23
FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+397.69 грн
50+ 363.93 грн
100+ 358.66 грн
450+ 315.33 грн
Мінімальне замовлення: 31
FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+493.76 грн
10+ 485.39 грн
25+ 385.33 грн
30+ 367.64 грн
100+ 301.73 грн
120+ 275.45 грн
250+ 263.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH75T65SQDonsemiIGBTs FS4TIGBT TO247 75A 650V
товару немає в наявності
FGH75T65SQD-F155ON Semiconductor
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH75T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75T65SQD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Switching Energy: 760µJ (on), 180µJ (off)
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.01 грн
30+ 248.23 грн
120+ 211.53 грн
510+ 184.18 грн
FGH75T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGH75T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGH75T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75T65SQD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SQD-F155 - IGBT, N-Kanal, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+526.26 грн
10+ 356.68 грн
100+ 315.28 грн
500+ 253.58 грн
1000+ 198.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH75T65SQD-F155onsemi / FairchildIGBTs 650V FS4 Trench IGBT
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+531.58 грн
10+ 364.01 грн
120+ 231.37 грн
510+ 199.43 грн
FGH75T65SQDNL4ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGH75T65SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75T65SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75T65SQDNL4ON Semiconductor
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH75T65SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75T65SQDNL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SQDNL4 - IGBT, 200 A, 1.43 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+792.17 грн
5+ 651.25 грн
10+ 509.54 грн
50+ 402.17 грн
100+ 322.78 грн
250+ 282.52 грн
500+ 279.11 грн
1250+ 275.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH75T65SQDNL4onsemiIGBTs 650V/75 FAST IGBT
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+685.58 грн
10+ 639.06 грн
30+ 392.47 грн
120+ 350.6 грн
510+ 322.21 грн
FGH75T65SQDNL4onsemiDescription: 650V/75 FAST IGBT FSIII T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 152 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+645.65 грн
30+ 401.88 грн
120+ 358.31 грн
FGH75T65SQDNL4ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGH75T65SQDT-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SQDT-F155 - IGBT, FS-Trench, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+420.37 грн
10+ 323.24 грн
100+ 257.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH75T65SQDT-F155onsemiIGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+404.06 грн
10+ 315.04 грн
30+ 269.69 грн
120+ 227.82 грн
270+ 222.85 грн
510+ 202.27 грн
FGH75T65SQDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 149400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+216.63 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGH75T65SQDT-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns
Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 5155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+428.39 грн
30+ 251.36 грн
120+ 214.29 грн
510+ 187 грн
FGH75T65SQDT-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGH75T65SQDT-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGH75T65SQDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75T65SQDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75T65SQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/276ns
Switching Energy: 307µJ (on), 266µJ (off)
Test Condition: 400V, 18.8A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.49 грн
30+ 267.89 грн
120+ 228.86 грн
510+ 201.86 грн
FGH75T65SQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75T65SQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SQDTL4 - IGBT, 650 V, 75 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
FGH75T65SQDTL4onsemi / FairchildIGBTs 650V FS4 Trench IGBT
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.13 грн
30+ 371.36 грн
120+ 288.85 грн
510+ 254.08 грн
1020+ 218.59 грн
FGH75T65SQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75T65SQDT_F155onsemiDescription: 650V FS4 TRENCH IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns
Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75T65UPDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGH75T65UPDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+305.98 грн
450+ 283.93 грн
900+ 250.42 грн
Мінімальне замовлення: 30
FGH75T65UPDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 385 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+463.7 грн
30+ 273.61 грн
120+ 233.89 грн
510+ 207.02 грн
FGH75T65UPDonsemi / FairchildIGBTs 650V 150A 187W
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+579.6 грн
10+ 387.68 грн
30+ 310.85 грн
120+ 246.98 грн
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+326.22 грн
450+ 302.7 грн
900+ 266.98 грн
Мінімальне замовлення: 38
FGH75T65UPDON-SemicoductorTrans IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 375W; 4,0~7,5V; 578nC; -55°C~175°C; Replacement: FGH75T65UPD-F085; FGH75T65UPD-F155; FGH75T65UPD TO247AB TFGH75T65upd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+312.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 88200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+279.39 грн
900+ 244.2 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+253.37 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGH75T65UPD-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65UPD-F085 - IGBT, 150 A, 1.69 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.69V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+713.35 грн
5+ 613.83 грн
10+ 513.52 грн
50+ 457.62 грн
100+ 404.67 грн
250+ 348.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH75T65UPD-F085ON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH75T65UPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75T65UPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH75T65UPD-F085ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGH75T65UPD-F085onsemiDescription: IGBT 650V 150A 375W TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 578 nC
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+609.57 грн
30+ 366.56 грн
120+ 316.24 грн
FGH75T65UPD-F085onsemi / FairchildIGBTs 650V/75A FS TRENCH IGBT
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+684.76 грн
10+ 578.67 грн
25+ 456.35 грн
100+ 419.44 грн
250+ 393.89 грн
450+ 334.99 грн
900+ 317.24 грн
FGH75T65UPD-F085ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGH75T65UPD-F155ON SemiconductorField Stop Trench IGBT Chip Transistor
товару немає в наявності
FGH75T65UPD-F155onsemiDescription: 650V,75A FIELD STOP TRENCH IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/216ns
Switching Energy: 3.68mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+240.64 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGH75T65UPD-F155onsemi / FairchildIGBTs 650V,75A Field Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
FGH80N60FDonsemiIGBTs FSPIGBT TO247 80A 600V
товару немає в наявності
FGH80N60FD2TUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 61 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/126ns
Switching Energy: 1mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
FGH80N60FD2TUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH80N60FD2TUonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V 80A Field Stop
на замовлення 869 шт:
термін постачання 501-510 дні (днів)
1+406.55 грн
10+ 360.75 грн
120+ 256.92 грн
FGH80N60FD2TUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+203.14 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGH80N60FD2TU(транзистор)
Код товару: 61002		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
FGH80N60FDTU
Код товару: 155558		Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH80N60FDTUonsemi / FairchildIGBTs 600V Field Stop
товару немає в наявності
FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGH80N60FDTUonsemiDescription: IGBT 600V 80A 290W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/126ns
Switching Energy: 1mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
FGH80N60FDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH80N60FDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8
DC-Kollektorstrom: 80
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 290
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGHL40S65UQON SemiconductorDescription: IGBT 650V 40A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL40S65UQON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGHL40S65UQON Semiconductor
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGHL40S65UQON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650 V, 40 A
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGHL40T120RWDON Semiconductor1200V/40A FS7 IGBT SCR TO247
товару немає в наявності
FGHL40T120RWDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGHL40T120RWDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGHL40T120RWDonsemiIGBTs 1200V/40A FS7 IGBT SCR TO247
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+533.23 грн
10+ 449.71 грн
30+ 354.86 грн
120+ 325.76 грн
270+ 306.6 грн
FGHL40T120RWDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 248 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40.3A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/184ns
Switching Energy: 2.9mJ (on), 2.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 174 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 8012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+501.32 грн
30+ 297.09 грн
120+ 254.64 грн
510+ 228.47 грн
FGHL40T120SWDonsemiIGBTs 1200V/40A FS7 IGBT TO247
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+391.64 грн
10+ 334.63 грн
30+ 274.66 грн
120+ 231.37 грн
270+ 215.75 грн
510+ 202.98 грн
1020+ 168.2 грн
FGHL40T120SWDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 70A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 185 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/118ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 118 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.73 грн
10+ 265.33 грн
30+ 227.08 грн
FGHL40T120SWDON SemiconductorIGBT- Power, Co-PAK N-Channel, Field Stop VII
товару немає в наявності
FGHL40T120SWDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGHL40T120SWDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGHL40T65LQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/364ns
Switching Energy: 620µJ (on), 1.03mJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 273 W
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.71 грн
30+ 229.97 грн
120+ 197.12 грн
510+ 164.44 грн
1020+ 140.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL40T65LQDTonsemiIGBTs IGBT - 650 V 40 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+335.34 грн
10+ 277.5 грн
25+ 228.53 грн
100+ 195.17 грн
250+ 184.53 грн
450+ 173.88 грн
900+ 148.33 грн
FGHL40T65MQDON Semiconductor650 V, 40 A Field Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
FGHL40T65MQDonsemiIGBTs 650 V 40 A FS4
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+315.47 грн
10+ 261.17 грн
25+ 214.33 грн
100+ 183.82 грн
250+ 173.88 грн
450+ 163.23 грн
900+ 139.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL40T65MQDON Semiconductor
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGHL40T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGHL40T65MQDonsemiDescription: IGBT 650V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/109ns
Switching Energy: 860µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 86 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+307.09 грн
10+ 205.23 грн
450+ 129.54 грн
FGHL40T65MQDON Semiconductor650 V, 40 A Field Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
FGHL40T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGHL40T65MQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGHL40T65MQDTonsemiDescription: FS4 MID SPEED IGBT 650V 40A TO24
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/75ns
Switching Energy: 880µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.76 грн
10+ 229.62 грн
100+ 164.2 грн
500+ 127.85 грн
FGHL40T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238000mW Tube
товару немає в наявності
FGHL40T65MQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL40T65MQDT - IGBT, 60 A, 1.45 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 6632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.47 грн
10+ 253.97 грн
100+ 206.2 грн
500+ 180.39 грн
1000+ 142.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGHL40T65MQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGHL40T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238000mW Tube
товару немає в наявності
FGHL40T65MQDTonsemiIGBTs IGBT - 650 V 40 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+359.35 грн
10+ 262.81 грн
25+ 224.98 грн
100+ 163.94 грн
450+ 136.27 грн
FGHL50T65LQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGHL50T65LQDTON SemiconductorField Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
FGHL50T65LQDTonsemiIGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 50A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 450 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
1+352.73 грн
10+ 300.35 грн
30+ 239.88 грн
120+ 205.11 грн
270+ 199.43 грн
510+ 182.4 грн
1020+ 163.94 грн
FGHL50T65LQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGHL50T65LQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/408ns
Switching Energy: 510µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 509 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 341 W
товару немає в наявності
FGHL50T65LQDTL4onsemiIGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 50A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 450 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
1+432.22 грн
10+ 371.36 грн
30+ 278.21 грн
120+ 225.69 грн
270+ 222.14 грн
510+ 195.17 грн
1020+ 180.27 грн
FGHL50T65LQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/424ns
Switching Energy: 410µJ (on), 860µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 509 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 341 W
товару немає в наявності
FGHL50T65MQDON Semiconductor650 V, 50 A Field Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
FGHL50T65MQDonsemiDescription: IGBT 650V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.87 грн
10+ 229.25 грн
FGHL50T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGHL50T65MQDonsemiIGBTs 650 V 50 A FS4
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+411.52 грн
10+ 293.01 грн
120+ 183.82 грн
510+ 151.88 грн
1020+ 151.17 грн
FGHL50T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGHL50T65MQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65MQDT - IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.07 грн
10+ 358.27 грн
25+ 293.78 грн
450+ 232.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL50T65MQDTonsemiIGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+427.25 грн
10+ 349.32 грн
30+ 225.69 грн
120+ 183.82 грн
510+ 163.94 грн
FGHL50T65MQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGHL50T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW Tube
товару немає в наявності
FGHL50T65MQDTonsemiDescription: FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/90ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 137180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.38 грн
30+ 204.73 грн
120+ 173.6 грн
510+ 151.5 грн
FGHL50T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+184.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGHL50T65MQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGHL50T65MQDTL4onsemiDescription: FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/336ns
Switching Energy: 1mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 4352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.49 грн
10+ 255.72 грн
450+ 176.76 грн
FGHL50T65MQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW Tube
товару немає в наявності
FGHL50T65MQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65MQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+456.99 грн
10+ 328.02 грн
100+ 265.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL50T65MQDTL4onsemiIGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.3 грн
10+ 322.39 грн
120+ 236.33 грн
510+ 180.27 грн
FGHL50T65SQON SemiconductorIGBT Chip for PFC Applications
товару немає в наявності
FGHL50T65SQON SemiconductorIGBT Chip for PFC Applications
товару немає в наявності
FGHL50T65SQONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65SQ - IGBT, 100 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.87 грн
10+ 223.72 грн
100+ 152.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGHL50T65SQonsemiIGBTs FS4TIGBT 50A 650V
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+362.66 грн
10+ 273.42 грн
30+ 178.14 грн
120+ 144.07 грн
270+ 139.81 грн
510+ 124.2 грн
1020+ 122.07 грн
FGHL50T65SQON SemiconductorIGBT Chip for PFC Applications
товару немає в наявності
FGHL50T65SQonsemiDescription: IGBT 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/93ns
Switching Energy: 410µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.22 грн
30+ 160.13 грн
120+ 134.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL50T65SQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGHL50T65SQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.8ns/70ns
Switching Energy: 223µJ (on), 91.13µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99.7 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.56 грн
30+ 222.52 грн
FGHL50T65SQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGHL50T65SQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGHL50T65SQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65SQDT - IGBT, 100 A, 1.47 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 268
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
FGHL50T65SQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGHL50T65SQDTonsemiIGBTs 650 FS4 HI SPEED 50 A WITH FULL RATING FRD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.8 грн
10+ 412.98 грн
30+ 284.6 грн
120+ 244.14 грн
510+ 215.04 грн
1020+ 174.59 грн
FGHL60T120RWDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGHL60T120RWDON SemiconductorTrans IGBTChip N-CH 1200V 120A 833W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGHL60T120RWDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGHL60T120RWDonsemiIGBTs 1200V, 60A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT in TO247-3L Packaging 1200V 60A FS7 Low Vcesat IGBT Discrete
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+697.18 грн
10+ 589.28 грн
25+ 464.86 грн
100+ 426.54 грн
250+ 400.99 грн
FGHL60T120RWDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 257 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/250ns
Switching Energy: 4.5mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 256 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 833 W
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+624.92 грн
30+ 480.22 грн
120+ 429.67 грн
FGHL75T65LQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGHL75T65LQDTonsemiIGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+601.96 грн
10+ 421.14 грн
30+ 365.5 грн
120+ 312.98 грн
510+ 251.24 грн
FGHL75T65LQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65LQDT - IGBT, 80 A, 1.15 V, 469 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+570.05 грн
5+ 488.04 грн
10+ 406.04 грн
50+ 361.51 грн
100+ 318.69 грн
250+ 300.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL75T65LQDTonsemiDescription: FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 152 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/568ns
Switching Energy: 1.88mJ (on), 2.38mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 793 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+492.11 грн
10+ 336.38 грн
FGHL75T65LQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGHL75T65LQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 469000mW Tube
товару немає в наявності
FGHL75T65LQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 469000mW Tube
товару немає в наявності
FGHL75T65LQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65LQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.15 V, 469 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+556.51 грн
5+ 476.1 грн
10+ 395.69 грн
50+ 352.64 грн
100+ 311.18 грн
250+ 292.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL75T65LQDTL4onsemiDescription: FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/548ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 2.53mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 779 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.21 грн
30+ 308.33 грн
120+ 264.82 грн
510+ 247.63 грн
FGHL75T65LQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 469000mW Tube
товару немає в наявності
FGHL75T65LQDTL4onsemiIGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+623.48 грн
10+ 515.82 грн
30+ 335.69 грн
120+ 278.21 грн
510+ 267.56 грн
FGHL75T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGHL75T65MQDonsemiIGBTs 650 V 75 A FS4
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+558.07 грн
10+ 376.26 грн
120+ 238.46 грн
510+ 208.66 грн
FGHL75T65MQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW Tube
товару немає в наявності
FGHL75T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGHL75T65MQDonsemiDescription: IGBT 650V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/176ns
Switching Energy: 1.94mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 145 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 18446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.6 грн
10+ 297.56 грн
450+ 205.17 грн
FGHL75T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW Tube
товару немає в наявності
FGHL75T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW Tube
товару немає в наявності
FGHL75T65MQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FGHL75T65MQDTonsemiDescription: FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/118ns
Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.85 грн
10+ 289.87 грн
450+ 206.2 грн
FGHL75T65MQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65MQDT - IGBT, 80 A, 1.45 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+515.91 грн
10+ 372.6 грн
100+ 300.95 грн
500+ 262.45 грн
1000+ 207.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL75T65MQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
FGHL75T65MQDTonsemiIGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+543.17 грн
10+ 364.01 грн
120+ 268.98 грн
510+ 208.66 грн
FGHL75T65MQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65MQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+553.33 грн
10+ 454.6 грн
25+ 413.2 грн
100+ 345.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL75T65MQDTL4onsemiIGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+430.56 грн
10+ 348.51 грн
30+ 283.89 грн
120+ 226.4 грн
FGHL75T65MQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
FGHL75T65MQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/181ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.72 грн
30+ 267.6 грн
120+ 228.81 грн
510+ 209.08 грн
FGHOV225Z-L5(T3-270)NEC
на замовлення 5719 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)